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公开(公告)号：CN105047577A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510400049.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV自检测和分类校验的装置，是由各TSV连接上芯片层和下芯片层间；在上芯片层中各TSV的顶端两两相连形成一个封闭环，上共公点O与各TSV的顶端分别相连，以上芯片层作为接收端；在上共公点O上连接延时装置，作为所有TSV共同的反弹的顶；在下芯片层上，每两根TSV的下端点之间连接一个异或门，各异或门的输出端一一对应地连接在各自触发器的触发端，各触发器的输出端连接译码器；在下芯片层上的下共公点F与所有各TSV的下端分别相连，以下芯片层作为发送端；在其中的一根TSV的顶端连接缓冲器和由反相器构成的延时装置，在下端连接一个数据比较装置。本发明可以简化测试过程、降低测试成本，并能保证测试精度。
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公开(公告)号：CN103116121A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310022154.6
申请日：2013-01-21
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于自振荡回路的电路老化测试方法，其特征是：根据静态时序分析和路径间相关性，选取待测电路中的老化特征通路集合T；保持老化特征通路集合T中各条待测路径上具有奇数次逻辑非，形成自振荡的回路；采用固定型故障的测试生成方法，生成测试向量，激发自振荡回路，产生测试电平信号；通过计数器采样自振荡回路，获取电路老化特征值，度量待测电路老化程度。本发明可以以较低的功耗精确度量电路的老化程度，为电路老化失效防护提供准确的依据。
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公开(公告)号：CN115202355B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210859102.3
申请日：2022-07-21
Applicant: 国网安徽省电力有限公司 , 合肥工业大学 , 中国能源建设集团安徽省电力设计院有限公司
Inventor： 汪胜和 , 张金锋 , 程智余 , 都海波 , 葛展展 , 谢枫 , 刘军 , 张天忠 , 罗义华 , 刘勇 , 黄杰 , 王鹏 , 刘大平 , 何辉 , 张家倩 , 吴睿 , 胡正 , 蔡必壮 , 许水清 , 刘雁生 , 尤君怡
Abstract: 本发明公开一种电力杆塔作业平台的控制方法及系统，属于作业机器人导航技术领域，所述方法包括：分别对电力杆塔作业平台和电力杆塔进行建模，得到电力杆塔作业平台三维模型和电力杆塔三维模型；将电力杆塔作业平台三维模型和电力杆塔三维模型进行耦合，产生控制指令；向电力杆塔作业平台发送所述控制指令。本发明通过建立电力杆塔作业平台的三维模型和电力杆塔的三维模型，将电力杆塔作业平台和电力杆塔三维模型进行耦合，产生控制指令，从而控制电力杆塔作业平台实现自主开展行进任务。
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公开(公告)号：CN115202355A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210859102.3
申请日：2022-07-21
Applicant: 国网安徽省电力有限公司 , 合肥工业大学 , 中国能源建设集团安徽省电力设计院有限公司
Inventor： 汪胜和 , 张金锋 , 程智余 , 都海波 , 葛展展 , 谢枫 , 刘军 , 张天忠 , 罗义华 , 刘勇 , 黄杰 , 王鹏 , 刘大平 , 何辉 , 张家倩 , 吴睿 , 胡正 , 蔡必壮 , 许水清 , 刘雁生 , 尤君怡
Abstract: 本发明公开一种电力杆塔作业平台的控制方法及系统，属于作业机器人导航技术领域，所述方法包括：分别对电力杆塔作业平台和电力杆塔进行建模，得到电力杆塔作业平台三维模型和电力杆塔三维模型；将电力杆塔作业平台三维模型和电力杆塔三维模型进行耦合，产生控制指令；向电力杆塔作业平台发送所述控制指令。本发明通过建立电力杆塔作业平台的三维模型和电力杆塔的三维模型，将电力杆塔作业平台和电力杆塔三维模型进行耦合，产生控制指令，从而控制电力杆塔作业平台实现自主开展行进任务。
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公开(公告)号：CN112946440A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110301116.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 国网安徽省电力有限公司 , 合肥工业大学
Abstract: 一种基于杆塔冲击阻抗测量的试验回路，包括：冲击电流发生器、注入线、电流测量装置和电压测量装置；冲击电流发生器的高压端通过注入线连接杆塔地线横担，电压测量装置的高压端通过导线连接杆塔塔顶，导线采用第四绝缘支架固定，导线位于第四绝缘支架和杆塔之间的线段水平设置且长度大于杆塔的高度；冲击电流发生器的低压端和电压测量装置的低压端均通过接地电缆连接杆塔塔脚，且注入线和接地电缆均架空设置；电流测量装置设置在注入线靠近杆塔的一端，第一绝缘支架与杆塔之间的距离大于杆塔的高度。本发明实现了对杆塔自身冲击阻抗的测量，为防雷接地设计提供了数据支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104539533B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410810372.0
