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公开(公告)号：CN101512641B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780032274.7
申请日：2007-08-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形。所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分注入到所述磁性层。
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公开(公告)号：CN101681629B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200880019557.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法，其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，所述方法包括：在非磁性基底上形成磁性层；然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化。
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公开(公告)号：CN101978420A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109283.0
申请日：2009-03-10
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84 , C09D183/04 , G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855 , C09D183/06 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供了一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN101960518A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106506.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供能够效率良好地可靠地除去磁记录介质的表面的异物、不会残留残存于该磁记录介质的表面的掩模层、磁性层的图案形成的生产率高的磁记录介质的制造方法。这样的磁记录介质的制造方法，具有：在非磁性基板上至少形成磁性层的工序；在磁性层上形成掩模层的工序；对掩模层进行图案化而形成掩模图案的工序；使用掩模图案在磁性层上形成磁记录图案的工序；采用研磨材料对掩模图案的表面进行抛光的工序；和除去掩模图案的工序。
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公开(公告)号：CN101542604A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044047.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01F41/34
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，该磁记录介质在非磁性基底(1)的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层(2)；在磁性层上形成掩模层(3)；在掩模层上形成抗蚀剂层(4)；使用压模(5)将磁记录图形的负图形转移到抗蚀剂层；去除掩模层的与磁记录图形的负图形对应的部分；从抗蚀剂层侧的表面将离子注入磁性层中，以使磁性层部分地非磁性化；以及去除抗蚀剂层和掩模层。一种磁记录和再现装置包括：上述磁记录介质(30)；驱动部分(11)，其沿记录方向驱动磁记录介质；磁头(27)，其包括记录部分和再现部分；用于使磁头相对于磁记录介质移动的机构(28)；以及记录和再现信号处理机构(29)，其用于向磁头输入信号和从磁头再现输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101517639A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034718.0
申请日：2007-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种通过将在磁道之间的区域中的矫顽力和剩余磁化减小到极限而消除了在磁记录时的写模糊现象来制造具有高面记录密度的磁记录介质的方法。在该制造磁记录介质(10)的方法中，在非磁性基底(1)的至少一侧上设置磁性层(3)，并且在磁性层(3)上形成磁性分离的磁图形(3a)；将原子注入到磁性层(3)中，同时使所述原子在磁性层(3)的厚度方向上均匀分布，然后使磁性层(3)部分地非磁性化，从而形成使磁图形(3a)磁性分离的非磁性部分(5)。
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公开(公告)号：CN112863551B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011307999.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于自外部的较强振动、冲击的耐受性较高的记录再现装置，包括：圆盘状的记录介质；电动机，其用于旋转驱动上述记录介质；磁头，其用于进行对于上述记录介质的信息的读取、或者写入；斜坡机构，其用于使上述磁头自上述记录介质之上退避；斜坡退避机构，其用于使上述斜坡机构自上述记录介质之上退避。
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公开(公告)号：CN102576547A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045934.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福岛正人
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法，该方法能够以高的生产率制造表面平滑度高、磁头浮起特性优异的有用的磁记录介质。这样的磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板(1)上形成磁性层(3)后，通过对磁性层(3)部分地注入离子，将该磁性层(3)的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案(3a)的磁记录介质(30)的制造方法，其特征在于，在对磁性层(3)部分地注入离子时，在磁性层(3)的表面形成碳膜，通过图案化将碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对磁性层(3)部分地注入离子。
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公开(公告)号：CN101809658B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880109314.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/865 , Y10T29/49025 , Y10T29/4903 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法，该方法的特征在于，包括按以下的(1)～(3)的顺序进行实施的3个工序：(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，降低该磁性层区域的矫顽力和残余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据该方法能够高生产率地制造具有增大的记录密度并且消除了磁记录时溢写的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102349103A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011288.2
申请日：2010-03-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供不使磁性层的表面氧化或卤化并且表面不被粉尘污染、制造工序不复杂的形成有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法。这样的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有：在非磁性基板上(1)形成磁性层(2)的工序；在磁性层(2)之上形成用于形成磁记录图案的掩模层(3)的工序；以及对磁性层(2)的未被掩模层(3)覆盖的部位照射离子束(10)，除去该部位(7)的磁性层(2)的上层部并且对下层部(8)的磁特性进行改性的工序，离子束(10)使用质量不同的两种以上的正离子，形成离子束的离子枪具有向基板侧推出来自离子源的正离子的正电极和使正离子向基板侧加速的负电极。
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