公开(公告)号：CN209912864U

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201920256976.3

申请日：2019-02-28

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 时海定 ,  吴义伯 ,  徐凝华 ,  姚卫刚 ,  王玉麒 ,  童颜 ,  常桂钦 ,  方杰 ,  彭勇殿

IPC: H01L23/13

Abstract: 本实用新型公开一种焊接底座，其特征在于，所述焊接底座为中空的圆柱结构，所述圆柱的两个端面上均设置有多个凹槽，所述凹槽由所述圆柱的侧面延伸至所述中空处。本实用新型还公开一种使用该焊接底座的功率半导体模块。本实用新型明中的焊接底座加工简单，成本低廉，进并且该焊接底座可以与陶瓷衬板焊接牢固；从而增强了功率半导体器件焊接的可靠性。

公开(公告)号：CN206163475U

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201621265537.1

申请日：2016-11-23

Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 ,  株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈俊 ,  黎小林 ,  张文浩 ,  窦泽春 ,  李继鲁 ,  刘国友 ,  彭勇殿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52

Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。

公开(公告)号：CN205752165U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620659669.6

申请日：2016-06-24

Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 ,  株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈俊 ,  黎小林 ,  许树楷 ,  肖红秀 ,  窦泽春 ,  李继鲁 ,  刘国友 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/04 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。

公开(公告)号：CN305938459S

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201930483631.7

申请日：2019-09-03

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Designer： 吴义伯 ,  时海定 ,  姚卫刚 ,  徐凝华 ,  方赏华 ,  常桂钦 ,  方杰 ,  彭勇殿 ,  罗海辉

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：功率半导体模块。
2.本外观设计产品的用途：用作电子零部件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.指定设计1为基本设计。