一种窄带隙钙钛矿薄膜及其高效钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN118555889A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202310162401.6

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明涉及了窄带隙钙钛矿薄膜及其高效钙钛矿太阳能电池的制备方法,涉及窄带隙光伏器件领域。钙钛矿层结合了离子添加剂MAAc,发展基于两步顺序沉积的绿色环保制备方案,改善了钙钛矿在制备过程中成核不均匀、结晶速率过快的情况,避免薄膜中出现严重的缺陷复合,同时采用双电子传输层钝化钙钛矿表面的缺陷,通过优化其厚度不影响有机光电器件性能,本发明中的器件制备方法,提高了器件的光电转换效率。通过此方法制备的窄带隙钙钛矿太阳能电池操作简单,光电转换效率高,重复性高,避免了反溶剂的参与对人体安全以及环境问题造成严重的影响。通过本发明提供的窄带隙钙钛矿制备方法所获得的绿色环保制备方法有望在有机光电领域获得广泛应用。

    一种丝网印刷法制备全无机钙钛矿薄膜及其太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN118198179A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211619187.4

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种在大气环境中制备全无机CsPbI3‑xBrx钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法,属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3‑xBrx薄膜的制备采用丝网印刷技术将以离子液体醋酸甲胺MAAc作为溶剂的前驱体溶液印刷在已沉积有SnO2电子传输层的FTO导电基板上,经处理形成均匀致密的钙钛矿薄膜,整个过程在大气环境中完成。随后在薄膜上旋涂Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的全无机CsPbI3‑xBrx钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效果。

    一种CeVO4空心立方结构的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115672305B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202211115304.3

    申请日:2022-09-14

    Inventor: 李平 周勇 陈永华

    Abstract: 一种CeVO4空心立方结构的制备方法及应用,1)将CeCl3·7H2O与NH4VO3分散于4倍以上重量的饱和NaCl溶液中,再加入8倍以上重量的乙醇,得到混合溶液;CeCl3·7H2O与NH4VO3的摩尔比为1:0.75‑1.5;2)将步骤1)所得混合溶液搅拌0.3‑1小时,转移至不锈钢内衬特氟龙高压反应釜中,150‑180℃加热24±8小时;3)反应完成后,样品自然冷却至室温,将底部沉淀物离心并分别用乙醇和去离子水洗涤2‑5次,其后在冷冻干燥机中干燥24±8小时,最终获得深褐色CeVO4样品。将CeVO4空心立方结构应用于光催化二氧化碳还原反应。该方法成本低廉,制备简单并且可大规模生产。(56)对比文件Jinjin Ding et al..《CrystEngComm》Controlled synthesis of CeVO4hierarchical hollow microspheres withtunable hollowness and their efficientphotocatalytic activity.2018,第20卷第4499–4505页.

    一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用

    公开(公告)号:CN117042588A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310993916.0

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的负微分电阻器件从下至上依次包括玻璃基底、底电极、钙钛矿活性层CH3NH3PbI3薄膜、氧化物界面层和顶电极。本发明的器件制备方法如下:在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbI3薄膜层,在所述CH3NH3PbI3薄膜层表面蒸镀氧化物界面层,最后在界面层上蒸镀金属Au。该器件的峰谷电流比高,通过控制起始扫描电压大小,可以实现室温下峰谷电流比可调节的负微分电阻效应。本发明采用的原料易得,所涉及的器件结构设计与制备工艺流程简单,器件性能测试方法易于调控,可在新型电子器件中获得应用。

    一种AgBiS2电池器件的制备方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN117042557A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311031844.8

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明实施例公开了一种AgBiS2电池器件的制备方法,包括:配置AgBiS2前驱体溶液,搅拌反应2‑6h直至完全溶解;清洗导电玻璃基板,将电子传输材料旋涂在导电玻璃基板上,并将溶解后的AgBiS2前驱体溶液旋涂在导电玻璃基板的电子传输层上,进行100℃退火至少10min后再进行200℃退火至少10min,得到致密、均一的AgBiS2活性层;在AgBiS2活性层上旋涂空穴传输层材料得到空穴传输层,并在空穴传输层上蒸镀修饰层和金属电极。该方法操作简单、便捷。相比于传统的方法,可以解决基于前驱体溶液制备太阳能电池时溶剂单一的问题。此外,原料价格低廉,可以实现大规模应用。利用AgBiS2薄膜制备得到的太阳能电池为正置平面异质结AgBiS2太阳能电池,具有较高的稳定性,有助于AgBiS2太阳能电池的商业化应用。

