-
公开(公告)号：CN109888742A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910100265.1
申请日：2019-01-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种三端口直流断路器控保系统，所述控保系统的输入端用于与上层直流控保系统连接，输出端用于与所述三端口直流断路器连接；所述控保系统包括：控制主机、控制子机、开关控制模块、电流互感器以及过流保护模块；其中，所述控制主机分别与所述控制子机、过流保护模块连接，用于监视、控制和保护所述三端口直流断路器；所述控制子机与所述开关控制模块连接，用于监视所述开关控制模块状态或向所述开关控制模块下发控制指令；所述过流保护模块与所述电流互感器连接，用于采集所述三端口直流断路器的电流并进行过流判断。所述控保系统具备三端口直流断路器本体的保护功能，确保在极端故障情况下三端口直流断路器本体的安全。
-
公开(公告)号：CN108718193A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810827107.1
申请日：2018-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法，功率半导体元件的驱动保护电路包括驱动单元和启停单元，所述驱动单元与所述启停单元均连接在功率半导体元件的门极与阴极之间；其中，所述启停单元包括启停模块，所述启停模块连接在功率半导体元件的门极与阴极之间，并且在功率半导体元件驱动保护电路上电和/或下电的过程，启停模块能够维持闭合以保护功率半导体元件。该驱动保护电路复杂度低，控制方法简单易实现，保证了在功率半导体元件型器件驱动电路上电或下电过程中，功率半导体元件型器件门阴极间不会因功率半导体元件型器件阳阴极间耐受电压过高及电压变化率过大而导致器件损坏。
-
公开(公告)号：CN108666983A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710207392.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种断路器、断路系统、电力系统以及操作方法。本公开涉及断路器以及包括断路器的断路系统。本公开公开了一种断路器，该断路器包括：可关断电路，包括能够在第一方向上导通和关断的第一支路和能够在与第一方向相反的第二方向上导通和关断的第二支路，所述第一支路和第二支路包括共同的功率开关器件，并分别包括与所述功率开关器件耦接的整流功率二极管，其中所述可关断电路包括第一端子和第二端子；缓冲电路，与所述可关断电路耦接，用于在所述断路器的关断过程中缓冲电能量。
-
公开(公告)号：CN107769369A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711007803.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种基于耦合负压电路的混合式开关电路、切换开关、切换保护系统及其控制方法，其中所述混合式开关电路包括，机械开关支路、换流支路、辅固态开关支路和能量吸收支路，所述换流支路包括主固态开关支路和耦合负压电路；所述辅固态开关支路中的固态开关包括反向并联的电力电子开关；所述主固态开关支路拓扑为全桥电路，包括电力电子开关/二极管反并联电路和电容，所述电力电子开关/二极管反并联电路与所述电容并联。本发明的基于耦合负压电路的混合式开关电路、切换开关、切换保护系统具有可靠性高的特点，而且控制方便。
-
公开(公告)号：CN106654010A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611163138.9
申请日：2016-12-15
Applicant: 北京平高清大科技发展有限公司 , 清华大学 , 平高集团有限公司
IPC: H01L49/00
CPC classification number: H01L49/00
Abstract: 本发明提供了一种带有压装工装的压接式电力电子器件阀组及其压装方法，属于电力电子器件装配领域；包括压接式电力电子器件阀组和压装工装，所述压接式电力电子器件阀组还包括依次设置在上端板正下方的压杆和压盘、以及置于上端板上表面的压力计；所述压装工装包括上平台和下平台、位于上下平台角部的四根垂直设置的支撑杆、以及位于上平台中部的液压缸，上平台中部还开设使液压缸活塞通过的通孔；将所述拼装好的压接式电力电子器件阀组放置在液压缸的正下方，且由下平台支撑；本发明通过液压机构精确控制压装力的大小和受力点，从而节约人力并提高电力电子器件的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119232136A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411383697.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本公开属于电子电路技术领域，特别涉及一种高电源转换速率耐受的新型浮动电压电平转换电路。输入级由NDMOS晶体管HNM1和HNM2构成，浮动电压域由PDMOS晶体管HPM1‑HPM4，低压NMOS NM1‑NM2构成。其中，晶体管HPM1/NM1以及晶体管HPM2/NM2构成了一对夹紧反相器。本公开中，该电平转换电路的PDMOS之间不存在缩放关系，因此上拉管可以使用强的PDMOS(HPM1和HPM2)来实现较快的转换速度，解决了传统高压电平转换电路的局限性。4个PDMOS晶体管可以放置在与浮动电路相同的N阱中(PDMOS体连接到VDDH)。这将每个电平转换器所需的N阱数量从6个减少到4个，从而节省20‑30％的面积。该浮动电压电平转换电路可抗高电源转换速率(dVSSH/dt)噪声，具有高可靠性。
