公开(公告)号：CN103700621A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310734714.0

申请日：2013-12-27

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 丹尼尔·吉多蒂 ,  靖向萌 ,  张名川

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802

摘要： 本发明公开了一种高密度和深宽比垂直玻璃通孔的刻蚀方法，以及包含上述刻蚀方法在内的一种刻蚀石英玻璃的系统。通过在玻璃晶圆工件沉积一层适当厚度的掩膜，然后进行反应离子刻蚀在整个工件区域的掩膜上开出一组通孔，随后沉积一层钝化层，因为玻璃的刻蚀速率远大于对掩膜的刻蚀速率，就能保证玻璃通孔的垂直度。刻蚀熔融石英玻璃的系统除包括反应腔，射频激励，气体交换系统阀门，反应腔真空控制阀门之外，还包含一个加热装置。加热装置位于反应腔内，通过其内置的加热部件和冷却部件，以及一个可以打开或折叠的小支架实现玻璃工件与加热装置的离合，使得玻璃工件可以在短时间内快速升温和降温。

公开(公告)号：CN103441093A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310401208.X

申请日：2013-09-05

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 靖向萌 ,  姜峰 ,  于大全

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在所述载片晶圆的上表面开有凹槽，在所述凹槽底部设有一衬底载片，所述衬底载片的形状和凹槽的形状相匹配，并且衬底载片的厚度小于凹槽的深度；在衬底载片上表面涂覆有一层缓冲胶，所述缓冲胶经过固化；在固化后的缓冲胶的上表面和凹槽四周的载片晶圆的上表面涂覆有临时键合胶，所述缓冲胶与临时键合胶粘性相斥；器件晶圆通过临时键合胶与凹槽四周的载片晶圆的上表面键合。本发明亦提供了上述载片结构的制作方法。本发明能够实现低成本的临时键合工艺，并且能够显著降低器件晶圆碎片的风险。