一种封装用改性各向同性导电胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN115584231B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202211196996.9

    申请日:2022-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种封装用改性各向同性导电胶及其制备方法,该导电胶包含的组分及其质量份数为:改性环氧树脂90‑110份,银粉15‑45份,银包铜粉35‑45份,银包二氧化硅微球5‑20份,固化剂60‑80份,稀释剂0.05‑0.2份,增塑剂8‑12份,消泡剂0.05‑0.2份,缓蚀剂1‑3份,脱氧剂1‑4份,偶联剂1‑3份;其中,所述改性环氧树脂包含的组分及其质量份数为:液态双酚A型环氧树脂50‑70份,Epon 834或862环氧树脂30‑50份,端羧基液体丁腈橡胶3‑8份,多羟基酚类缩水甘油醚型环氧树脂10‑30份。本发明的技术方案的导电胶,兼具很好的导电性能、力学性能,抗老化性较好。

    一种基于Ag@In核壳结构的高温钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107234367B

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201710470959.5

    申请日:2017-06-20

    Inventor: 陈宏涛 习聪 郭强

    Abstract: 本发明提供了一种基于Ag@In核壳结构的高温钎料及其制备方法,所述基于Ag@In核壳结构的高温钎料包括Ag球,所述Ag球的表面包覆有In层,形成Ag@In核壳结构。本发明技术方案的钎料具有低温连接、高温服役的特点,具有很好的导电导热性能,能够极大地拓宽多级封装的温度工艺窗口;而且可以形成很厚的焊缝,从而有效地改善TLP方法焊缝过薄带来的抗变形能力低的问题。与此同时,由于连接的反应时间取决于单一Ag球外In层的厚度,所以增大焊缝厚度并不需要延长连接时间,进而保证了生产效率;有效地克服现有技术连接温度高、时间长及焊缝薄的缺点。

    一种基于锡填充泡沫铜的高温服役焊点的制备方法

    公开(公告)号:CN108581109A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810424751.4

    申请日:2018-05-07

    Inventor: 陈宏涛 苏悦

    Abstract: 本发明提供了一种基于锡填充泡沫铜的高温服役焊点的制备方法,其中,泡沫铜具有三维多孔结构,泡沫铜由脱合金腐蚀法获得,钎料由购买所得,整个过程为加热加压焊接。该焊点可在低温(230℃)低压(3~5MPa)条件下短时间(5min)焊接获得,并且所得互连焊点能在高温服役下服役并保持较好的可靠性,焊点的机械性能、导电导热性能良好,可以广泛应用于各种高温焊接领域。

    一种新型预制片高温钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104117782A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410393141.4

    申请日:2014-08-11

    CPC classification number: B23K35/0244 B23K35/302

    Abstract: 本发明提供了一种新颖的Cu@Sn核壳结构金属粉,以及由其制成新型预制片高温钎料,以及所述预制片用于焊盘焊接的应用,从而形成高温焊缝的方法,所述金属粉颗粒尺寸在1μm至40μm之间。所述预制片可以用于多种基板的焊接,在回流过程中,预制片内部的颗粒由于压力作用紧密接触,从而能够形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的致密焊缝结构,较钎料膏形成的焊缝质量高出很多。该结构能够在250℃作用形成,形成后可以在350℃下服役,达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单,成本低廉,实用性强,解决了目前功率器件芯片粘贴成本高,工艺温度高以及工艺时间长等问题。

    一种CoSn3纳米材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115780819B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202211432631.1

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明提供了一种CoSn3纳米材料的制备方法和应用,该制备方法包括:步骤S1,将氯化钴和二水氯化亚锡溶于无水乙醇中,得到混合液;步骤S2,将硼氢化钠分散于无水乙醇中,加入三乙二醇,调节pH值,加入稳定剂;步骤S3,在步骤S2得到的溶液滴加步骤S1得到的混合液,在超声环境中搅拌15分钟以上,将反应产物进行清洗,离心得到纳米颗粒;步骤S4,将得到的纳米颗粒加入到乙二醇中,然后置于345‑400℃的管式炉中,使纳米颗粒加热长大,得到反应产物;对反应产物进行酸洗,清洗、离心烘干。采用本发明的技术方案,得到的产物仅为单一的CoSn3纳米颗粒,而且反应速度快,安全性高,制备工艺简单,成本低廉,产量大。

    Cu@In@Ag核壳结构互连材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115070031B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202210621654.0

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明提供了一种Cu@In@Ag核壳结构互连材料及其制备方法,所述Cu@In@Ag核壳结构互连材料包括Cu核,所述Cu核的表面包覆有In@Ag层,形成Cu@In@Ag核壳结构,所述In@Ag层为Ag‑In金属间化合物。本发明技术方案的技术方案,以铜为核,In@Ag包覆其外,其中中间层In的存在可以使焊接温度低于250℃,最外层Ag提升了核壳结构粉末的抗氧化性,同时在回流过程钟与In反应生成高熔点金属间化合物相,提高焊点的耐高温能力及高温剪切强度,实现低温连接高温服役的目的;微米级铜核的存在可以缓解应力集中,匹配基板的热膨胀系数,阻止裂纹扩展。

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