用于读取指纹的装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1209612A

    公开(公告)日:1999-03-03

    申请号:CN98103487.X

    申请日:1998-08-05

    CPC classification number: G06K9/0004

    Abstract: 由一表面发光体发射的光束到达一凹入/凸起检测光学元件的透明基底层的表面。以大于全反射角的一角度入射其上的光束返回到一两维光传感器。当手指与一漫反射层接触时,在对应于手指的谷的区域中的散射状态不变,反射光束量较大。在对应于手把的脊的区域中的反射光束量较小,由透明颗粒散射的光被吸收。可得到对应的被光学突出的明亮和黑暗部分的一图象。

    液晶显示元件
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101750800B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200910253143.2

    申请日:2009-12-04

    Inventor: 石井裕满

    CPC classification number: G02F1/133707 G02F1/1368 H01L27/124

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示元件,具备:栅极线,以沿预定的方向延伸的方式,作为第1导电层配置;薄膜晶体管,栅极电极与上述栅极线连接;第1像素电极,在比上述第1导电层更靠液晶层侧,作为第2导电层配置;屏蔽电极,在上述栅极线的配置区域和上述第1像素电极的配置区域之间的区域,作为比上述第1导电层更靠液晶层侧的导电层配置;连接部,以相对于上述屏蔽电极至少一部分重叠的方式而且在比上述屏蔽电极更靠上述第1导电层侧配置,对上述薄膜晶体管的源极电极和上述第1像素电极进行连接;以及共用电极,隔着上述液晶层相对于上述第1像素电极对置,设定为与上述屏蔽电极相等的电位。

    薄膜晶体管及其制造方法
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101032027B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200580029649.5

    申请日:2005-09-02

    Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括半导体薄膜(8);形成在半导体薄膜(8)的一个表面上的栅极绝缘膜(7);形成为通过栅极绝缘膜(7)与半导体薄膜(8)相对的栅电极(6);电连接到半导体薄膜(8)的源电极(15)和漏电极(16);源极区;漏极区;以及沟道区。该薄膜晶体管还包括绝缘膜(9),其形成在至少对应于半导体薄膜(8)的源极区和漏极区的外围部分上,并且具有通过其使源极区和漏极区中的每一个的至少一部分暴露的接触孔(10、11),其中源电极(15)和漏电极(16)通过接触孔(10、11)连接到半导体薄膜(8)。

    具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101699624A

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN200910168653.X

    申请日:2006-10-20

    Inventor: 石井裕满

    CPC classification number: H01L27/124

    Abstract: 一种薄膜晶体管面板包括:基板(1);薄膜晶体管(3),形成在基板(1)上,具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13),半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域;像素电极(2),与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接;以及第一和第二导电性被覆膜(14、15),设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部,由与像素电极(2)相同的材料形成;第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽,第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽。

    具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101369606A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810212566.5

    申请日:2006-10-20

    Inventor: 石井裕满

    CPC classification number: H01L27/124

    Abstract: 一种薄膜晶体管面板包括:基板(1);薄膜晶体管(3),形成在基板(1)上,具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13),半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域;像素电极(2),与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接;以及第一和第二导电性被覆膜(14、15),设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部,由与像素电极(2)相同的材料形成;第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽,第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽。

    液晶显示装置
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101221330A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200710308177.8

    申请日:2007-11-22

    CPC classification number: G02F1/136204 G02F2001/136254 Y10S345/904

    Abstract: 本发明的显示装置具有:基板(1)、多个象素电极(4、4R、4G、4B)、多个切换用薄膜晶体管(5)、多个扫描线(6)、和多个数据线(7)。另外,在所述基板(1)的非显示区域内,形成扫描线用的静电保护兼测试用电路(14)及数据线用的静电保护兼测试电路(22)的至少一个。所述扫描线用的静电保护兼测试用电路(14)具备:连接于所述扫描线(6)、包含因产生的静电而导通的保护元件(18)的静电保护电路、及用于检查所述扫描线(6)的导通状态的检查电路;所述数据线用的静电保护兼测试电路(22)具备:连接于所述数据线(7)、包含因产生的静电而导通的保护元件(27)的静电保护电路及用于检查所述数据线(7)的导通状态的检查电路。

    液晶显示装置
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100351690C

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200410028211.2

    申请日:2004-03-08

    CPC classification number: G02F1/136213 G02F1/136209 G02F2201/40

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置,在与纸面垂直的方向上,通过在像素电极(105)和数据线(103)之间配置辅助电容电极(106),能防止在像素电极(105)和数据线(103)之间产生耦合电容。在此情况下,辅助电容电极(106)包括遮光性金属膜和比上述遮光性金属膜的宽度更宽的透射性导电膜(106A),并隔着上述第1绝缘膜(59)同上述数据线(103)重合。因此,能确保足够的辅助电容,并且,利用宽度小的遮光性金属膜对像素电极间遮光,不会降低开口率,可确保高对比度。

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