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公开(公告)号：CN105453294A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043716.8
申请日：2014-08-13
Applicant: 国立大学法人九州大学
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1033 , C09K2211/1044 , C09K2211/1074 , C09K2211/1077 , C09K2211/186 , H01L51/0054 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件，其具有阳极、阴极、及阳极与阴极之间的发光层，并且发光层至少含有满足以下的式(A)的第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物，第2有机化合物为延迟萤光体，第3有机化合物为发光体，且有机电致发光元件的发光效率较高。式(A)ES1(A)＞ES1(B)＞ES1(C)(ES1(A)、ES1(B)、ES1(C)分别表示第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物的最低激发单重态能阶)。
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公开(公告)号：CN103959502A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059390.9
申请日：2012-11-30
Applicant: 国立大学法人九州大学
IPC: H01L51/50 , C07D403/14 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D403/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , C07D401/14
Abstract: 在发光层中具有下述通式所示的化合物的机发光元件的发光效率高[包含Y1～Y3的环表示三嗪环或者嘧啶环，Z1、Z2及R1～R8表示氢原子或者取代基，R1～R8中的至少1个表示二芳基氨基、或者咔唑基。通式(1)所示的化合物在分子中至少包含2个咔唑结构]。
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公开(公告)号：CN103619858A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280031270.8
申请日：2012-06-22
Applicant: 国立大学法人九州大学
CPC classification number: H01L51/005 , C07F9/5045 , C07F9/5325 , C07F9/5329 , C07F9/5728 , C07F9/58 , C07F9/65517 , C07F9/655354 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/0091 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H05B33/14
Abstract: 下述通式所示的化合物作为电荷输送材料具有优异的特性[式中，R1～R3表示取代基，n1和n2表示0～5的整数，n3表示0～4的整数，X表示由-O-、-S-、-SO2-、-CS-、-R4-、-C(R5)(R6)-、-PO(R7)-、-Si(R8)(R9)-、>PO-、>Si(R10)-或者>Si
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公开(公告)号：CN115102034A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210882367.5
申请日：2018-02-07
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
Abstract: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
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公开(公告)号：CN108475643B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201680079184.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 国立大学法人九州大学
IPC: H01L21/368 , H01L29/786
Abstract: 本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113615016A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080020775.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
Inventor： S·D·A·桑达纳亚卡 , 松岛敏则 , F·本切克 , J-C·里贝里 , 小松龙太郎 , 寺川忍 , 金钟旭 , A·M·C·塞内维拉斯 , 安达千波矢 , A·德阿莱奥 , 藤原隆
Abstract: 本发明公开了一种电驱动有机半导体激光二极管，其包括一对电极、具有分布反馈(DFB)结构的光学谐振器结构及包含由有机半导体构成的光放大层的一个或多个有机层，其中，所述分布反馈结构由1阶布拉格散射区域、二维分布反馈或循环分布反馈构成。
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公开(公告)号：CN112602206A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055087.3
申请日：2019-06-13
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 九州有机光材股份有限公司
IPC: H01L51/50 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D401/14 , C09K11/06
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件，其具有阳极、阴极及在阳极与阴极之间的发光层，其中，发光层至少包含满足以下式(A)的第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物，并且第2有机化合物为延迟荧光体且第3有机化合物为发光体的元件的发光效率高。式(A)ES1(A)＞ES1(B)＞ES1(C)，式中，ES1(A)、ES1(B)、ES1(C)分别表示第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物的最低激发单重态能级。
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公开(公告)号：CN106537630B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201580038597.1
申请日：2015-07-17
Applicant: 国立大学法人九州大学
IPC: H01L51/50 , C07D209/86 , C07D213/38 , C07D251/24 , C07D405/04 , C07D487/14 , C07D491/147 , H01S5/36
Abstract: 包含满足ES1(H)＞ES1(F)＞ES1(D)的主体材料、延迟荧光材料及发光材料的有机发光元件的发光效率高。ES1(H)表示主体材料的最低激发单重态能级，ES1(F)表示延迟荧光材料的最低激发单重态能级，ES1(D)表示发光材料的最低激发单重态能级。
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公开(公告)号：CN110520421A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880014536.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 阿卜杜拉国王科技大学
IPC: C07D455/03 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明中，具有由下述通式表示的结构的化合物可用作发光材料。R1～R9中的至少1个表示取代基；Y1～Y3表示亚甲基、羰基、硫羰基、亚氨基、氧原子、硫原子或磺酰基；Z表示氮原子、硼原子或氧化膦基。
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公开(公告)号：CN110494531A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201780079513.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 九州有机光材股份有限公司
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , C07D251/16 , C07D401/10 , C07D403/10
Abstract: 本发明的由下述通式表示的化合物的发光特性优异。R1及R2表示氟化烷基，D表示哈米特的σp值为负的取代基，A表示哈米特的σp值为正的取代基。
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