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公开(公告)号：CN114762165A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083917.6
申请日：2020-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 通过改良二次电池的结构来实现至少耐受高温的二次电池。二次电池使用通过如下制造方法来得到的正极活性物质，对电解液添加LiBOB。该制造方法包括如下步骤：将氟化镁、氟化锂、镍源、铝源分别微粉化后将其与钴酸锂粉末混合来制造第一混合物的第一步骤；以及以低于钴酸锂的耐热温度的温度进行加热制造第二混合物的第二步骤。
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公开(公告)号：CN112979669A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011460788.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 提供一种新颖的有机化合物、光学器件、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种以下述通式(G1)表示的有机化合物。在上述通式(G1)中，X1及X2分别独立地表示碳原子数为3至6且键合于苯基的碳具有支链的仲烷基或叔烷基。另外，Ar1表示取代或未取代的碳原子数为10至60且由两个以上的环构成的稠合芳香环骨架或者取代或未取代的碳原子数为8至60且由两个以上的环构成的稠合芳杂环骨架，Ar2表示取代或未取代的碳原子数为6至25的芳基。另外，n是1至3中的任意个，在n为2以上时，键合于Ar1的上述两个以上的基既可以为相同又可以为不同。
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公开(公告)号：CN112424206A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980031813.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 提供一种新颖有机化合物。另外，提供一种呈现色度良好的发光的有机化合物。另外，提供一种呈现色度良好的蓝色发光的有机化合物。另外，提供一种发光效率高的发光元件。另外，提供一种载流子传输性高的有机化合物。另外，提供一种可靠性高的有机化合物。提供一种至少包含一个氨基的有机化合物，在该氨基中，取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基和取代或未取代的咔唑基中的任一个键合到取代或未取代的萘并双苯并呋喃骨架、取代或未取代的萘并双苯并噻吩骨架和取代或未取代的萘并苯并噻吩并苯并呋喃骨架中的任一个。
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公开(公告)号：CN111886223A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980018238.8
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/80 , C09K11/06 , F21S2/00 , F21S6/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , F21W106/00 , F21Y115/15
Abstract: 本发明提供一种新颖的有机化合物。另外，提供一种具有空穴传输性的新颖的有机化合物。另外，提供一种新颖的空穴传输材料。另外，提供一种新颖的发光元件。另外，提供一种发光效率良好的发光元件。另外，提供一种寿命良好的发光元件。另外，提供一种驱动电压低的发光元件。本发明提供一种苯并咔唑骨架、二苯并咔唑骨架和三苯并咔唑骨架中的任一个与咔唑骨架、苯并咔唑骨架、二苯并咔唑骨架和三苯并咔唑骨架中的任一个在萘‑1，4‑二基或萘‑1，5‑二基键合的有机化合物。注意，这些骨架或基也可以各自包括取代基。
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公开(公告)号：CN104649978B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201410645209.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D233/60 , H01M10/052 , H01M10/0569 , H01M10/0568
Abstract: 本发明提供一种传导性高且粘度低的包含化合物的非水溶剂。还提供一种使用该非水溶剂的高性能蓄电装置。一种包括离子液体的蓄电装置，该离子液体包括包含具有一个以上的取代基的五元杂芳环的阳离子及阴离子，其特征在于，其中一个以上的取代基中的至少一个为四个以上的原子的直链，且包含C、O、Si、N、S以及P中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN106008573B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610352582.9
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07F5/02
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN108117509A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN105001146B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510278404.1
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN105702873B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610232785.4
申请日：2012-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L27/3209 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5346 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384
Abstract: 提供一种具有25％左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压(2.6V)下，发光元件显示极高的发光效率(74.3lm/W的功率效率，24.5％的外部量子效率，19.3％的能量效率)。
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公开(公告)号：CN102417477B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110306192.5
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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