公开(公告)号：CN109789440A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780055274.2

申请日：2017-09-07

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 中村诚吾 ,  八重樫裕之

IPC: B05D1/42 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种薄膜且膜厚等的均匀性较高的优质的膜的制造方法。所述膜的制造方法为将包含形成膜的材料及溶剂的原料溶液供给到基板上，通过使溶剂干燥而将膜形成在基板上的膜的制造方法。使用在基板上保持原料溶液的涂布刮板，涂布刮板具有与基板的表面相对置的对置面、及设在对置面的周围的与原料溶液接触的至少1个侧面。使原料溶液的溶剂沿着特定方向干燥而形成膜。

公开(公告)号：CN108475644A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007011.4

申请日：2017-01-11

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 中村诚吾 ,  前原佳纪 ,  板井雄一郎 ,  宇佐美由久 ,  竹谷纯一

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供一种有机半导体膜的制造方法，所述制造方法具有以下制造工序，即一边向与基板的基板表面对向且分开而配置的涂布刮板的刮板表面与基板表面之间供给有机半导体溶液，一边使刮板表面以与有机半导体溶液接触的状态向与基板表面平行的第1方向移动来使有机半导体膜沿第1方向形成。涂布刮板配置成在刮板表面和有机半导体溶液接触的区域具有相对于基板表面的分开间隙的大小不同的第1间隙和第2间隙，在第1方向的上游侧具有第1间隙，且在下游侧具有与第1间隙相比间隙的大小更小的第2间隙。第2间隙的大小为基板表面和刮板表面的最小距离，且为40μm以下。

公开(公告)号：CN106132691A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013441.8

申请日：2015-01-23

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 中村诚吾 ,  望月佳彦 ,  向井厚史

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。