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公开(公告)号：CN113651291B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202110797789.8
申请日：2021-07-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光学元件技术领域，具体为一种自支撑微米厚度硅隔膜的制备方法。本发明包括：在双面抛光的SiNx/Si片上双面旋涂光刻胶，利用光刻掩膜版和紫外曝光在正面光刻胶上形成方形窗口阵列作为氮化硅薄膜层的掩膜层，在背面光刻胶上形成与正面边沿方形窗口对齐的两个方形窗口作为硅隔膜厚度监视孔的掩膜层；在反应离子刻蚀机中刻蚀硅片表面露出来的氮化硅薄膜层；去除残余光刻胶，在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成微米深度的监视孔，用PMMA光刻胶作为监视孔保护层，最后将硅片放入热KOH溶液中进行湿法腐蚀至监视孔透白光为止，得到自支撑微米厚度的硅隔膜。本发明方法操作简单、工艺稳定，硅隔膜的厚度精确可控。
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公开(公告)号：CN113651291A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110797789.8
申请日：2021-07-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光学元件技术领域，具体为一种自支撑微米厚度硅隔膜的制备方法。本发明包括：在双面抛光的SiNx/Si片上双面旋涂光刻胶，利用光刻掩膜版和紫外曝光在正面光刻胶上形成方形窗口阵列作为氮化硅薄膜层的掩膜层，在背面光刻胶上形成与正面边沿方形窗口对齐的两个方形窗口作为硅隔膜厚度监视孔的掩膜层；在反应离子刻蚀机中刻蚀硅片表面露出来的氮化硅薄膜层；去除残余光刻胶，在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成微米深度的监视孔，用PMMA光刻胶作为监视孔保护层，最后将硅片放入热KOH溶液中进行湿法腐蚀至监视孔透白光为止，得到自支撑微米厚度的硅隔膜。本发明方法操作简单、工艺稳定，硅隔膜的厚度精确可控。
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公开(公告)号：CN111766654A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010545103.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明属于光栅技术领域，具体为一种实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法。本发明方法包括：在双抛硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在硅衬底上旋涂厚度1-1.8微米的PMMA正性光刻胶；利用Tracer软件中的蒙地卡罗模型计算空间电荷分布，采用LAB软件计算大高宽比光刻胶剖面形貌；采用曝光图案增添加强筋的方法保证光刻胶垂直性和完整性；利用电子束光刻机实施曝光；进行显影，然后用IPA漂洗，获得光刻胶光栅结构；以光刻胶为掩膜，进行纳米电镀金，得到金光栅。该金光栅在200纳米的周期下拥有8：1至18：1的大高宽比，占空比为0.3-0.7，可以作为在近红外波段对电磁波的偏振起偏器，其起偏消光系数上最大可达1014：1。
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公开(公告)号：CN106876421B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710033236.9
申请日：2017-01-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。
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公开(公告)号：CN109243662A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811075983.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105006266B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510325463.X
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。
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公开(公告)号：CN104934303A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510327352.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
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公开(公告)号：CN104914494A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510322329.4
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G02B5/20 , G03F7/0002
Abstract: 本发明属于材料技术及纳米加工技术领域，具体为一种利用纳米压印制备带底盘金属孔洞获得全色谱结构色的方法。本发明包括：对衬底表面进行清洗和烘干处理；在衬底上旋涂光刻胶和前烘；对所述光刻胶进行纳米压印；对所述压印后的光刻胶进行紫外光固化处理；在压印后的光刻胶上淀积金属等步骤。本发明方法得到的带底盘的金属孔阵列具有可见光波段内（360纳米~810纳米）峰位可调的反常透射光谱谱峰，而体现的全色谱中单一颜色结构色，能用于CCD滤色片或彩色显示器等。
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公开(公告)号：CN104538292A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410722269.0
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种单层电子束光刻胶制备Y型栅的方法。该方法包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光出三维Y型结构，蒸发金属形成Y栅金属层，将残留的电子束光刻胶剥离四个步骤，从而利用电子束套刻在器件源漏之间形成Y型栅。本发明方法不仅能够有效降低Y型栅的尺寸提高Y型栅制作的效率，还能提高Y型栅的成品率以及一致性，在制作高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104483814A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410722282.6
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻，其步骤包括：在硅片表面旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻，经过显影之后形成半圆槽阵列，随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版；再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶，将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面，通过光学光刻，显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力；可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作；得到的纳米图形结构形貌可控；可实现高效、大面积制造；与现有半导体基础工艺直接相兼容。
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