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公开(公告)号:CN102420236B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201110289309.3
申请日:2011-09-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L51/442 , H01L21/02565 , H01L27/301 , H01L51/4226 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件,固态成像元件,成像设备和用于制造光电转换元件的方法。光电转换元件包括绝缘膜,第一电极,光接收层和第二电极。第一电极在绝缘膜上形成并且由氧氮化钛制成。光接收层在第一电极上形成并且包含有机材料。刚好在形成光接收层之前的第一电极的组成满足以下要求:(1)在整个第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子%以上,或(2)在从第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从第一电极的基板侧至第一电极的厚度的2/3的范围内,氧的量是钛的量的40原子%以上。
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公开(公告)号:CN102420236A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201110289309.3
申请日:2011-09-27
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L51/442 , H01L21/02565 , H01L27/301 , H01L51/4226 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换元件,固态成像元件,成像设备和用于制造光电转换元件的方法。光电转换元件包括绝缘膜,第一电极,光接收层和第二电极。第一电极在绝缘膜上形成并且由氧氮化钛制成。光接收层在第一电极上形成并且包含有机材料。刚好在形成光接收层之前的第一电极的组成满足以下要求:(1)在整个第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子%以上,或(2)在从第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从第一电极的基板侧至第一电极的厚度的2/3的范围内,氧的量是钛的量的40原子%以上。
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