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公开(公告)号：CN101299365A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810081593.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/33 , B22F1/02 , B82Y25/00 , C22C1/002 , C22C2202/02 , H01F10/3231 , H05K9/0075
Abstract: 本发明提供饱和磁化高、可抑制成为高频下的损耗主要原因的涡流损耗，并且具有高的各向异性磁场的芯壳型磁性粒子。本发明的芯壳型磁性粒子，其特征在于，含有磁性金属粒子和氧化物被覆层，所述磁性金属粒子含有含选自Fe、Co、Ni之中的至少一种的磁性金属、和非磁性金属及选自碳和氮中的至少一种元素；所述氧化物被覆层被覆在所述磁性金属粒子的表面上，由含有至少一种作为所述磁性金属粒子构成成分之一的非磁性金属的氧化物或复合氧化物形成。
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公开(公告)号：CN119501220A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411797765.2
申请日：2021-02-10
IPC: B23K1/00 , B23K35/30 , B23K101/42
Abstract: 本申请涉及接合体的制造方法。根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。
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公开(公告)号：CN116134004B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202180059558.5
申请日：2021-07-19
Abstract: 实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层包含Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比(MTi/ME1)为0.5以上的富Ti区和所述比(MTi/ME1)为0.1以下的贫Ti区。
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公开(公告)号：CN116457321B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202180072058.5
申请日：2021-10-20
Abstract: 实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。上述接合层配置在上述陶瓷基板的至少一个面上，且接合上述陶瓷基板和上述铜板。上述接合层含有Ag及Ti。上述铜板包含第一区域、第二区域及第三区域。上述第一区域在厚度方向与上述接合层分离。上述第二区域设在上述接合层与上述第一区域之间，且具有比上述第一区域高的Ag浓度。上述第三区域设在上述接合层与上述第二区域之间，且具有比上述第二区域低的Ag浓度。
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公开(公告)号：CN117913034A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410073781.0
申请日：2021-05-17
Abstract: 实施方式的接合体具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域，上述第一区域包含以钛作为主成分的层，上述层形成于上述接合层的与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm×厚度的范围中的Ti浓度时，上述接合体的上述第一区域的钛浓度M1at％与上述第二区域的钛浓度M2at％之比M1/M2为0.1～5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117321020A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035521.3
申请日：2022-05-17
IPC: C04B37/02
Abstract: 实施方式的接合体的制造方法的特征在于，其是使用连续炉将包含金属构件、陶瓷构件和设置于它们之间的钎料层的层叠体一边搬送一边处理的接合体的制造方法，具备以下工序：在不活泼气氛中以从200℃至接合温度为止的上述层叠体的平均升温速度15℃/分钟以上对上述层叠体进行加热的工序；在不活泼气氛中以600℃以上且950℃以下的范围内的上述接合温度将上述层叠体接合的工序；和以上述层叠体的平均降温速度15℃/分钟以上将上述层叠体从上述接合温度冷却至200℃为止的工序。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
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公开(公告)号：CN115989579A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180053012.9
申请日：2021-10-07
IPC: H01L23/13
Abstract: 实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。接合层配置在所述陶瓷基板的至少一面上，接合所述陶瓷基板和所述铜板。所述接合层含有Ti反应层及多个第1合金。所述Ti反应层含有氮化钛或氧化钛作为主成分。所述多个第1合金位于所述Ti反应层与所述铜板之间。所述多个第1合金分别含有选自Cu‑Sn合金及Cu‑In合金中的一种以上。所述多个第1合金具有相互不同的Sn浓度或In浓度。根据实施方式，能够降低翘曲量，并且能够提高接合工序的升温速度及降温速度。实施方式中，作为陶瓷基板氮化硅基板是适合的。
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公开(公告)号：CN105448452B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510552854.5
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C38/08 , B22F1/0018 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2998/10 , C21D8/12 , C22C1/00 , C22C1/0433 , C22C33/0257 , C22C38/02 , C22C38/06 , H01F1/0063 , B22F1/025 , B22F1/0085
Abstract: 本发明提供高频下具备高μ’和低μ”的特性优良的复合磁性材料的制造方法。实施方式的复合磁性材料的制造方法包含以下工序：准备含有磁性金属和非磁性金属、且粒度分布具有2个以上峰的磁性金属粒子的第1工序，所述磁性金属为选自由Fe、Co、Ni构成的组中的至少1种，所述非磁性金属为选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土类元素中的至少1种；通过将所述磁性金属粒子粉碎进行再凝集而形成含有磁性金属相和夹杂相的复合粒子的第2工序；以及在50℃以上且800℃以下的温度下对所述复合粒子进行热处理的第3工序。
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公开(公告)号：CN105448446A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510540828.0
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01F1/08
CPC classification number: H01F27/255 , H01F1/28 , H01F1/37 , H01F41/0246
Abstract: 实施方式涉及一种磁性材料和设备，所述磁性材料是具备含有磁性金属的多个扁平粒子、以及配置在扁平粒子周围且电阻比扁平粒子高的基质相的磁性材料，在磁性材料的截面，扁平粒子的长宽比为10以上，当将扁平粒子的长径设定为L、将连接扁平粒子的2个端点的直线长度设定为W时，将满足W≤0.95×L的扁平粒子连续层叠的部分的外周包围的面积的比例是截面的面积的10％以上。
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公开(公告)号：CN101299365B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810081593.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/33 , B22F1/02 , B82Y25/00 , C22C1/002 , C22C2202/02 , H01F10/3231 , H05K9/0075
Abstract: 本发明提供饱和磁化高、可抑制成为高频下的损耗主要原因的涡流损耗，并且具有高的各向异性磁场的芯壳型磁性粒子。本发明的芯壳型磁性粒子，其特征在于，含有磁性金属粒子和氧化物被覆层，所述磁性金属粒子含有含选自Fe、Co、Ni之中的至少一种的磁性金属、和非磁性金属及选自碳和氮中的至少一种元素；所述氧化物被覆层被覆在所述磁性金属粒子的表面上，由含有至少一种作为所述磁性金属粒子构成成分之一的非磁性金属的氧化物或复合氧化物形成。
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