一种汽车起火隔离装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110812729A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911265559.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明提供了一种汽车起火隔离装置,涉及安全防火装置领域。其中,这种装置包括隔离框架、填充层、加固机构、支撑机构以及移动机构。隔离框架至少包括两个相对设置的隔离板,两个隔离板之间形成一容置空腔;填充层设置在容置空腔中,用于隔热或吸热;加固机构设置在容置空腔中,包括若干加固杆,每个加固杆的两端分别与两个隔离板固定连接;支撑机构安装在隔离板远离容置空腔的一面,用于对隔离框架进行支撑,以实现隔离装置竖直放置;移动机构,安装在隔离框架底部,用于移动隔离装置。本装置结构简单、成本低、移动方便,隔离高温以及火势蔓延效果好,对车辆起火应急处置效率高,可实现汽车起火时快速隔离,保护近邻车辆安全。

    一种实现全铜互连的LED封装方法及LED灯

    公开(公告)号:CN110311030A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910654020.3

    申请日:2019-07-19

    Inventor: 谢安 张旻澍

    Abstract: 本发明公开了一种实现全铜互连的LED封装方法及LED灯,方法包括:制作纳米铜焊膏;使用刮刀涂布的技术涂抹所述糊状物,以产生均匀的铜糊状薄膜;通过浸渍工艺将铜糊状薄膜转移到LED芯片的铜柱上;将LED芯片的铜柱对准待封装的基板上;其中,所述基板设置有铜层;在甲酸气氛中,在无压力下以预定温度进行退火来实现LED芯片与基板的全铜结合。本发明采用纳米铜烧结互连工艺实现LED芯片与基板的全铜互连,一方面保证了连接的机械强度和粘接强度,另一方面使用铜材料相对于贵金属材料可大大节省成本,同时本发明的整个工艺可以在较低的温度下进行,降低了工艺成本。

    一种适用于LED的铝合金散热材料及其制备方法及用途

    公开(公告)号:CN105220023B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201510746527.3

    申请日:2015-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种适用于LED的铝合金散热材料及其制备方法及用途,所述铝合金散热材料由以下质量百分比的合金元素熔炼而成:铍0.8~4.5%、钪0.08~0.15%、镉0.02~0.06%,余量为铝;经过炉料准备、炉料预处理、熔炼处理、精炼浇注一系列步骤得到。本发明通过在纯铝中掺入一定量的铍、钪和镉制得的铝合金散热材料,在25℃条件下,热导率大约为223~232W/(m·K),相同试验条件下(试验环境、电功率、电流等),相对于AZ91镁合金,该铝合金散热材料的结点温度下降了1.94~2.85℃,10000h光衰下降了1.96~2.53%,使用寿命延长了15.3~18.9%,显示出良好的散热性能。

    晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片

    公开(公告)号:CN106129232A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610547901.1

    申请日:2016-07-13

    CPC classification number: H01L33/60 H01L2933/0058

    Abstract: 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射光致抗蚀剂,然后烘焙形成光致抗蚀剂层,所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除光致抗蚀剂层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。

    一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片

    公开(公告)号:CN105914291A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610548054.0

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 一种精准制备LED芯片反射层的方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射光致抗蚀剂,然后烘焙形成光致抗蚀剂层,所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除光致抗蚀剂层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。

    远距离式荧光粉层的晶圆级LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN105789412B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201610140233.0

    申请日:2016-03-11

    Abstract: 本发明公开一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED的制备方法,包括:提供一LED预制件,包括基板、安装在所述基板上的LED芯片;在所述基板上形成限位槽,所述限位槽环绕所述LED芯片,且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深;在所述LED芯片上方进行第一次点胶,使所述第一次点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽,然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层;以及,在所述封装透镜层上方进行第二次点胶,使所述第二次点胶覆盖所述封装透镜层并延伸到所述限位槽,然后将其冷却到室温使其固化形成荧光粉层,其中,所述荧光粉层包括基体以及分散于所述基体中的荧光粉。本发明还涉及一种由上述方法获得的远距离式荧光粉层的晶圆级LED。

    一种硅碳负极材料的制备方法及硅碳负极及应用

    公开(公告)号:CN116262615A

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202310180120.3

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种硅碳负极材料的制备方法及硅碳负极及应用。其中,所述方法包括:包括:以含氮碱性碳源基体为碳源,制备二氧化硅包覆碳球的核壳结构复合材料;以二氧化硅包覆碳球的核壳结构复合材料为前驱体,进行镁热还原反应获得NC@Si纳米球。通过溶胶凝胶法将超细且高纯度SiO2量子点锚定在聚多巴胺(PDA)纳米球并通过镁热还原制备了NC@Si复合材料。考虑到法中碱度的提升会同步促进TEOS的水解缩聚产物尺寸的增加及其中SiO2含量的提升,引入含氮碱性碳源基体,基于Si基金属醇盐的水解机理和高分子位阻效应,改善了溶胶凝胶法。

    一种分布式能源热管理方法和装置以及设备

    公开(公告)号:CN115455345A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202210966298.6

    申请日:2022-08-12

    Abstract: 本发明公开了一种分布式能源热管理方法和装置以及设备,包括:提供一基于导热微分方程建立分布式热管理模型,该模型包括:直角坐标和/或柱坐标和/或球坐标导热控制模型、温度均匀性模型;将所述分布式热管理模型转化为代数方程并编译;以及采集监测点数据输入编译后的所述分布式热管理模型,获得热场分布数据,该热场分布数据用于获得非监测点数据。本发明采用分布式热管理模型,建立了电‑热控制关系(代数方程)。能源管理系统依据电‑热控制关系计算获得储能系统各节点的温度信息,从而实现能源管理系统(EMS)可以计算1000‑10000个温度节点,并且储能系统中每1000个电池仅需布置100个温度采集器。

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