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公开(公告)号：CN103213977A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310146246.5
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 无硫膨胀石墨的制备方法，它涉及一种膨胀石墨的制备方法。本发明为了解决现有的石墨加工方法氧化剂中含有重铬酸盐、硫酸，导致所制备的膨胀石墨中含有硫的技术问题。本方法如下：将高锰酸钾、高锰酸、硝酸和双氧水混合，得到混合溶液；将天然鳞片石墨放入混合溶液中抽真空后，经超声振荡并浸泡，然后利用离心机将天然鳞片石墨分离，并用水洗涤天然鳞片石墨至洗液为中性，将天然鳞片石墨在烘干、保温，然后在氩气或氮气保护的条件下保温，即得无硫膨胀石墨。本发明制备的无硫膨胀石墨中不含重铬酸盐、硫酸，本发明在负压条件下采用辅助超声振荡，缩短了浸泡时间、降低了生产成本，并且制备的膨胀石墨纯度高、膨胀比大、高的比表面积。
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公开(公告)号：CN113044874B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110259632.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
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公开(公告)号：CN114702771A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210285167.1
申请日：2022-03-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。
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公开(公告)号：CN114671678A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210321616.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种低损耗BiFeO3‑BaTiO3高温无铅压电陶瓷及其制备方法，是要解决现有BiFeO3‑BaTiO3陶瓷的介电损耗高、漏电流大和极化困难的技术问题，属于无机非金属材料技术领域。本发明采用传统的固相反应法制备得到掺杂BiFeO3‑BaTiO3陶瓷，其化学式为0.68BiFeO3‑0.32BaTiO3+x wt％MnO2，其中x为化合物中MnO2的质量百分数，x的范围为0.01≤x≤0.03，该材料的合成工艺简单，成本低廉，室温介电损耗低(1kHz下tanδ～0.045)，铁电‑顺电相变特征温度Tm高达436℃，压电常数d33达133pC/N，电性能甚至高于目前商用钛酸铋系K‑15陶瓷(tanδ＝0.03、d33＝18pC/N、TC＝600℃)，在用于制备高温压电传感器方面具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN113773541A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111170486.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113044874A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110259632.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
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公开(公告)号：CN106735180B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN106751247B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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公开(公告)号：CN106751247A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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公开(公告)号：CN104356414B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410663946.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法，涉及一种高介电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有介电材料介电常数低、脆性大、加工温度高且与集成电路加工技术不相容的问题。方法：一、称量；二、将铌酸钾钠陶瓷粉末加入到N,N‑二甲基乙酰胺中超声；三、加入聚偏二氟乙烯粉末，搅拌得到聚偏二氟乙烯溶液；四、将聚偏二氟乙烯溶液静置，用自动涂膜器将聚偏二氟乙烯溶液均匀的刮在洁净的玻璃板上，将玻璃板放入真空干燥箱；五、将抽完真空膜的玻璃板放入烘箱中，加热；六、放入蒸馏水中浸泡，将膜揭下，依次用蒸馏水、丙酮和无水乙醇清洗，烘干，即得高介电薄膜。该高介电薄膜在频率为10Hz时，介电常数高达250。本发明用于制备高介电薄膜。
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