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公开(公告)号：CN109402612A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811391383.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。
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公开(公告)号：CN105112883B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510475012.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。
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公开(公告)号：CN101365289B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810137235.X
申请日：2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，它涉及一种管筒内表面注入离子的方法及装置。本发明解决了在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。装置是：空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)连到空心阴极管(9)上，射频电源系统(3)通过匹配保护电路(4)连到空心阴极管(9)上；方法是：气体在射频脉冲的作用下在空心阴极管内产生等离子体，等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)内壁形成离子注入。本发明通过在工件管筒内放入空心阴极管，减小了被处理工件管筒的直径，并能容易建立等离子体，通过使空心阴极管处于脉冲正偏压，提高了工件管筒内表面离子注入效率。
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公开(公告)号：CN101705468A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910308258.7
申请日：2009-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，然后加热至200℃，再溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降，并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97％以上。
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公开(公告)号：CN101700592A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910310588.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种离子注入沉积前处理钎焊异种难焊金属的方法，涉及一种处理钎焊异种难焊金属的方法。它解决了现有离子注入用于异种金属焊接仅适用于异种金属的冷压焊和扩散焊，无法进行钎焊的问题。方法：一、对高熔点母材金属表面进行物理清理和化学清洗，然后置于真空室中并抽本底真空，进行注入沉积前处理；二、对低熔点母材金属进行物理清理和化学清洗，然后与注入沉积前处理后的高熔点母材进行搭接固定，放置钎料并涂覆钎剂，得工件；三、预热焊接炉到钎焊温度，然后将工件置于焊接炉进行钎焊，保温后取出空冷，即完成。本发明提到的离子注入沉积的方法，在待焊母材表面形成的改性层无明显界面，改性层与母材结合好，适用于异种难焊金属进行钎焊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101550579A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910071792.0
申请日：2009-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/02
Abstract: 大尺寸工件表面电场拘束微距微弧氧化的处理方法及装置，它涉及一种工件表面微弧氧化的处理方法及装置。本发明解决了现有的微弧氧化的处理方法及装置存在的阴阳电极间距离较大和电输出能量的利用率低的问题。本发明装置的导电栅网阴极设置在屏蔽套内，导电栅网阴极设置在屏蔽套的底端面上，屏蔽套的底端面上设有四个支脚，支脚的高度为0.5mm～5mm；本发明方法的主要步骤为：安装大尺寸待处理阳极工件；安装导电栅网阴极；安装阴极装置；连接往复运动装置；启动搅拌装置，同时进行微弧氧化。本发明通过导电栅网阴极与屏蔽套实现了微距微弧氧化，增大了电源输出能量的利用率，进而提高了微弧氧化技术的可操作性。
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公开(公告)号：CN119776764A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411973798.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于水冷与磁约束的空心阴极细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现有方法受限于空心阴极端口局部温度过高，导致的空心阴极靶变形失效的问题。装置：水冷与磁约束结合。方法：自辉光清洗细长管筒件内壁；空心阴极增强辉光清洗细长管筒件内壁；管筒件内壁沉积。本发明避免空心阴极靶材因局部过热变形失效，配合往复机构使涂层更均匀，可实现细长管筒件内径6mm内壁金属薄膜快速、均匀沉积，能控制表面温度变化，确保材料力学性能。相比传统方法，本发明离子源在管内产生，避免能量损耗，提高溅射效率，且可通过往复机构步进溅射调控镀膜均匀性，满足不同行业对细管内壁膜层厚度和均匀性要求。
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公开(公告)号：CN118290039A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410568527.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/36
Abstract: 一种石英玻璃表面金属梯度涂层的复合喷涂方法，涉及一种涂层的复合喷涂方法。为了解决现有的玻璃表面金属化的涂层易失效的问题。本发明结合冷喷涂和等离子喷涂两种技术，并控制两种射流的相关参数，从而在石英玻璃表面获得金属梯度涂层，涂层中从玻璃基体侧向外表面表现为由二氧化硅逐渐向铝合金过渡，使涂层性能随之变化，不仅可以实现玻璃与金属的致密封接，有效避免玻璃与金属的线膨胀系数匹配性较差的问题。并且涂层与基体的结合面是由等离子喷涂实现同质材料高温熔合，使得涂层与基体一体化。
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公开(公告)号：CN115161589B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210877479.1
申请日：2022-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法，本发明涉及一种管内壁离子渗氮后原位沉积PVD涂层的装置及方法。本发明目的是解决管内表面处理效率低以及涂层与基体之间界面结合强度较低、耐磨性较差的问题，装置包括金属阴极弧源、挡板、第一辅助阳极、管筒件、阳极杆、第二辅助阳极、Ar进气管、N2‑H2混合气进气管、热电偶、第一绝缘屏蔽罩、第二绝缘屏蔽罩、真空室、金属阴极弧直流电源、第一辅助阳极直流电源、脉冲偏压电源和第二辅助阳极直流电源；本发明连续进行管内表面渗氮和PVD涂层沉积过程，有效提高管内表面处理效率，并提高涂层与基体间结合强度和耐磨性。本发明应用于管筒件内壁渗氮后原位沉积PVD涂层领域。
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公开(公告)号：CN116855885A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310817493.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电场辅助脉冲增强柱状阴极弧在细长管筒件内壁快速均匀沉积金属薄膜的装置及方法，本发明为了解决常规方法难以满足细长管筒件内壁快速、均匀沉积大厚度薄膜的问题。本发明沉积金属薄膜的装置中磁钢座套设在柱状阴极靶材内部，磁钢座上设置有多列磁铁，电场辅助圆筒、细长管筒件和柱状阴极弧源同轴设置。柱状阴极靶材与脉冲阴极弧电源的负输出端连接，其正输出端与电场辅助圆筒连接，细长管筒件与中频偏压电源的负输出端连接。本发明通过电场辅助圆筒与柱状阴极靶材之间的优先放电，解耦了阴、阳极狭小间隙的限制。另外，在柱状阴极靶材上施加极高的脉冲电流，增强了等离子体密度，实现了快速沉积，并控制了基体材料的温升，保证了基材的力学性能。
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