公开(公告)号：CN110357920B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201910290443.1

申请日：2019-04-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  萧满超 ,  王美良

IPC: C07F7/21 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN116157552A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180053299.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： F·G·布朗 ,  R·N·弗蒂斯 ,  R·G·里德格韦 ,  萧满超 ,  S·K·拉加拉曼 ,  D·P·思朋斯

IPC: C23C16/505

Abstract: 公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。

公开(公告)号：CN115584491A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211350727.3

申请日：2018-02-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  D·P·思朋斯 ,  王美良 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/455 ,  C07F7/10 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN110462097B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201880021253.3

申请日：2018-02-06

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 雷新建 ,  萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  D·P·思朋斯 ,  王美良 ,  S·K·拉贾拉曼

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C07F7/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了具有至少三个硅原子、氧原子以及有机氨基的有机氨基聚硅氧烷，以及制备所述有机氨基聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN114616652A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080072635.6

申请日：2020-09-10

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  W·R·恩特雷 ,  D·P·思朋斯 ,  R·N·弗蒂斯 ,  J·L·A·阿赫特伊勒 ,  R·G·里德格韦 ,  雷新建

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C07F7/18

Abstract: 一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.80至约3.30的介电常数、约9至约32GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。

公开(公告)号：CN109072426B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201780018637.5

申请日：2017-02-22

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 李建恒 ,  雷新建 ,  R·N·弗蒂斯 ,  R·G·里德格韦 ,  D·西纳托雷 ,  萧满超

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述了组合物和使用其在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述含硅膜例如但不限于碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面中，使用包含碳‑碳双键或碳‑碳三键的第一化合物和包含至少一个Si‑H键的第二化合物的共沉积来沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN106048557B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201610536821.6

申请日：2012-06-01

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  雷新建 ,  R·M·佩尔斯泰恩 ,  H·钱德拉 ,  E·J·小卡瓦基 ,  韩冰 ,  M·L·奥尼尔

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本文描述用于沉积碳‑掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳‑掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。

公开(公告)号：CN107406978B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201680019197.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： H·钱德拉 ,  K·S·卡西尔 ,  A·马利卡朱南 ,  雷新建 ,  M·R·麦克唐纳 ,  萧满超 ,  M·B·拉奥 ,  李建恒

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/36 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述了用于在沉积工艺中形成含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法，所述含硅膜例如是但不限于碳掺杂氧化硅膜、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面，所述组合物至少包含具有至少一个Si‑C‑Si键和选自卤素原子、氨基及其组合的至少一个锚定基团的环状碳硅烷。

公开(公告)号：CN103397306B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201310137899.7

申请日：2007-05-23

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： H·思里丹达姆 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  T·R·加夫尼

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由下式表示：二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。

公开(公告)号：CN104099578B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201410146690.1

申请日：2014-04-11

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  I·布查南 ,  金武性 ,  S·V·伊万诺夫 ,  雷新建 ,  黃哲盛 ,  權兑烘

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本文描述了用于沉积多组分膜的方法和前体组合物。在一个实施方式中，本文描述的方法和组合物用于经由原子层沉积(ALD)来沉积含锗膜例如锗碲、锑锗和锗锑碲(GST)膜和/或用于沉积用于相变存储器和光电设备的其他基于锗、碲和硒的金属化合物。在这个或其他实施方式中，所使用的Ge前体包含三氯锗烷。