    一种丝网印刷制备柔性钙钛矿太阳能电池基底的方法及柔性钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN119343017A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202310893032.8

    申请日:2023-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种丝网印刷制备柔性钙钛矿太阳能电池基底的方法及柔性钙钛矿太阳能电池。柔性基底的制备方法包括:提供高分子聚合物前驱体溶液;将耐高温丝网网板置于玻璃基底上方,将所述高分子聚合物前驱体溶液转移到耐高温丝网网板的一端,通过刮刀对丝网网板上的前驱体溶液施加压力,同时朝丝网网板另一端移动,前驱体溶液被刮刀从网孔中挤压到玻璃基底上,形成高分子聚合物湿膜,然后将高分子聚合物湿膜进行退火处理,得到柔性基底。本发明通过丝网印刷制备的柔性钙钛矿太阳能电池基底具有极少的缺陷,使得基底上方的各层均能够产生更少的非辐射复合中心,从而显著提高器件的光电转化效率。

    一种FAPbI3钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119156025A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202310708165.3

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种FAPbI3钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用。该FAPbI3钙钛矿太阳能电池的制备方法包括:提供导电基底;在导电基底上制备电子传输层;在电子传输层上制备钙钛矿层,钙钛矿层包括碘化铅、碘化甲脒和甲基丙烯酸羟乙酯;在钙钛矿层上制备界面层;在界面层上制备空穴传输层;在空穴传输层上依次真空蒸镀金属插层和金属电极,得到FAPbI3钙钛矿太阳能电池。本发明通过在钙钛矿层中引入晶界粘合剂甲基丙烯酸羟乙酯,甲基丙烯酸羟乙酯能在钙钛矿薄膜的退火过程中固化,分布在钙钛矿晶界处,起到粘合晶界的作用,减少钙钛矿薄膜的晶界缺陷,促进钙钛矿层的载流子迁移率、结晶度,从而提高器件的光电转化效率。

    一种甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液的合成方法、电池器件及太阳能电池

    公开(公告)号:CN117049983A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311027725.5

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明实施例公开了一种甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液的合成方法、电池器件及太阳能电池,包括:将有机酸钠盐和甲脒盐酸盐分别加入乙醇中,搅拌溶解,得到甲脒盐酸盐溶液和烷基酸钠溶液;将甲脒盐酸盐溶液逐滴加入烷基酸钠溶液中,在25‑60℃的条件下对混合液进行搅拌,反应24‑36h;对反应后的混合液进行过滤,取滤液,并将得到的一级滤液旋蒸除去乙醇溶剂,用有机溶剂震荡洗涤25‑35min;对洗涤后的溶液进行二次过滤,取滤液,并将得到的二级滤液旋蒸除去有机溶剂,得到有机酸甲脒离子液体;将碘化铅、甲脒氢碘酸盐溶于有机酸甲脒离子液体中,在40‑80℃下反应至少5h得到甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液。该方法解决了FAPb I 3钙钛矿在湿度环境下相稳定性差的问题。

    一种空气中两步刮涂制备FAPbI3钙钛矿薄膜的方法及应用

    公开(公告)号:CN116997227A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202210456116.0

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种空气中两步刮涂制备FAPbI3钙钛矿薄膜的方法,利用离子液体甲酸甲胺作为碘化铅的溶剂在适当温度下可以刮涂制备出均匀多孔的碘化铅薄膜,有利于第二步刮涂中碘甲脒的渗透反应,同时,第二步刮涂时刮刀施加的适当压力也有助于碘甲脒的渗透和反应,通过此方法,能取得稳定的α相FAPbI3钙钛矿,且整个制备过程在空气中和同一台设备上进行,可以简单快捷地完成高质量FAPbI3钙钛矿薄膜的制备,同时,此方法可以用于制备大面积钙钛矿薄膜,有较高的产业化前景,最终,制得的器件光电转化效率可达到22.3%,该效率在空气中刮涂制备FAPbI3钙钛矿光伏器件中处于领先地位。

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