公开(公告)号：CN109280800A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811099250.X

申请日：2018-09-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 石乃恩 ,  杨瑞 ,  王涛 ,  韩敏

IPC: C22C5/04 ,  B22F9/24 ,  H01M4/92 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明揭示了一种系列PdxSny合金纳米晶的制备方法，包括以下步骤，将钯源分散在十八烯和油胺体积比为1:1的混合溶剂中，超声2-10 min，再进行机械搅拌20-40min，形成均匀的分散液；将形成的分散液中加入锡源液，超声2-10min，并形成均匀的混合液,钯源与锡源液的摩尔比为5-1:1；将所得到的混合液置入到升温装置中，并升温至200-250℃进行反应，反应时间20-40min，自然冷却至室温；将得到的产物在室温下经过分散、离心分离、洗涤，并重复多次以除去表面杂质；然后放入真空干燥器干燥并得到最终的PdxSny NCs产物。本发明工艺简单、可重复性强；另外，本发明通过调节乙酸钯与四丁基锡的摩尔比来调节产物量，同时通过过渡金属的加入降低了催化剂的成本，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN104993052B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510359744.7

申请日：2015-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  舒景坤 ,  解令海 ,  李雯 ,  胡波 ,  杨洁 ,  王涛 ,  黄维

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN105336860A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510756950.1

申请日：2015-11-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  黄维 ,  王涛 ,  解令海

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种柔性低电压有机场效应晶体管及其制备方法，在栅极和半导体层界面间增加三层聚合物做绝缘层，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高绝缘性聚合物、高介电常数材料的聚合物、高绝缘性聚合物、栅电极、柔性透明塑料衬底，这一结构的介电层既具有优异的绝缘性，同时也具有较好的稳定性。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌，可以判定本器件是一个柔性低电压有机场效应晶体管。本发明的优点是，该有机场效应晶体管能够在低电压下实现高迁移率、较大的开关比，并且在施加偏压及高温条件下也能维持较好性能，同时在不同的弯曲方式下也具备较好的稳定性质。

公开(公告)号：CN105049499A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510376844.0

申请日：2015-07-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱洪波 ,  王涛 ,  朱晓荣

IPC: H04L29/08 ,  G06F9/455

CPC classification number: Y02D10/26 ,  Y02D10/28 ,  H04L67/1074 ,  G06F9/45558

Abstract: 一种基于多立方体映射的网络功能虚拟化资源分配方法，以多立方体模型对资源进行抽象，以数学向量理论为主要研究工具，以虚拟机映射为主线，考虑服务器能耗，以最少服务器使用量为研究目标，旨在提高网络功能虚拟化中资源利用率。该发明将资源量用CPU、Memory、IO三个维度的向量表征，采用多立方体资源模型，根据虚拟机资源请求向量和服务器剩余资源向量，首先采用最佳适配方法选择目标服务器集，进而以最小资源利用不均衡度为准则选择最佳服务器，最后对虚拟机进行迁移，关闭低负载服务器，以降低能耗。