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公开(公告)号：CN110212914B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910653701.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器，包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列，负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn，负阻模块的正端口连接电感L的上端，负阻模块的负端口接电感L的下端；负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极，负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极；PMOS晶体管Mp的源极接电源，NMOS晶体管Mn的源极接地；电感L与多阶桥接电容阵列并联；本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构，在原来频率分辨率的基础上，使得频率分辨率提高为原来的几百倍，从而获得更高精度的频率分辨率，同时具有较高的线性度、频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113746464A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108054194B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN109884873A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366965.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用动态阈值技术的时间数字转换器，适用于近阈值电源电压环境下，包括游尺延迟线TDC电路和编码器电路，其中游尺延迟线TDC电路判别START和STOP信号的时间差，并以二进制的形式输出相应的结果。由于采用较低的电源电压，晶体管的过驱动电压不足，电路工作的电流会减小，因此游尺延迟线TDC的工作时间将大幅度的延长。本发明采用动态阈值技术，将晶体管的衬底与栅端相连，这样衬底的电位会随着栅电压的变化而变化，晶体管的阈值电压会大幅度降低，源漏电流也会增加，也能最大程度地避免泄露电流的产生，提高了电路的速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108758189A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483582.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于成像辐射计的扫描平台，包括T字形支架；第一直线位移机构，第二直线位移机构，油泵，连通所述直线位移机构和一油箱；控制器，其连接所述直线位移机构和油泵；以及上位机，其与所述控制器通过串口进行通信，所述上位机上设置有显示装置；所述直线位移机构包括：驱动机构，第一导轨，第一滑块，其滑动设置在所述第一导轨内，第二导轨，其设置在所述第一导轨上端，第二滑块，其滑动设置在所述第二导轨内，第三滑块，其连接在所述第二滑块上端，测距模块，其中，油泵通过一电磁阀与所述第二导轨的内部端头空间连通，所述电磁阀上设置有一流量计。本发明解决了扫面平台上滑台移动距离不精确的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119944996A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510195600.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于双变压器的宽带射频能量收集电路及系统，属于无线射频能量收集技术领域；一种基于双变压器的宽带射频能量收集电路包括：阻抗匹配单元和射频整流器，阻抗匹配单元用于完成570MHz到4GHz的宽频段阻抗匹配，射频整流器能够将射频能量信号转换为直流信号，并对后级负载供电；阻抗匹配单元包括：变压器T1、电容C1、电容C2以及电容C3；其中，电容C1与射频天线、变压器T1的初级线圈L1并联，变压器T1次级线圈L2与电容C2、变压器T2初级线圈L3并联，变压器T2次级线圈L4与电容C3、射频整流器并联。其中的阻抗匹配单元既提高了射频整流器的能量收集效率，又节省了匹配电路的面积和成本。
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公开(公告)号：CN119030482A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411213282.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于射频微波通信技术领域，具体公开了一种超宽带差分结构分布式放大器，放大器增益单元包括：分割电容、射极跟随器、共射共基放大电路、尾电流源、发射极电阻。通过射极跟随器减小增益单元输入输出电容，提高传输线截止频率；分割电容用于降低输入传输线上的电容负载；输入偏置电路采用独立于传输线的形式；通过上述方法可以减小增益单元的寄生电容，进而有效拓宽分布式放大器的带宽并表现出更好的放大效果，测量频率更宽的信号。
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公开(公告)号：CN118658571B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN118214406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411936.7
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，针对双脉冲测试电路（8）中所包含的待测试SiC MOSFET U1，基于依次经驱动电压提供电路（1）、电流转换电路（2）提供驱动电流至电流推挽放大电路（3），并结合可控电流过冲抑制电路（4）检测产生可控的电流过冲抑制电流，以及电压过冲抑制电路（5）检测产生电压过冲抑制电流，由电流推挽放大电路（3）放大驱动电流，对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案实现可控的栅极电流控制，从而在待测试SiC MOSFET U1开关过程中，有序的开启和关断，更加有效的抑制电流电压过冲现象。
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公开(公告)号：CN117879604A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410149802.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，公开了基于线性运算的时间交织ADC采样时间适配矫正方法，其包括误差提取、斜率提取与误差运算。误差提取步骤用于提取当前ADC采样通道时刻与前、后通道采样时间的中心点的偏离程度。斜率提取步骤通过改变通道的延时，提取出对应于当前信号的偏离程度对时间的变化率。误差运算步骤利用提取的斜率和各通道的误差值，计算出各通道的补偿值。本发明的有益效果为：本发明利用斜率计算，切断了误差的传递，一次性得出所有通道的补偿值。在同样的时钟周期下，本算法能够更快且更精确的收敛到解。本发明尤其适用于超多通道、所需矫正量随时间变化较快的模数转换器上。
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