-
公开(公告)号：CN104040654A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004680.8
申请日：2013-01-17
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/02 , B22F3/24 , B22F9/04 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057 , H01F1/08
CPC classification number: H01F1/0536 , B22F3/003 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F9/023 , B22F2003/248 , B22F2207/01 , B22F2207/20 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F7/02 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括：准备R-T-B系烧结磁石体的工序，上述R-T-B系烧结磁石体由稀土元素的含量定义的R量为31质量％以上、37质量％以下；准备RH扩散源的工序，上述RH扩散源含有重稀土元素RH和30质量％以上、80质量％以下的Fe，重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种；使上述烧结磁石体和上述RH扩散源能够相对移动并且能够接近或者接触地装入处理室内的工序；和一边使上述烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或者间断地移动，一边将上述烧结磁石体和上述RH扩散源加热到700℃以上、1000℃以下的处理温度的RH扩散工序。
-
公开(公告)号：CN101981634B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980111185.0
申请日：2009-03-30
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C38/16 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C33/0278 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C2202/02 , H01F1/0571 , H01F1/0573 , H01F1/0577 , H01F41/0273 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2202/05
Abstract: 本发明的R-T-B系烧结磁体具有R：27.3质量％以上29.5质量％以下、B：0.92质量％以上1质量％以下、Cu：0.05质量％以上0.3质量％以下、M：0.02质量％以上0.5质量％以下、T：剩余部分、氧含量0.02质量％以上0.2质量％以下的组成。烧结磁体的主相是R2T14B型化合物，主相的结晶粒径以相当于圆的直径计为8μm以下，并且4μm以下的结晶颗粒所占的面积率为主相整体的80％以上。
-
公开(公告)号：CN110299238B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201910216088.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明制造一种降低RH的含量且具有高Hk/HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其为具有规定组成的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备粒径D50为3.0μm～4.5μm的合金粉末的工序；将所述合金粉末分级成粒径相对较小的微粉和粒径相对较大的烧结用粉末的分级工序，该分级工序中，相对于所述合金粉末100质量％，将粒径D50为1.75μm～2.5μm的微粉去除5质量％～30质量％，由此制作粒径D50为3.2μm～5.2μm且比所述合金粉末的D50大的烧结用粉末；将所述烧结用粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。
-
公开(公告)号：CN111696777A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010169369.0
申请日：2020-03-12
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种降低RH的含量并且具有高HcJ和高Hk的R－T－B系烧结磁体的制造方法。本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法的特征在于：所述R－T－B系烧结磁体含有R：28.5质量％以上33.0质量％以下(R为稀土元素中的至少1种，含有Nd和Pr中的至少1种)、B：0.85质量％以上0.91质量％以下、Ga：0.2质量％以上1.0质量％以下、Cu：0.05质量％以上0.50质量％以下、T：61.5质量％以上70.0质量％以下，并且满足14[B]/10.8＜[T]/55.85([B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T的含量)的关系；所述R－T－B系烧结磁体的制造方法包括将原料合金的熔液以1520℃以上1650℃以下的温度供给至旋转的冷却辊进行骤冷，制作厚度0.4mm以下的骤冷合金的工序。
-
公开(公告)号：CN110431646A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880017894.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其包括以下工序：准备添加合金粉末的工序，所述添加合金粉末包含以下元素且满足下述式(1)：Co：3.5～8.5质量％、B：0.2～0.8质量％、R：33～69质量％、T：10～60质量％、Cu：0.8～3质量％、Ga：1.8～10质量％；准备主合金粉末的工序，所述主合金粉末包含以下元素：B：0.91～1.1质量％、R：28.5～33质量％、T：64～70质量％、Ga：0.1～0.4质量％；准备包含1～16质量％的添加合金粉末和82～99质量％的主合金粉末的混合合金粉末的工序；将混合合金粉末进行成形而得到成形体的工序；将成形体进行烧结而得到烧结体的工序；以及对烧结体进行热处理的工序，14×[B]/10.8≤[T]/55.85≤14×[B]/10.8×2···(1)，其中，[B]和[T]为添加合金粉末中的B和T的含量(质量％)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110299238A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910216088.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明制造一种降低RH的含量且具有高Hk/HcJ的R-T-B系烧结磁体。一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其为具有规定组成的R-T-B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备粒径D50为3.0μm～4.5μm的合金粉末的工序；将所述合金粉末分级成粒径相对较小的微粉和粒径相对较大的烧结用粉末的分级工序，该分级工序中，相对于所述合金粉末100质量％，将粒径D50为1.75μm～2.5μm的微粉去除5质量％～30质量％，由此制作粒径D50为3.2μm～5.2μm且比所述合金粉末的D50大的烧结用粉末；将所述烧结用粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。
-
公开(公告)号：CN106165026B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201580016711.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 石井伦太郎
IPC: H01F1/057 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/02 , B22F9/04 , C22C38/00 , H01F1/06 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明的R－T－B系合金粉末包含27.5质量％以上36.0质量％以下的R(R是稀土元素中的至少一种，且必须包含Nd和Pr中的任一种)、0.85质量％以上1.05质量％以下的B(硼)、0.1质量％以上2.5质量％以下的元素M(M是选自Al、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi中的至少一种)、剩余部分T(T是Fe或者Fe和Co)，并且，在对颗粒进行二维投影得到的轮廓形状中，将长径a、短径b之比设为a/b、将周长L、当量圆直径d(具有相同面积的圆的直径)之比设为L/d时，包含20％以上的满足L/d≤5.39－1.07(a/b)的条件的粉末。
-
公开(公告)号：CN105453194B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201480043012.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqM余量T(R包含RL和RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy和/或Tb、T为Fe，可以用Co置换10质量％以下的Fe，M为Nb和/或Zr，且包含不可避免的杂质，u、w、x、y、z、q表示质量％)表示，RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，0.4≤x≤1.0，0.07≤y≤1.0，0.05≤z≤0.5，0≤q≤0.1，0.100≤y/(x+y)≤0.340，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，v、w满足v≤32.0、0.84≤w≤0.93、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125。
-
公开(公告)号：CN107210128B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201680007651.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)准备R‑T‑B系烧结磁体素材的工序，将成形体以1000℃以上且1100℃以下的温度烧结后，在(条件a)10℃/分以下降温至500℃，或进行(条件b)在800℃以上950℃以下的第一热处理温度保持的第一热处理后，实施以10℃/分以下降温至500℃，所述R‑T‑B系烧结磁体原材含有27.5～34.0质量％的R(R为稀土类元素之中的至少一种且一定含有Nd)、0.85～0.93质量％的B、0.20～0.70质量％的Ga、0.05～0.50质量％的Cu、0.05～0.50质量％的Al，余量是T(T是Fe和Co，以质量比计，T的90％以上是Fe)和不可避免的杂质，并满足式(1)[T]‑72.3[B]＞0和式(2)([T]‑72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(其中，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)；2)热处理工序，将所述R‑T‑B系烧结磁体原材加热至650℃以上且750℃以下的第二热处理温度而进行第二热处理后，以5℃/分以上冷却至400℃。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.026 seconds)
