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公开(公告)号：CN111490012B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010074227.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN115566043A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210925940.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提出一种半导体装置结构。结构包括介电结构，其包括第一介电层与第二介电层。第一介电层具有相对的第一侧壁与第二侧壁，且第二介电层接触第一侧壁的至少一部分与第二侧壁的至少一部分。结构亦包括第一半导体层与第一侧壁相邻，其中第一半导体层接触第二介电层。结构还包括第一栅极层围绕第一半导体层的至少三表面，其中第一栅极层具有面对第二介电层的表面，且栅极层的表面延伸于第二介电层与第一半导体层之间的界面所定义的平面上。
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公开(公告)号：CN115223936A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210522472.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及形成在衬底上方的第一纳米结构和第二纳米结构。半导体结构也包括：栅极结构，包括包裹第一纳米结构的第一部分和包裹第二纳米结构的第二部分。半导体结构也包括夹置在栅极结构的第一部分和第二部分之间的介电部件。此外，介电部件包括底部部分和位于底部部分上方的顶部部分，并且介电部件的顶部部分包括壳层和由壳层围绕的芯部分。
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公开(公告)号：CN114927554A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210209316.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括半导体鳍片，半导体鳍片具有第一部分及第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分具有实质上小于第一宽度的第二宽度。第一部分具有第一表面，第二部分具有第二表面，并且第一及第二表面是由第三表面所连接。第三表面相对于第二表面形成角度，角度在约90度至约130度的范围。结构还包括栅极电极层及源极/漏极外延部件，栅极电极层设置在半导体鳍片上方，源极/漏极外延部件设置在栅极电极层的两侧上的半导体鳍片上。
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公开(公告)号：CN114927470A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210223127.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，包括基板、位于基板上方且在第一横向方向上延伸的第一半导体鳍片、位于基板上方且在第一横向方向上延伸的多个半导体纳米片的第一垂直堆叠、以及位于第一半导体鳍片与第一垂直堆叠之间，且在第一横向方向上延伸的闲置鳍片。第一栅极结构围绕并覆盖第一半导体鳍片，且在第二横向方向上延伸，其中第二横向方向实质上垂直于第一横向方向。第二栅极结构围绕并覆盖第一垂直堆叠，且在第二横向方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764408A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110734683.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例公开一种半导体装置。半导体装置包括第一通道层位于半导体基板上，第二通道层位于第一通道层上以及第三通道层位于第二通道层上。通道层沿着第一方向各自连接第一源极/漏极与第二源极/漏极。装置包括第一栅极部分位于第一通道层与第二通道层之间，以及第二栅极部分位于第二通道层与第三通道层之间；第一内侧间隔物位于第一通道层与第二通道层之间并位于第一栅极部分与第一源极/极极之间；第二内侧间隔物位于第二通道层与第三通道层之间并位于第二栅极部分与第一源极/漏极之间。第一栅极部分与该第二栅极部分具有沿着第一方向且实质上相同的栅极长度。第一内侧间隔物沿着第一方向的宽度大于第二内侧间隔物沿着第一方向的宽度。
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公开(公告)号：CN113658953A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110182041.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括栅极介电层、第一源极/漏极特征、在栅极介电层与第一源极/漏极特征之间形成的第一内部间隔物、连接第一源极/漏极特征的导电特征，以及半导体特征，其中半导体特征具有实质上为三角形的横截面，其具有沿着导电特征的第一表面、连接第一表面且接触第一内部间隔物的第二表面，及连接第一表面与第二表面的第三表面。
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公开(公告)号：CN113594157A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110481499.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本文公开了提供用于将多栅极器件的栅极彼此隔离的介电栅极隔离鳍的自对准栅极切割技术。示例性器件包括第一多栅极器件和第二多栅极器件，第一多栅极器件具有第一源极/漏极部件和围绕第一沟道层的第一金属栅极，第二多栅极器件具有第二源极/漏极部件和围绕第二沟道层的第二金属栅极。介电栅极隔离鳍将第一金属栅极和第二金属栅极分离。介电栅极隔离鳍包括具有第一介电常数的第一介电层和设置在第一介电层上方的具有第二介电常数的第二介电层。第二介电常数大于第一介电常数。第一金属栅极和第二金属栅极分别与第一沟道层和介电栅极隔离鳍以及第二沟道层和介电栅极隔离鳍物理接触。本申请的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113363208A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110557935.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 方法包括提供一种结构，该结构具有：从衬底延伸的两个鳍；隔离鳍的底部的隔离结构；位于每个鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；平行于鳍纵向定向并且设置在两个鳍之间与隔离结构上方的介电鳍；位于隔离结构、鳍和介电鳍上方的伪栅极堆叠件；以及位于伪栅极堆叠件的侧壁上方的一个或多个介电层。该方法还包括：去除伪栅极堆叠件，以在一个或多个介电层内产生栅极沟槽，其中，介电鳍暴露于栅极沟槽中；修整介电鳍以减小介电鳍的宽度；以及在修整之后，在栅极沟槽中形成高k金属栅极。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113224057A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110443667.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括设置在半导体衬底上方的半导体层的第一堆叠件，其中半导体层的第一堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个Si层，并且Si层基本上不含Ge；以及邻近半导体层的第一堆叠件的半导体层的第二堆叠件，其中半导体层的第二堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个第二SiGe层，并且其中第一SiGe层和第二SiGe层具有不同的组分。半导体结构还包括与半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件的第一金属栅极堆叠件和与半导体层的第二堆叠件交错以形成不同于第一器件的第二器件的第二金属栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
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