公开(公告)号：CN1264159A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100676.2

申请日：2000-01-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田清之 ,  大塚隆 ,  上田路人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L29/513 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4485 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳,在白金薄膜13上形成BST薄膜14,与此同时,除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高,超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性,可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理,还可以形成氧化膜、氮化膜等。