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公开(公告)号：CN102157692A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN102117796A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110030627.8
申请日：2011-01-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , C22C27/04 , C22C19/07
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明利用CoxMoy合金层作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，x、y的取值范围为0.1-0.9,x和y之和为1。制备步骤为：在衬底上直接用PVD，CVD或者ALD技术淀积一层CoxMoy合金，然后沉积Cu籽晶层或直接电镀铜，得到铜互连结构。调节Co、Mo配比可获得较佳的Cu扩散阻挡性能和粘附性能。本发明利用Co、Mo合金做扩散阻挡层，粘附层和电镀籽晶层，不仅提高了Cu阻挡和粘附性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。
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公开(公告)号：CN1964012A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118690.6
申请日：2006-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流－电压拟合法(I－V)、电容－电压拟合法(1/C2－V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I－V法、1/C2－V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN118380445A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410390168.1
申请日：2024-04-01
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种光电原位有源像素传感器，器件单元结构形成于双埋层SOI衬底上。双埋层SOI衬底包括：半导体主体层、第二介质埋层、半导体中间层、第一介质埋层和半导体顶层。感光结构包括半导体中间层以及和半导体中间层相接触的第一半导体外延层和第一欧姆接触区。第一欧姆接触区通过顶部的接触孔连接到第一电极。在器件单元结构的周侧还形成有深沟槽隔离，深沟槽隔离的底部表面达到第二介质埋层中。在深沟槽隔离外侧还形成有第二半导体外延层和第二欧姆接触区。深沟槽隔离和第二介质埋层使感光结构和周侧的第二半导体外延层和半导体主体层相隔离，以抑制相邻的器件单元结构之间的串扰。本发明还公开了一种光电原位有源像素传感器的制造方法。
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公开(公告)号：CN105097503B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410199891.8
申请日：2014-05-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSix，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氮原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103904092A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410093313.6
申请日：2014-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其提高电子转移效率的方法。本发明通过在感光区和转移晶体管（TX）沟道区的接触部分引入从体内到表面的递增掺杂，使衬底体内到TX表面沟道的电势逐步递增，实现光生载流子的完全转移，并可以达到理论的转移载流子数目的极限，成功解决了光生载流子不能完全转移引起的噪声问题。
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公开(公告)号：CN101710593A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910199056.3
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种新结构的肖特基二极管。该结构使用非矩形沟槽状导电通道，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反电流比，同时几乎不损失正向的驱动能力。
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公开(公告)号：CN101350364A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042500.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/36
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。
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公开(公告)号：CN100428436C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610118690.6
申请日：2006-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种肖特基势垒高度的测试方法。本方法的核心内容为：通过测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值，即可准确计算出该二极管的势垒高度。特别是对势垒高度偏低(＜0.4eV)的肖特基二极管，与传统电流-电压拟合法(I-V)、电容-电压拟合法(1/C2-V)提取势垒高度相比，本方法有效减少了二极管串连电阻对提取过程的影响，从而解决了传统I-V法、1/C2-V法无法正确提取出较低势垒高度的难题。由于本方法只需要测量肖特基二极管在零偏压和适当正向偏压下的导纳值、不需要制备特殊样品结构，因此具有简单、方便、准确度高、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN101140875A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710047189.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层或Ni、Ho共淀积工艺最终对应形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si或Ni(Ho)/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再通过退火处理使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。该方法能够有效调节NiSi全硅化物金属栅的功函数使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
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