半导体器件及其制造方法
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101097935B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200710127086.4

    申请日:2007-06-28

    IPC分类号: H01L27/28 H01L51/05 H01L51/40

    CPC分类号: H01L27/1021

    摘要: 本发明提供一种半导体存储器件,其中,在一对电极之间夹着包含有机化合物的层,并且在所述一对电极之间夹着包含第一金属氧化物的第一层和包含第二金属氧化物的第二层。包含所述金属氧化物的所述两个层中的一个用作p型半导体层,而另一个用作n型半导体层。包含所述第一金属氧化物的所述第一层和包含所述第二金属氧化物的所述第二层构成PN结,以对所述半导体存储器件供应整流特性。