公开(公告)号：CN116178747B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310429632.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 季华实验室

Inventor： 柯链宝 ,  毕海 ,  张赫铭 ,  王嘉璇

IPC: C08G83/00 ,  C08J5/18 ,  C08L87/00 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法，包括主体材料和客体材料，所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物，所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物。通过构建主体材料和客体材料以及两者配体分子之间的相似性、空间匹配程度、相互作用等方面去制备超分子晶体膜，其掺杂所形成的结晶借助晶格、氢键等相互作用实现局部限域，使得其能实现主体分子和客体分子较强的电子自旋‑轨道作用以及电子跃迁偶极作用，以及二者之间的耦合，其在光谱上表现为在长波长处有更为明显的发射，且表现出明显的长寿命三重态发射。

公开(公告)号：CN114705698A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210619144.X

申请日：2022-06-02

Applicant: 季华实验室

Inventor： 段江伟 ,  毕海 ,  汪伟 ,  张赫铭 ,  柯链宝

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01N21/63 ,  G01N21/66 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G01R31/44 ,  G06T7/00 ,  G06V10/80

Abstract: 本发明公开了一种缺陷检测方法、装置、系统及存储介质，涉及半导体检测技术领域，方法包括：获取待测LED芯片的待测区块；控制激光发射器照射待测区块，获得待测区块的视觉图像和光致发光光谱；根据视觉图像，确定待测区块上第一电极的位置；根据第一电极的位置，控制机械臂上第二电极与第一电极接触，获得待测区块的电致发光光谱；根据视觉图像、光致发光光谱和电致发光光谱，进行缺陷识别和结果融合，得到待测LED芯片的缺陷检测结果。本发明解决了现有技术中Micro‑LED芯片的缺陷检测存在检测效率较低的问题，实现了集成视觉检测、PL检测和EL检测对LED芯片进行缺陷检测的目的，提高了LED芯片缺陷检测效率。