公开(公告)号：CN105512423B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510963424.2

申请日：2015-12-21

Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司

Inventor： 李菊萍 ,  倪大成 ,  王飞 ,  郑华雄 ,  郑良广

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种磁芯磁滞回线SPICE建模方法，考虑磁芯截面磁场非均匀性的因素，将磁芯薄片分割为2n层磁芯薄片单元，利用法拉第定律、欧姆定律以及安培环路定理计算出每层磁芯薄片的磁场合磁场强度，进而建立磁芯薄片的数据模型为根据该数据模型建立磁芯薄片的SPICE模型。该磁芯磁滞回线SPICE建模方法，符合实际的磁芯磁场情况，建立的SPICE模型准确性更高，并且通过该磁芯磁滞回线SPICE建模方法建立的SPICE模型对空间不需要进行微分，形式简单，易于在SPICE模型中实现和求解。

公开(公告)号：CN105088153B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201510504862.2

申请日：2015-08-17

Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司

Inventor： 侯晓伟 ,  郭俊杰 ,  倪大成 ,  王飞 ,  郑华雄 ,  郑良广 ,  李菊萍

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。