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公开(公告)号：CN107863688A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711072492.5
申请日：2017-11-03
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/187 , H01S5/065 , H01S5/3412
Abstract: 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。
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公开(公告)号：CN103969724B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410220044.5
申请日：2014-05-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种衍射光学元件的制作方法，涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层；2)涂胶，光刻显影，腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜，该金属层直径为微透镜最外层环带外径；3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带；4)第二次涂胶，背面曝光光刻，显影，保留光刻胶，侧向腐蚀步骤2)中的金属层，去除光刻胶；5)正面涂胶，背面曝光显影；6)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第二个环带；7)重复步骤4)，直到刻蚀出所有环带，得到具有多台阶的微透镜衍射光学元件。从根本上避免了传统套刻方法制作微透镜带来的不可避免的误差，减少了制作过程中的工艺步骤，降低了难度，同时也为制作其他多台阶器件提供了途径。
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公开(公告)号：CN103227265A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310127938.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。
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公开(公告)号：CN103094429A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310057538.1
申请日：2013-02-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 自分裂GaN基外延薄膜转移方法，涉及氮化镓基半导体器件。选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和GaN基薄膜外延层；在GaN基薄膜上形成图形化金属层；将样品键合到支撑基板上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，实现自分裂GaN基外延薄膜的转移。在形成器件台面结构时，无需采用等离子体刻蚀工艺，从而避免了等离子体刻蚀对发光区的损伤，有利于制备出高效的器件，工艺得到了简化。同时可避免为了器件划片进行切割金属衬底时出现金属衬底卷边和喷溅而导致短路等不良问题。适用于在类蓝宝石的透明衬底上生长的GaN基器件的制备。
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公开(公告)号：CN116525740A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310551302.7
申请日：2023-05-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，包括：自下而上依次层叠的支撑衬底、下反射镜、电流扩展层、发光层、上反射镜；所述发光层包括：自上往下依次层叠N型半导体外延层、有源区、P型半导体外延层，形成PIN结构，用于发光；所述上反射镜为滤波器结构反射镜，通过氮化镓外延层与所述发光层连接，用于透射中心波长光，反射非中心波长光；所述上反射镜和发光层连接有上电极。本发明使用滤波器结构作为反射镜制作氮化镓基谐振腔发光二极管相比于常规氮化镓基谐振腔发光二极管具有更窄的线宽、并可实现高纯度单纵模发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115986033A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211714656.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。本发明具有结构简单、集成度高，光谱线宽窄，光谱模式可调等特点，在精密测量，显微组织成像，视觉成像，三维显示，光通信，量子通信等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113451464A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110692043.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 厦门大学 , 福建中晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN113363805A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110604143.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法，激光器结构方法包括激光器A、激光器B和激光器C三种结构形式，本方案使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，不仅具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用。另外地，使用p型层+隧道结+n型层代替传统激光器中的p型层，结合隧道结的使用，可以有效提高器件的性能。这些方案的应用，使得本发明所提出的激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107123928B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710326448.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110212078A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514858.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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