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公开(公告)号：CN104137227B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380010626.4
申请日：2013-01-10
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , C03C8/16 , C08L101/00 , C09D201/00
CPC classification number: H01L21/2255 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C08L1/28 , H01L21/2225 , H01L21/324 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN104428901B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
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公开(公告)号：CN107148662A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056781.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供含有包含施主元素且粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末和分散介质的n型扩散层形成组合物、以及使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN104508831B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105934830A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580006053.7
申请日：2015-01-29
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B1/16 , H01B1/22
CPC classification number: H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 包含金属粒子和玻璃粒子的电极形成用组合物以及使用该电极形成用组合物形成的电极、具有该电极的太阳能电池元件及其制造方法以及太阳能电池，其中所述金属粒子包含含磷‑锡‑镍的铜合金粒子。
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公开(公告)号：CN105830200A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069124.3
申请日：2014-12-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/0684 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。
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公开(公告)号：CN104508831A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
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公开(公告)号：CN104471720A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038209.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: C07F9/005 , C07F5/069 , C07F7/003 , H01L31/02013 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物的钝化层形成用组合物。式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104471719A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038176.X
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , C08G77/58 , C08K5/05 , C08L83/02 , C09D183/02 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R1表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR1)m (I)。
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