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公开(公告)号：CN109346242A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
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公开(公告)号：CN109243992A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810834600.6
申请日：2018-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明属于薄膜器件分析领域，公开了一种检测溶液法绝缘层TFT质量的方法。将溶液法绝缘层TFT样品放置于μ-PCD仪器中，测试样品的载流子强度以及光电导衰减情况，从而得出溶液法绝缘层的均匀性及TFT器件质量；所述溶液法绝缘层TFT包括依次层叠的玻璃片、溶液法绝缘薄膜和半导体有源层薄膜，所述半导体有源层薄膜完全覆盖绝缘薄膜。本发明以简单的样品结构和测试方法，解决了溶液法加工绝缘薄膜均匀性测试的问题，同时为溶液法绝缘薄膜对半导体的影响提供了一定的参考价值，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN109130493A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810938139.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: B41J2/01 , C09D11/033 , C09D11/03
CPC classification number: B41J2/01 , C09D11/03 , C09D11/033
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，涉及氧化物薄膜的喷墨打印制备工艺，具体涉及一种改善喷墨打印墨水沉积均匀性的方法。所述方法包括以下步骤：打印机基板保持50～60℃，墨滴速度10m/s，喷头不升温，墨滴间距取30～40μm，在衬底上进行多喷头喷墨打印，喷头数量为3～4个；打印结束后退火1h；喷墨打印中使用的墨水溶剂为以体积比1/2～2/1混合的乙二醇与乙二醇甲醚，墨水中还含有相当于所述溶剂质量3～5％的聚乙烯吡咯烷酮，以及浓度为0.1～1.0M的八水合氯氧化锆。相比传统的凝胶模板法，本发明通过对打印机参数的简单改进，解决了非牛顿流体墨水在快干打印工艺中的沉积不均问题。
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公开(公告)号：CN108735821A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr-IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr-IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108493237A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810353578.3
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447790A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810314156.5
申请日：2018-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/445 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法。将Zr(NO3)4·5H2O溶于乙二醇单甲醚中，搅拌老化得到前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂所得前驱体溶液，然后在200℃退火处理1～2h，得到氧化锆绝缘层薄膜；然后通过磁控溅射镀IGZO，在200℃下退火处理1h，得到有源层；在有源层上通过磁控溅射源/漏电极，得到基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管。本发明通过Zr(NO3)4·5H2O得到含硝酸基ZrO2绝缘层的前驱体溶液，从而降低溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜所需的退火温度，结合溅射工艺得到的有源层，从而可以在较低温度下制备氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108231907A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810072557.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。本发明的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。
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公开(公告)号：CN108231905A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711323516.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法。在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极并图形化，然后通过阳极氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层，再采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积非晶氧化物半导体薄膜作为有源层，将所得的器件在能量密度范围为40～70mJ/cm2的266nm全固态激光条件下进行照射，最后利用掩膜法在非晶氧化物半导体薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明的TFT器件利用266nm波长的全固态激光器快速处理，无需长时间热退火处理获得器件性能，有效地节约生产成本。
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公开(公告)号：CN108016135A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711269019.6
申请日：2017-12-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种点状图形喷墨打印系统及喷墨打印方法。该系统包括打印基底、喷嘴装置以及转轴，所述的喷嘴装置设在打印基底上方，所述的喷嘴装置包括墨水打印喷嘴、溶剂打印喷嘴和打印喷嘴移动组件，所述的墨水打印喷嘴和溶剂打印喷嘴装载在打印喷嘴移动组件上，所述的转轴与打印喷嘴移动组件连接。本发明依据蒸发微环境控制形貌的机制，通过同时打印墨水和溶剂图形，最终溶剂蒸发，只留下墨水打印图形，利用溶剂蒸发去影响墨水蒸发，最终能达到形貌控制的目的，解决喷墨打印点状图形遇到的“咖啡环”问题，满足不同墨水均匀形貌的打印需求。
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公开(公告)号：CN107805787A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710785172.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。
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