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公开(公告)号：CN115361030B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211289960.5
申请日：2022-10-21
Applicant: 华南理工大学 , 浙江乾冠信息安全研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增益可调的发射机，涉及5G通信领域，针对现有技术中依赖于功放的问题提出本方案。将工作状态分为增益或衰减两种，增益工作通过多个混频器单元并联实现，衰减通过R2R电阻衰减网络实现。再结合输入电流可调的电压电流转换模块，可以完全不再依赖与功率放大器即可实现至少74dB的增益变化，其中36dB增益变化来自64个混频器单元和48dB衰减变化来自R2R电阻衰减网络。使得功耗和输出功率相适配，灵活适用于各种发射场景。
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公开(公告)号：CN112702062B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011578856.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种有效降低功耗的多位模数转换器，涉及半导体集成电路，针对现有技术中的转换器依赖电阻而造成功耗大延时大的问题提出本方案。温度计码生成模块利用不同尺寸的MOS管调节对应反相器阈值电压，将输入的模拟信号转换成温度计码并输入至反码生成模块；反码生成模块用于根据输入的温度计码对代码转换电路分别输出相同的温度计码及其反码；代码转换电路根据输入的温度计码及其反码转换成若干位的二进制码对外输出。优点在于，模拟信号到温度计码的转换不依赖于电阻完成，所有功能电路均没有静态功耗，因此可以实现更低的功耗以及更低的信号延迟。
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公开(公告)号：CN115481570A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211158986.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/27 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于残差网络的DTCO建模方法，属于芯片研发中工艺设计协同优化的技术领域，该方法所建半导体模型可以更快速地表征半导体器件，具有模型精度高、鲁棒性好的特点；包括如下步骤：S1获取神经网络替代模型的器件模型数据集数据，将器件模型数据集数据分割为初始训练集数据和初始测试集数据；S2对S1获得的初始训练集数据和初始测试集数据进行预处理得到预处理训练集和预处理测试集；S3创建神经网络替代模型，对神经网络替代模型中的隐藏层进行残差块堆叠结构处理；S4将S2获得的预处理训练集和预处理测试集放入残差网络结构进行参数的训练，得到器件神经网络替代模型。
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公开(公告)号：CN113992171B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111257332.4
申请日：2021-10-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州润芯信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种接收机，涉及通信技术领域，解决现有接收机自动增益控制动态范围较小、收敛速度较慢和精度较差的技术问题，接收机中低噪声放大器依次连接下变频器、第一可编程增益放大器、第二可编程增益放大器、模数转换器，第一自动增益控制算法单元分别连接低噪声放大器的控制端、第一可编程增益放大器的控制端，下变频器的输出端通过模拟信号峰值检测电路连接第一自动增益控制算法单元，模数转换器的输出端依次通过数字功率检测单元、第二自动增益控制算法单元连接第二可编程增益放大器的控制端，第一自动增益控制算法单元与第二自动增益控制算法单元相互连接。本发明还公开了一种接收机自动增益控制方法。
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公开(公告)号：CN114337628B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210227837.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K17/567 , H03K7/08 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高压集成电路，属于半导体技术领域，第一单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第一单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接；移位寄存器的清零管脚与MCU处理器的清零信号输出端电连接，移位寄存器的时钟管脚与MCU处理器的PWM输出端电连接；移位寄存器的输出端与第二单脉冲GEN的输入端电连接，第二单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第二单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接。还公开了一种高压集成电路的控制方法。所述高压集成电路及其控制方法解决了RS触发器产生的控制信号不准确的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113515912B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110461173.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明公开了一种基于物理建模仿真的GaN HEMT噪声改善方法，涉及集成电路器件的仿真技术。针对现有技术中噪声改善不理想的问题提出本方案，将仿真结果与实测结果进行拟合后，在保持仿真过程中直流特性改变不超过限定范围的条件下循环调整仿真GaN HEMT的势垒层结构来改善噪声特性，直至获得目标噪声性能为止。优点在于，通过对GaN HEMT结构进行物理建模和网格划分处理和噪声特性优化，可以改善GaN HEMT的噪声性能，提高噪声建模的准确性和可靠性，提高GaN HEMT的资用功率增益，更适合应用于研制高频、宽带、高动态低噪声GaN HEMT。
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公开(公告)号：CN114123773A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103670.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/155 , H02M3/158 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种单电感双输出DC‑DC降压器的设计方法，涉及电子技术，解决了目前的降压器设计方案多仅存在于理论阶段，或根据理论设计出来的降压器难以符合设计要求的技术问题。根据功率级拓扑电路原理，在仿真软件中构建降压器的功率级拓扑模型；根据反馈控制电路原理，在仿真软件中构建降压器的信号控制模型；对所述功率级拓扑模型以及信号控制模型进行仿真验证，以获取降压器电路的性能参数。本发明还公开了一种单电感双输出DC‑DC降压器。本发明实现了将理论转化为具体模型，仿真测试后能使得控制回路补偿后的闭环响应更加稳定，使设计模型符合设计要求。
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公开(公告)号：CN113938143A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111197951.9
申请日：2021-10-14
Applicant: 华南理工大学 , 广州润芯信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发射机的增益补偿方法，涉及电子技术，解决了目前针对发射机的增益补偿方法精度较差的技术问题。对发射机的增益温升特征进行分析，获取可编程增益补偿参数At；将所述可编程增益补偿参数At与中频增益控制参数Aif相结合后，对中频增益GIF进行补偿。本发明还公开了一种发射机。本发明实现方案简单，可以获得更精确的发射机温度增益补偿。
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公开(公告)号：CN109546974B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811364721.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种多通道电流复用斩波放大器，包括多个放大器单元；所述放大器单元包括依次连接的差分输入端、第一斩波开关、输入级放大电路、第二斩波开关和输出级放大电路，以及用于将输出级放大电路的信号反馈至输入级放大电路的反馈环路，该反馈环路包括反馈斩波开关和反馈电容；在第一斩波开关和输入级放大电路之间设有输入电容；在输入级放大电路和第二斩波开关之间设有隔离电容，所述输出级放大电路的输入端设有偏置电阻；相邻的两个放大器单元的输入级放大电路堆叠连接且所有放大器单元复用一个电流源。本发明的输入级放大电路共用一个电流源，其简化了电路的复杂度并减少了集成电路的面积和功耗。本发明可以广泛应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN111917397B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010560668.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型晶体管的触发器电路及芯片，其中触发器电路包括三个动态单元；第一个动态单元的第一晶体管的源极作为一个动态单元的第一输出端；第二个动态单元的第二晶体管的栅极连接至第一输出端，第二晶体管的漏极作为第二个动态单元的第二输出端；第三个动态单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第一反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接，第一反相器的输入端与第五晶体管的栅极连接，第四晶体管的漏极与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端作为触发器电路的输出端。本发明的触发器电路与传统的电路相比，器件数目更少，且不需要双电源，降低了电路复杂度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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