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公开(公告)号：CN106654010A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611163138.9
申请日：2016-12-15
申请人： 北京平高清大科技发展有限公司 , 清华大学 , 平高集团有限公司
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01L49/00
摘要： 本发明提供了一种带有压装工装的压接式电力电子器件阀组及其压装方法，属于电力电子器件装配领域；包括压接式电力电子器件阀组和压装工装，所述压接式电力电子器件阀组还包括依次设置在上端板正下方的压杆和压盘、以及置于上端板上表面的压力计；所述压装工装包括上平台和下平台、位于上下平台角部的四根垂直设置的支撑杆、以及位于上平台中部的液压缸，上平台中部还开设使液压缸活塞通过的通孔；将所述拼装好的压接式电力电子器件阀组放置在液压缸的正下方，且由下平台支撑；本发明通过液压机构精确控制压装力的大小和受力点，从而节约人力并提高电力电子器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113131925B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110389591.6
申请日：2021-04-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： H03K19/0185 , H02M1/32
摘要： 本发明提供一种集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法，所述窄脉冲处理方法至少包括下面步骤之一：(1)阀控级保护；(2)就地板级保护。本发明的集成门极换流晶闸管换流器窄脉冲处理方法采用阀控级保护，由于在桥臂控制时考虑了因窄脉冲保护而被屏蔽的模块，桥臂输出电压不会失真，电压谐波少，桥臂环流低，有利于换流器控制；采用就地板级保护，不需对阀控程序进行更改，实施便利；对闭锁、功率升降等特殊过程的保护较好。
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公开(公告)号：CN109979998B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811616848.1
申请日：2018-12-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。
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公开(公告)号：CN117192316A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310981386.8
申请日：2023-08-04
申请人： 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本公开实施例涉及电力电子器件测试技术领域，公开了被测器件的擎住电流和维持电流的测试平台、方法及系统，所述方法包括：设定测试电压信号IDUT*；测量被测器件DUT的电压信号IDUT；对所述测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行处理；对处理后的测试电压信号IDUT*与电压信号IDUT进行比较，形成比较结果；根据所述比较结果生成控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断的触发信号；根据所述触发信号控制开关管结构Q1‑D3、开关管结构Q2‑D4和被测器件DUT开通/关断，实现维持电流和擎住电流的测试。本公开的示例性实施例，解决了不易对IGCT器件的维持电流、擎住电流进行测量问题，满足了IGCT器件型式试验的需求。
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公开(公告)号：CN117040507A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310877551.5
申请日：2023-07-17
申请人： 清华大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H03K17/0812 , H03K17/732
摘要： 本发明属于电力电子与信号测量技术领域，特别涉及一种提升发射极关断晶闸管浪涌能力的方法。所述方法包括：对电路中的电流信号进行采样；对采样数据进行计算；根据计算结果判断电涌是否超过承受能力；根据判断结果控制电路中各支路的流通情况，提升电路的浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN114726357A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532903.9
申请日：2022-05-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路4；驱动电源模块分别和关断电路以及开通电路4电性连接，实现驱动电源模块分别向关断电路以及开通电路4直接充电；关断电路与开通电路4电性连接，实现关断电路向开通电路4间接充电，从而可以实现关断电路以及开通电路4独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且在可关断晶闸管驱动电路的上电瞬态过程中对电路模块上电时序进行控制，实现在特殊应用场合下开通模块可先于关断模块上电，当开通模块完成上电时即可具备开通能力，可关断晶闸管器件即可解锁运行，极大缩短了器件上电期间闭锁的时间。
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公开(公告)号：CN111900136B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010712715.5
申请日：2020-07-22
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种具有分离式门极驱动的可关断晶闸管器件，包括：可关断晶闸管管壳及附属接口板、门极驱动板及连接结构；可关断晶闸管管壳与附属接口板之间采用低感集成式连接方式进行连接；门极驱动板包含驱动电路模块；通过所述连接结构将附属接口板及门极驱动板可拆卸连接，以实现可关断晶闸管管壳与门极驱动板之间的分离或组合。
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公开(公告)号：CN112858862B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110016867.6
申请日：2021-01-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种用于半导体电流密度分析的磁场反演电流计算方法，包括如下步骤：通过磁场测定装置测定被测半导体同平面近处指定同心圆位置的切向磁场，得到切向磁场测定集合；计算被测半导体同平面近处所述指定同心圆位置的叠加磁场，得到切向磁场计算集合；根据所述切向磁场测定集合与所述切向磁场计算集合构建适应值函数；基于所述适应值函数进行半导体电流的启发式搜索计算。解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
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公开(公告)号：CN112834894B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110017165.X
申请日：2021-01-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
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公开(公告)号：CN111524861B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010129802.8
申请日：2020-02-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L23/04 , H01L23/043 , H01L23/10 , G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。
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