-
公开(公告)号：CN113098457B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110252175.1
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/16
Abstract: 本发明提供一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，所述采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块，所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得：A、对于所述半导体器件功率模块，以空芯可调电抗作为换流电抗器，调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值；B、反复增大所述空芯可调电抗的感值，直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡，确认此时所述空芯可调电抗的感值L；C、基于所述步骤B中得到的感值L，确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。本发明所实现的IGCT模块体积小，振荡抑制效果好，效率高。
-
公开(公告)号：CN115167606B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210715788.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 清华大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种可关断器件的驱动芯片及其控制方法，其中，驱动芯片包括集成在驱动芯片内的采样比较电路、电源管理电路和隔离驱动电路。本发明将采样比较电路、电源管理电路和隔离驱动电路集成到一个芯片中，在复杂的脉冲电磁环境下，兼顾信号传输效率和质量，还可显著降低成本和体积、减少元件数量、提高器件可靠性，降低功耗和延时。本发明通过低温漂、高精度的电路设计和元件参数优化设计隔离驱动电路，通过隔离驱动电路实现多个开关管精确的时序控制，保证驱动芯片的可靠性与系统安全性。
-
公开(公告)号：CN118937812A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410958990.3
申请日：2024-07-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于电子测量仪器技术领域，公开一种微型电场传感器的馈通耦合分离方法及系统，其中方法包括：在第一驱动电极和一侧锚点之间施加第一驱动电压，在第三驱动电极和一侧锚点之间施加第二驱动电压，在第二驱动电极和另一侧锚点之间施加第三驱动电压，在第四驱动电极和另一侧锚点之间施加第四驱动电压；确定正极感应电极上的馈通耦合电流，确定负极感应电极上的馈通耦合电流，确定总差分馈通耦合电流，对总差分馈通耦合电流、传感信号进行分离。本发明能够对驱动信号和感应信号之间的频谱进行分离，以解决微型电场传感器的感测响应受馈通干扰的问题，不需要添加额外的结构，方法简单易实现。
-
公开(公告)号：CN118659771A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411116959.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/72 , H03K17/081 , H01L29/745
Abstract: 本公开提供了一种关断电路、驱动电路、IGCT、电气设备和关断方法，涉及电力电子技术领域。关断电路包括：控制装置，被配置为在第一阶段输出第一控制信号，并在第一阶段之后的第二阶段输出第二控制信号，第一阶段包括门极换流晶闸管的关断阶段中的电压建立阶段的至少一部分阶段，电压建立阶段的至少一部分阶段在关断阶段中的换流阶段之后且与换流阶段相邻；和电压调节电路，被配置为在接收到第一控制信号后，在第一阶段对由第二掺杂区和第一掺杂区形成的PN结施加第一反偏电压，在接收到第二控制信号后，在第二阶段对PN结施加第二反偏电压，第一反偏电压的电压值大于或等于PN结的击穿电压阈值，第二反偏电压的电压值小于PN结的击穿电压阈值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
243
records
(took 0.055 seconds)
