-
公开(公告)号：CN115206462A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210759784.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/06 , G06F113/26 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种基于流动气体法模拟单晶碳化硅干氧热氧化工艺的方法，涉及微电子和器件工艺模拟技术领域。包括如下步骤：构建碳化硅晶体的模型，在模型中的碳化硅晶体表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使碳化硅晶体处于初始状态；加热碳化硅晶体至反应温度，在恒温状态下，间隔第一预设时间，重复在随机位置将一组O2分子以反应温度下所对应的气体速率向碳化硅晶体表面发射，至碳化硅晶体表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，优化后得到氧化样品；获取氧化样品的结构特征参数。本发明能够模拟干氧热氧化工艺方法形成的氧化样品中的界面缺陷的产生过程，有利于获得界面缺陷产生及消减的控制方法。
-
公开(公告)号：CN115206442A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210759866.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明提供了一种不同掺杂体系器件的缺陷演化模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：建立纯硅体系模型；向所述纯硅体系模型中引入掺杂元素，得到掺杂体系模型；基于所述掺杂体系模型，将入射粒子辐照器件后产生的初级撞出粒子的信息作为输入条件，利用分子动力学方法模拟所述器件的缺陷演化过程，输出演化结构；统计所述演化结构中的缺陷信息，并获取所述缺陷信息与所述掺杂体系模型中的掺杂信息、所述初级撞出粒子的信息之间的关系。本发明通过分子动力学方法实现了对不同掺杂体系的半导体器件缺陷演化情况的模拟，模拟过程极尽地贴合实际情况，模拟结果可与实验数据相互对比，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115203915A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762502.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F111/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供了一种实时计算卫星在轨运行环境辐射效应的方法，属于卫星空间环境分析技术领域。方法包括：S1、在环境求解器中导入轨道环境文件，获取相应参数；S2、选取轨道环境文件中时间段N、粒子类型以及飞行器，设置最小累计辐射模拟计算时间k，对k时间内粒子通量进行积分，生成能谱文件，能谱文件个数为N/k个；S3、设置分析参数、运行粒子数，选取目标结构，依据能谱文件，生成相应的脚本文件，将脚本文件输入求解器依次求解；S4、对求解结果进行求和以及归一化处理，生成最终结果。本发明可以实时模拟计算在不同轨道环境下航天器运行任意时段内所受到不同类型辐射粒子对其辐射损伤程度，且本发明支持多求解器同时计算大大提高了计算效率。
-
公开(公告)号：CN115169103A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210768583.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池辐照损伤的模拟计算方法，包括：测量太阳能电池的厚度，并确认其材料属性；构建所述太阳能电池的结构模型，将所述结构模型简化为具有若干个平行平板的层状结构；通过蒙特卡罗方法，使用空间辐照粒子照射所述结构模型，并通过积分计算所述层状结构中每层的位移吸收能量。本发明提供的太阳能电池辐照损伤的模拟计算方法能够快速评价太阳能电池在受到空间辐照粒子辐照后的位移损伤情况，相对于空间实验显著降低了实验成本，为辐照效应损伤机理分析及器件在轨性能退化预测提供依据，且能够计算传统方法无法计算的中子和光子等辐照粒子。
-
公开(公告)号：CN115146517A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778788.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/16
Abstract: 本发明提供了一种不同粒子位移等效性计算方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、构建几何模型，选取辐射位移损伤敏感区，设置模拟参数，之后进行模拟辐射实验；S2、调用Track函数和Step函数，计算得到所有步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标；S3、判断输出步粒子的非电离能量沉积是否为零，如不为零，则输出该步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据；S4、将选定深度区间内的输出步粒子的数据进行累加，计算得到沿入射方向的NIEL深度分布曲线，对NIEL深度分布曲线进行归一化处理。本发明基于Geant4软件进行模拟试验，根据判断条件筛选出输出步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据，之后累加计算得到NIEL，可快速得到随深度变化的NIEL分布。
-
公开(公告)号：CN115128423A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762660.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
-
公开(公告)号：CN111883218A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW-BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.03 seconds)
