基于金红石晶片的宽波段可饱和吸收镜、制备方法及在宽波段调Q、锁模激光器的应用

    公开(公告)号:CN109256668B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811176027.0

    申请日:2018-10-10

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: H01S3/098 H01S3/16

    摘要: 本发明涉及基于金红石晶片的宽波段可饱和吸收镜、制备方法及在宽波段调Q、锁模激光器的应用,主要包括在金红石晶体中形成贵金属纳米粒子和实现调Q、锁模激光的产生。将贵金属离子通过离子注入技术注入到金红石晶体中,注入能量为50~300千电子伏特,剂量为1~10×1016ions/cm2,经过600℃退火1h后形成贵金属纳米粒子;将退火后的样品作为宽波段可饱和吸收镜。本发明利用贵金属离子注入并退火后的金红石晶体作为宽波段可饱和吸收镜,应用于宽波段调Q、锁模激光器,无需再添加或更换其他宽波段可饱和吸收镜。

    采用质子交换方法在渐变周期极化钽酸锂上形成光波导量子芯片的方法

    公开(公告)号:CN110286439B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201910587589.2

    申请日:2019-07-02

    申请人: 山东大学

    发明人: 王磊 陈峰 谭杨

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/13 G02B6/134

    摘要: 本发明涉及一种采用质子交换方法在渐变周期极化钽酸锂上形成光波导量子芯片的方法,属于光电子器件制备方法领域,包括以下步骤:将渐变周期极化钽酸锂衬底进行清洗;在衬底表面依次镀制钛膜和铬膜;在铬膜表面进行紫外光刻,形成质子交换用掩膜样品;将得到的样品进行200~300摄氏度质子交换,形成条形光波导;对垂直于光波导的两个端面进行光学研磨、抛光;对波导进行通光实验以测试光波导性能;将抛光后的两个端面进行光纤端面耦合和紫外胶固化,光纤跳线两端分别作为输入和输出端,制备出光量子芯片。本发明能够制备出高性能、低传输损耗、微米量级且较好保持晶体非线性的光波导芯片,晶体非线性调谐范围宽。

    基于铌酸锂晶片的可饱和吸收镜、制备方法及应用于1微米脉冲激光器

    公开(公告)号:CN108346970B

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201810185414.4

    申请日:2018-03-06

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: H01S3/11 H01S3/16 H01S3/0941

    摘要: 本发明涉及基于铌酸锂晶片的可饱和吸收镜、制备方法及应用于1微米脉冲激光器,主要包括在LiNbO3晶体中形成金属纳米粒子和实现1微米激光的产生。采用能量为100~200千电子伏特(keV),剂量为1~10×1016ions/cm2的金离子通过离子注入技术轰击铌酸锂晶体表面,1000℃退火1h后形成金纳米粒子;将退火后的样品作为可饱和吸收镜,掺钕钒酸钇晶体等激光材料作为增益介质,结合入射腔镜和出射腔镜,通过光学透镜将LD泵浦光汇聚至增益介质中,在输出端实现1微米脉冲激光的产生。本发明利用金离子注入并退火后的铌酸锂晶体作为可饱和吸收镜,应用于脉冲激光器,无需再添加其他可饱和吸收镜。

    双掺CaF2晶体中三维波导型分束器的制备方法

    公开(公告)号:CN107632341B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201710883054.0

    申请日:2017-09-26

    IPC分类号: G02B6/125 G02B6/13

    摘要: 本发明提供一种双掺CaF2晶体中三维波导型分束器的制备方法,属于光子学器件制备技术领域。主要包括利用飞秒激光在双掺CaF2晶体进行分阶段写入,各阶段为端面形貌略有不同的包层光波导结构,各阶段首尾相接,且中心线始终在同一直线上。通过各阶段包层光波导端面形貌的渐变,波导结构由入射端的单个圆柱形波导渐变为出射端的多个圆柱形结构,形成波导分束器。在分束器入射端、出射端加激光腔镜,利用适当波长的泵浦激光对波动啊分束器进行泵浦,可实现多路波导激光的同时输出。

    铒掺杂钇铝石榴石陶瓷脊形波导激光器件的制备方法

    公开(公告)号:CN101969170B

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201010284511.2

    申请日:2010-09-17

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: H01S3/06 H01S3/17

    摘要: 铒掺杂钇铝石榴石陶瓷脊形波导激光器件的制备方法,属于光电子器件制备技术领域。主要包括在Er:YAG陶瓷中形成脊形波导和实现波导激光输出。采用能量为3.0兆电子伏,剂量为1×1014~6×1014离子/平方厘米范围的氟离子注入,在铒掺杂钇铝石榴石陶瓷表面形成平面波导。用光刻技术,在平面波导表面制备刻蚀掩膜。利用氩离子束刻蚀波导,形成脊形波导。对脊形波导端面进行激光谐振腔镀膜后,使用一定波长和功率的泵浦激光对铒掺杂钇铝石榴石陶瓷波导进行泵浦,输出波长在1645±1或2940±1纳米的红外激光。

    用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法

    公开(公告)号:CN1439750A

    公开(公告)日:2003-09-03

    申请号:CN03111918.2

    申请日:2003-03-04

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法,至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV~6MeV的C+,Cu+等离子注入,注入剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内,在注入区内造成折射率的改变,然后利用聚焦电子束或者激光束扫描,使扫描区的折射率增高,形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。

    离子注入制备光学晶体的脊形光波导的方法

    公开(公告)号:CN1438500A

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:CN03111919.0

    申请日:2003-03-04

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: G02B6/13 G02B6/136

    摘要: 本发明是利用离子注入制备光学晶体的脊形光波导的方法,该方法离子注入、光刻胶掩膜制备和Ar离子束刻蚀。采用能量为2.0-5.0MeV的离子注入到光学晶体的表面,在形成的平面光波导上制备掩膜,用Ar离子束进行刻蚀,能够在光学晶体表面形成脊形光波导;用氧离子和硅离子等注入铌酸锂和偏硼酸钡等非线性光学晶体能够形成增加型的脊形光波导;用氦离子或者氢离子注入多数光学晶体能够形成位垒型脊形光波导。所形成的脊形光波导可以保持较好的非线性光学特性。脊形光波导的厚度、脊背的宽度、深度以及导波模式可以由工艺参数控制。采用本发明可以制作光开关、光调制器等光电子器件。

    离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113381286A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110614863.8

    申请日:2021-06-02

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 李慧琦 陈峰

    IPC分类号: H01S3/16 B24B1/00

    摘要: 本发明涉及一种离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法,该方法采用重离子束碳离子结合化学腐蚀法进行,利用离子辐照技术认为对晶体材料制造缺陷层,使用采用金刚石切割刀在辐照过的晶体表面进行切割制备出凹槽,进而将缺陷层暴露出来增大与酸溶液的接触面积,利用化学腐蚀技术对缺陷层进行腐蚀,实现大面积微米量级厚度晶体薄膜的剥离,实现晶体薄膜的快速制备,时间短、工序简单、成本低,易于大规模推广应用。

    离子束直写二维半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN111341837A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010157534.0

    申请日:2020-03-09

    申请人: 山东大学

    发明人: 谭杨 刘燕然 陈峰

    摘要: 本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法,步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底;步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极;步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯,单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域;步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs;步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击,使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂,使得对应置处的单层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态,最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。