一种平面固态超级电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN103413694A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310311940.8

    申请日:2013-07-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种平面固态超级电容器的制备方法,在标准硅晶圆上使用半导体器件制造工艺中标准的化学气相沉积法、物理气相沉积法、沟槽刻蚀法、化学机械抛光法、基于硅通孔三维法等方法,制造以SiO2、Al2O3、HfO2或Ba(Sr)TiO3中的一种或几种组成的组合物为核心、与标准半导体器件相兼容的平面固态超级电容器,具有低成本、节能环保、适合大规模制造的优点。

    铱配合物及其制备方法
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105669768A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610126162.9

    申请日:2016-03-04

    CPC classification number: C07F15/0033 C09K11/06 C09K2211/185

    Abstract: 本发明涉及一类具有新型配位方式的以含氮杂环磷酸为辅助配体的铱配合物,该系列铱配合物含有两个苯连吡啶衍生物作为主配体,以及含有氮杂环磷酸结构的辅助主配体。相比于已经被广泛研究报道的铱配合物,该发明涵盖的这类新型铱配合物不仅具有发光效率高、化学性质稳定、易升华提纯等优点以外,且由于强电子磷酸配位结构的引入,能够有效调控配合物的发光颜色。通过修饰主配体以及辅助配体的分子结构,能够在蓝光波长范围内调节配合物的发光位置,这为有机电致发光显示器以及照明光源的设计生产提供了便利。同时,本发明介绍的一系列新型铱配合物的合成方法简单,产率较高,针对主配体和辅助配体的化学修饰灵活。

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