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公开(公告)号：CN105633252A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610140226.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/005 , H01L33/54
Abstract: 本发明公开一种晶圆级LED器件的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。本发明还涉及一种由上述方法获得的一种晶圆级LED器件。
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公开(公告)号：CN106129232A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610547901.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/60 , H01L2933/0058
Abstract: 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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公开(公告)号：CN105914291A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610548054.0
申请日：2016-07-13
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/60
Abstract: 一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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公开(公告)号：CN105789412B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201610140233.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行第一次点胶，使所述第一次点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层；以及，在所述封装透镜层上方进行第二次点胶，使所述第二次点胶覆盖所述封装透镜层并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成荧光粉层，其中，所述荧光粉层包括基体以及分散于所述基体中的荧光粉。本发明还涉及一种由上述方法获得的远距离式荧光粉层的晶圆级LED。
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公开(公告)号：CN106129232B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201610547901.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/60
Abstract: 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633252B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201610140226.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种晶圆级LED器件的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。本发明还涉及一种由上述方法获得的一种晶圆级LED器件。
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公开(公告)号：CN105914291B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610548054.0
申请日：2016-07-13
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/60
Abstract: 一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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公开(公告)号：CN105789412A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610140233.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明公开一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行第一次点胶，使所述第一次点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层；以及，在所述封装透镜层上方进行第二次点胶，使所述第二次点胶覆盖所述封装透镜层并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成荧光粉层，其中，所述荧光粉层包括基体以及分散于所述基体中的荧光粉。本发明还涉及一种由上述方法获得的远距离式荧光粉层的晶圆级LED。
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公开(公告)号：CN205429000U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620189369.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本实用新型公开一种晶圆级LED器件，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片以及封装透镜层，所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽。
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公开(公告)号：CN205406563U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620189540.3
申请日：2016-03-11
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本实用新型公开一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片、封装透镜层以及荧光粉层；所述基板上形成有限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片设置，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽；所述荧光粉层均匀覆盖所述封装透镜层并延伸到所述限位槽。
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