公开(公告)号：CN110678433B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201880020911.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  笘井重和

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶。其中，氧化物烧结体以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。

公开(公告)号：CN112512974B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201980050314.3

申请日：2019-08-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 佐佐木健一 ,  川岛绘美 ,  井上一吉 ,  柴田雅敏 ,  八百笃史

IPC: C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C30B29/22 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明涉及一种化合物，由铟元素(In)、镓元素(Ga)、铝元素(Al)以及氧元素(O)形成，晶格常数为α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系。

公开(公告)号：CN108475702B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201680075286.7

申请日：2016-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 上冈义弘 ,  关谷隆司 ,  笘井重和 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  竹岛基浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47

Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、选自接触电阻降低层和还原抑制层中的1层以上的层、肖特基电极层和金属氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN112512991A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050258.3

申请日：2019-08-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  佐佐木健一 ,  八百笃史

IPC: C04B35/01 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3····(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。

公开(公告)号：CN111668315A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010532733.5

申请日：2014-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/47 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN110678433A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880020911.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 井上一吉 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  笘井重和

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 一种氧化物烧结体，其特征在于，以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。

公开(公告)号：CN105474397A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045491.X

申请日：2014-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。