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公开(公告)号:CN102360551A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326412.0
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102360550A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326388.0
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102270473A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201110118531.7
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种盘状光学记录介质、BCA记录设备、BCA记录方法、光盘设备以及再现方法。所述介质包括第一记录层和布置在比第一记录层远离光入射侧处的第二记录层,第一记录层和第二记录层能够以预定波长的光被记录或再现,所述介质特征在于:仅在盘状光学记录介质上第二记录层的内圆周上形成烧录区,该烧录区配置来记录特定信息,所述特定信息包括指示了第一记录层和第二记录层被允许使用不同格式的信息。
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公开(公告)号:CN101789246A
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN201010120416.9
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/242 , G11B7/0045 , G11B7/005
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/246
Abstract: 公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法,提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的,光学记录介质(100)包括:第一记录层(L0),和布置在比第一记录层远离光入射侧处的第二记录层(L1),第一记录层(L0)和第二记录层(L1)能够以预定波长的光被记录或再现。其中,在第一记录层(L0)与第二记录层(L1)之间提供了中间层(104),该中间层(104)的厚度处在25±10μm的范围内;并且在盘状光学记录介质上第二记录层(L1)的内圆周上形成烧录区。
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公开(公告)号:CN100449626C
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200610072166.X
申请日:2006-04-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/246 , G11B7/00456 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B7/2467 , G11B7/2472 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 根据本发明一个实施例,一种一次写入型信息存储介质包括:基片;和记录层,形成于所述基片上并由基于有机染料的记录材料形成,该记录材料具有对405nm波长和对600nm到700nm范围中的波长的敏感性,其中最靠近405nm附近波长的最大吸收率为100%,并且在600nm到700nm的波长范围内的吸收率至少为5%。
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公开(公告)号:CN101329882A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810125744.0
申请日:2008-06-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/2492 , G11B7/2495
Abstract: 本发明公开了一种信息记录介质(100)和使用该介质的光盘设备。该信息记录介质(100)具有多个记录层(105、107),并通过使用不超过450nm的半导体激光来记录和再现信息。在再现信息时,信息的最短标记长度和最短间隔长度的重复记录频率设定为x,那么,在x/3240至x/190的频率范围内检测到的和信号的最高电平值与x/190处的电平值的比值低于32dB,或者在x/3240至x/190的频率范围内对最短标记长度和最短间隔长度进行重复记录的信号的幅度的平均值与所述最高电平值的比值高于10dB。
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公开(公告)号:CN101097743A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200710122715.4
申请日:2007-07-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B7/24082 , G11B20/1217 , G11B2007/0013 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种信息记录介质以及盘设备。根据一个实施例的信息记录介质(50)具有两个或更多的记录层(58,59),轨道间距(TP)是在250nm到500nm的范围内,并且基片(51)的沟槽的半最大全宽度是在轨道间距的47.5%到72.5%的范围内。
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公开(公告)号:CN101083100A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710105869.2
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00452 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/259 , G11B2007/0013
Abstract: 公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法,提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的,光学记录介质包括:第一记录部分,其包括第一记录层和第一反光层,并被放置在靠近光接收表面的一侧上;及第二记录部分,其包括第二记录层和第二反光层,并被放置在远离该光接收表面的一侧上;该第一记录部分和该第二记录部分被层叠,其中该第二反光层的厚度大于该第一反光层的厚度。
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公开(公告)号:CN101083098A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710105867.3
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/00456 , G11B7/0053 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/257 , G11B20/1217 , G11B2020/122 , G11B2020/1298 , G11B2220/235 , G11B2220/237 , G11B2220/2579
Abstract: 公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法,提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的,在该光学记录介质中,在第一记录部分和第二记录部分中间提供了被控制其厚度变化以小于或等于预定值的中间层。
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公开(公告)号:CN101055737A
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200710098206.2
申请日:2007-04-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2467 , G11B7/247 , G11B7/2492 , G11B7/2495 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 提供一种可记录型信息记录介质,其中在具有沟槽(53)和槽岸(54)的透明树脂基片(41)上形成第一记录薄膜(51)、夹层(44)和第二记录薄膜(52)。通过采用短波激光束照射记录薄膜而形成记录标记。通过采用短波长激光束照射所形成的记录标记的光反射率高于用短波长激光束照射之前的光反射率。所述沟槽在预定幅度范围内摆动。形成夹层的树脂材料为含有碳、氢、氮和氧为主成份的聚合物材料。氧原子比例为11atm%或更高,或推挽信号调制度为0.26或更高。
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