公开(公告)号：CN101908597B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010196428.X

申请日：2010-06-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三井哲朗 ,  野村公笃 ,  养父克行

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/0072 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其包括：透明导电膜；光电转换膜；和导电膜，其中所述的光电转换膜含有由下式(i)表示的化合物，其中R2至R9中的每一个独立地表示氢原子或取代基，条件是R3，R4，R7和R8中的至少两个中的每一个独立地表示芳基，杂环基或-N(Ra)(Rb)，Ra和Rb中的每一个独立地表示氢原子或取代基，并且至少Ra或Rb表示芳基或杂环基；并且R1表示烷基，芳基或杂环基。

公开(公告)号：CN102420236A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110289309.3

申请日：2011-09-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三井哲朗 ,  藏本有纪

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L51/442 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/301 ,  H01L51/4226 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及光电转换元件，固态成像元件，成像设备和用于制造光电转换元件的方法。光电转换元件包括绝缘膜，第一电极，光接收层和第二电极。第一电极在绝缘膜上形成并且由氧氮化钛制成。光接收层在第一电极上形成并且包含有机材料。刚好在形成光接收层之前的第一电极的组成满足以下要求：(1)在整个第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子％以上，或(2)在从第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从第一电极的基板侧至第一电极的厚度的2/3的范围内，氧的量是钛的量的40原子％以上。

公开(公告)号：CN102034933A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297157.7

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 养父克行 ,  野村公笃 ,  滨野光正 ,  三井哲朗

IPC: H01L51/46 ,  H01L27/30 ,  C07D333/36 ,  C07D409/04 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D333/66 ,  C07D409/12 ,  C07D333/56 ,  C07D409/06 ,  C07D333/76

CPC classification number: H01L51/42 ,  B82Y10/00 ,  C07D333/36 ,  C07D333/56 ,  C07D333/72 ,  C07D409/04 ,  C07D409/06 ,  C07D409/12 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C09B3/00 ,  C09B23/105 ,  C09B57/008 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及光电转换装置，光电转换装置材料，光传感器和成像装置。光电子转换装置包括导电膜，有机光电转换膜和透明导电膜，其中所述有机光电转换膜含有由下式(1)表示的化合物和n型有机半导体，式(1)中R1和R2中的每一个独立地表示被取代的芳基，未被取代的芳基，被取代的杂芳基或未被取代的杂芳基，R3至R11中的每一个独立地表示氢原子或取代基，m表示0或1，n表示0以上的整数，R1和R2，R3和R4，R3和R5，R5和R6，R6和R8，R7和R8，R7和R9，或R10和R11可以彼此结合形成环，并且当n为2以上的整数时，在多个R7和R8中，一对R7，一对R8，或一对R7和R8可以彼此结合形成环。

公开(公告)号：CN102005538A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010267919.9

申请日：2010-08-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 泽木大悟 ,  三井哲朗

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/441 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/424 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种光电转换元件和成像装置。所述光电转换元件以下列顺序包括：基板；包含氮化钛的下电极；包括光电转换层的有机层；和包含透明电极材料的上电极。