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公开(公告)号：CN115481570A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211158986.6
申请日：2022-09-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/27 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于残差网络的DTCO建模方法，属于芯片研发中工艺设计协同优化的技术领域，该方法所建半导体模型可以更快速地表征半导体器件，具有模型精度高、鲁棒性好的特点；包括如下步骤：S1获取神经网络替代模型的器件模型数据集数据，将器件模型数据集数据分割为初始训练集数据和初始测试集数据；S2对S1获得的初始训练集数据和初始测试集数据进行预处理得到预处理训练集和预处理测试集；S3创建神经网络替代模型，对神经网络替代模型中的隐藏层进行残差块堆叠结构处理；S4将S2获得的预处理训练集和预处理测试集放入残差网络结构进行参数的训练，得到器件神经网络替代模型。
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公开(公告)号：CN113992171B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111257332.4
申请日：2021-10-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州润芯信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种接收机，涉及通信技术领域，解决现有接收机自动增益控制动态范围较小、收敛速度较慢和精度较差的技术问题，接收机中低噪声放大器依次连接下变频器、第一可编程增益放大器、第二可编程增益放大器、模数转换器，第一自动增益控制算法单元分别连接低噪声放大器的控制端、第一可编程增益放大器的控制端，下变频器的输出端通过模拟信号峰值检测电路连接第一自动增益控制算法单元，模数转换器的输出端依次通过数字功率检测单元、第二自动增益控制算法单元连接第二可编程增益放大器的控制端，第一自动增益控制算法单元与第二自动增益控制算法单元相互连接。本发明还公开了一种接收机自动增益控制方法。
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公开(公告)号：CN114337628B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210227837.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K17/567 , H03K7/08 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高压集成电路，属于半导体技术领域，第一单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第一单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接；移位寄存器的清零管脚与MCU处理器的清零信号输出端电连接，移位寄存器的时钟管脚与MCU处理器的PWM输出端电连接；移位寄存器的输出端与第二单脉冲GEN的输入端电连接，第二单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第二单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接。还公开了一种高压集成电路的控制方法。所述高压集成电路及其控制方法解决了RS触发器产生的控制信号不准确的问题。
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公开(公告)号：CN113515912B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110461173.3
申请日：2021-04-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明公开了一种基于物理建模仿真的GaN HEMT噪声改善方法，涉及集成电路器件的仿真技术。针对现有技术中噪声改善不理想的问题提出本方案，将仿真结果与实测结果进行拟合后，在保持仿真过程中直流特性改变不超过限定范围的条件下循环调整仿真GaN HEMT的势垒层结构来改善噪声特性，直至获得目标噪声性能为止。优点在于，通过对GaN HEMT结构进行物理建模和网格划分处理和噪声特性优化，可以改善GaN HEMT的噪声性能，提高噪声建模的准确性和可靠性，提高GaN HEMT的资用功率增益，更适合应用于研制高频、宽带、高动态低噪声GaN HEMT。
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公开(公告)号：CN114123773A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103670.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/155 , H02M3/158 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种单电感双输出DC‑DC降压器的设计方法，涉及电子技术，解决了目前的降压器设计方案多仅存在于理论阶段，或根据理论设计出来的降压器难以符合设计要求的技术问题。根据功率级拓扑电路原理，在仿真软件中构建降压器的功率级拓扑模型；根据反馈控制电路原理，在仿真软件中构建降压器的信号控制模型；对所述功率级拓扑模型以及信号控制模型进行仿真验证，以获取降压器电路的性能参数。本发明还公开了一种单电感双输出DC‑DC降压器。本发明实现了将理论转化为具体模型，仿真测试后能使得控制回路补偿后的闭环响应更加稳定，使设计模型符合设计要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113938143A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111197951.9
申请日：2021-10-14
Applicant: 华南理工大学 , 广州润芯信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发射机的增益补偿方法，涉及电子技术，解决了目前针对发射机的增益补偿方法精度较差的技术问题。对发射机的增益温升特征进行分析，获取可编程增益补偿参数At；将所述可编程增益补偿参数At与中频增益控制参数Aif相结合后，对中频增益GIF进行补偿。本发明还公开了一种发射机。本发明实现方案简单，可以获得更精确的发射机温度增益补偿。
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公开(公告)号：CN109546974B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811364721.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种多通道电流复用斩波放大器，包括多个放大器单元；所述放大器单元包括依次连接的差分输入端、第一斩波开关、输入级放大电路、第二斩波开关和输出级放大电路，以及用于将输出级放大电路的信号反馈至输入级放大电路的反馈环路，该反馈环路包括反馈斩波开关和反馈电容；在第一斩波开关和输入级放大电路之间设有输入电容；在输入级放大电路和第二斩波开关之间设有隔离电容，所述输出级放大电路的输入端设有偏置电阻；相邻的两个放大器单元的输入级放大电路堆叠连接且所有放大器单元复用一个电流源。本发明的输入级放大电路共用一个电流源，其简化了电路的复杂度并减少了集成电路的面积和功耗。本发明可以广泛应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN111917397B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010560668.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型晶体管的触发器电路及芯片，其中触发器电路包括三个动态单元；第一个动态单元的第一晶体管的源极作为一个动态单元的第一输出端；第二个动态单元的第二晶体管的栅极连接至第一输出端，第二晶体管的漏极作为第二个动态单元的第二输出端；第三个动态单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第一反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接，第一反相器的输入端与第五晶体管的栅极连接，第四晶体管的漏极与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端作为触发器电路的输出端。本发明的触发器电路与传统的电路相比，器件数目更少，且不需要双电源，降低了电路复杂度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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公开(公告)号：CN112104354B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010786764.3
申请日：2020-08-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片，其中电压频率转换器电路包括：积分器，积分器包括放大器、电阻和电容，电容的一端连接在放大器的反相输入端，电容的另一端连接在放大器的输出端，电阻的一端与放大器的反相输入端连接；施密特触发器，放大器的输出端与施密特触发器的输入端连接；电子开关，施密特触发器的输出端与电子开关的控制端连接，电子开关的第一端与电容的一端连接，电子开关的第二端与电容的另一端连接。本发明通过施密特触发器的数字输出按周期启动和复位积分器，从而产生振荡，震荡频率与输入电压高度线性相关，极大地提高分辨率，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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公开(公告)号：CN113098404A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110364637.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提出了一种高增益超宽带低噪声放大器，包括第一级共源放大单元M1、第二级共源放大单元M2和第三级共源共栅放大单元M3和M4，其中第一级共源放大单元M1设有输入匹配电路，第一级共源放大单元M1和第二级共源放大单元之间设有第一级间匹配电路，第二级共源放大单元M2与第三级共源共栅放大单元之间设有第二级间匹配电路，第三级共源共栅放大电路设有输出匹配电路，每一级放大单元均设有负载；通过本发明设计的输入输出匹配电路、级间匹配电路，提高了低噪声放大器的带宽，同时保证低噪声放大器具有足够高的增益和增益平坦度。
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