申请日：2014-12-22
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04L12/721 , H04L12/801
Abstract: 本发明公开了一种依据3D NoC中每一层TSV连接状况建立通道表的方法及其应用，其特征是通道表的建立是对于每一层上所有上通道节点和下通道节点分别通过最短路径算法确立最短环形路径，在各通道节点的通道表中记录有处在最短环形路径中的下一个上通道节点和下通道节点的地址；普通节点的通道表中记录有距离最近的上通道节点和下通道节点地址；一种基于上下优先策略的异构3D NoC TSV容错路由算法利用上述通道表，在对数据包进行层间传输时，利用当前节点的通道表得到该节点可用的上通道节点或下通道节点的地址，将数据包发送至该地址，通过该通道节点传送数据。本发明可以实现任意规模异构3D NoC中的有效数据传输，并具有TSV容错和拥塞缓解功能。
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公开(公告)号：CN103780243B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410043988.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H03K19/003 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构，3D芯片包括上层晶片和下层晶片；上层晶片和下层晶片上均设置有纵横排成多行多列的圆孔；上层晶片和下层晶片的每一对相对应的圆孔之间通过一个硅通孔相连接；在上层晶片和下层晶片上，每个硅通孔的端部都通过一个多路选择器与一个信号传输端子相连接；上层晶片和下层晶片上都分别设置有两个交叉开关；交叉开关均与多路选择器相连接；上层晶片的交叉开关通过两个冗余硅通孔与下层晶片的交叉开关相对应地连接。本发明的3D芯片冗余硅通孔容错结构，具有可解决硅通孔失效导致信号无法正常传输的问题、有效提高芯片的良率、硬件成本低，结构简单且容错能力高等优点。
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公开(公告)号：CN104007383B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410083824.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01R31/3185 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种三维IP核测试外壳扫描链的优化方法，其特征是包括如下步骤：增加测试外壳输入扫描单元和测试外壳输出扫描单元；将设定的阈值TSV数量进行分解；计算各条绑定后测试外壳扫描链的跨度；将相邻的且绑定前测试外壳扫描链数量相同的电路层进行合并，形成虚拟层；按照虚拟层编号由高到低的顺序将内部扫描链、测试外壳输入扫描单元和测试外壳输出扫描单元分配到各条测试外壳扫锚链中；计算三维IP核绑定前和绑定后测试的总时间。本发明能在TSV数量的约束下同时平衡绑定前和绑定后测试外壳扫描链的长度，达到减少三维IP核绑定前和绑定后测试的总时间、降低测试外壳扫描链的硬件开销的目的。
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公开(公告)号：CN104618272A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410835918.8
申请日：2014-12-29
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04L12/935 , H04L12/937 , H04L12/939
Abstract: 本发明提出了一种高可靠低延迟的3D NoC多跳传输方法，其特征是：使用同一维上最远多跳传输节点的感知方法，获取故障情况下的最远多跳传输距离；使用基于交叉开关提前仲裁策略的多跳传输机制，借助输入端口Bufferless通道实现多跳传输；同时，在路由器整体架构上，通过分离本地输入输出端口的优化设计，避免数据的交叉开关传输阶段。本发明提出的多跳传输方法以较低的设计复杂度为代价，保证了故障情况下的多跳传输及其可靠性，并且大幅度减少了数据的传输延迟。
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公开(公告)号：CN102856226B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210330159.0
申请日：2012-09-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种设有信号反弹模块的3D-SIC过硅通孔的测试装置，发送端和接收端之间通过多条过硅通孔TSV相连接；发送端包括第一被测芯片、解码器、控制单元CU、锁存器D和双向开关DSW；接收端包括第二被测芯片和信号反弹模块；信号反弹模块包括一个信号发生器F、多个延迟单元M和多个三态门； TSV的上端与接收端的延迟单元M和信号发生器F相连接； TSV的下端与发送端的解码器和双向开关DSW相连接；解码器、锁存器D和双向开关DSW均与控制单元CU相连接；锁存器D还与双向开关DSW相连接。本发明的3D-SIC过硅通孔的测试装置，具有可有效地解决在3D芯片制造过程中对失效TSV进行有效检测困难的问题、面积和实践开销较小，功耗较低等优点。
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