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公开(公告)号：CN104609850B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510032492.7
申请日：2015-01-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该基板材料由5ZnO·2B2O3粉料和Pb1.5Nb2O6.5粉料混合烧结而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5的摩尔百分比含量为4.5～7.0mol％，基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr＝7.7～8.6，品质因数Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf＝‑14～+21ppm/℃，满足电路对基板材料的微波介电性能要求，满足与银共烧的烧结温度要求和化学兼容性要求，能很好地实现与银电极的低温共烧，且原料价格低廉，工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN105304159A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410326754.6
申请日：2014-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用。该浆料包括Ni-ZnO复合粉体和有机粘合剂，其中，Ni-ZnO复合粉体的质量百分比为70～80％，有机粘合剂的质量百分比为20～30％；Ni-ZnO复合粉体为ZnO包裹的Ni粉。该方法包括如下步骤：制备Ni-ZnO复合粉体；将质量百分比为70～80％的Ni-ZnO复合粉体和质量百分比为20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得到导电浆料。本发明以Ni-ZnO复合粉体为导电相，采用溶液法合成Ni-ZnO复合粉体，提高了内电极的抗氧化性能，改善了电极与陶瓷的共烧匹配性，且工艺简单，成本低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104658727A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310594610.4
申请日：2013-11-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/112
CPC classification number: H01C7/1006 , H01C7/112 , H01C7/18 , H01C17/06546 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。
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公开(公告)号：CN102896007B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210381369.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN103288438B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310200524.0
申请日：2013-05-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/453 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2，烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为：先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合，其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3％～12％，即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。该材料体系的优选烧结温度为840～880℃，优选烧结温度范围内的微波介电性能为：介电常数εr＝7～8.1；Q×f＝11000～22600GHz，且能与Ag共烧，满足低温共烧陶瓷基板材料的性能要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102946236A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210405161.X
申请日：2012-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。
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公开(公告)号：CN115754839A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211474696.2
申请日：2022-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种基于声波驱动铁磁共振作用的矢量磁传感器，包括处理部件和两组叉指换能部件，每组叉指换能部件均包括输入叉指换能器和输出叉指换能器，每组叉指换能部件中的输入和输出叉指换能器之间均设有一定的空间距离形成延迟线结构，两个延迟线结构交叉相同且呈45°夹角设置，且两个延迟线结构的空间距离内生长有由铁磁材料制成的磁性薄膜，两个延迟线结构所传感的外磁场方向均与该延迟线结构中声波传播方向呈﹣45°。处理部件则通过对两组叉指换能部件中的输入输出叉指换能器的电信号进行采集分析，得到各延迟线结构分别所测量到的磁场大小，然后利用矢量合成得到外磁场的大小和方向。本发明可对外界磁场的方向和大小进行同时探测。
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公开(公告)号：CN115678335A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211411551.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09D5/32 , C09D133/04
Abstract: 本发明属于表面工程(涂层)技术领域，提供了一种红外吸收复合涂层及其制备方法，该复合涂层包括预涂层和吸收层，所述预涂层包括粘结剂，所述吸收层包括吸光材料和硬化剂；所述红外吸收复合涂层制备过程中，依次将预涂层和吸收层设置在基底上，在不改变外界条件的情况下，所述粘结剂和所述硬化剂通过接触就能够发生化学反应，使得所述红外吸收复合涂层牢固附着于所述基底上，并且能够吸收红外光。本发明提供的双层结构的红外吸收涂层，由于预涂层与吸收层之间良好的化学粘结效果，涂层可以附着于各种基材表面，且在超低温冲击环境下更加持久耐用，使得红外吸收材料能长期稳定地附着在基底表面，给消除红外探测器中杂散光提供了有效的保障。
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公开(公告)号：CN112362199B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011194609.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于压力传感器领域，更具体地，涉及一种介质插入型电容式压力传感器及其制备方法。该介质插入型电容式压力传感器包括基体、支撑层和感压层，基体包括衬底和梳状电极，感压层包括弹性薄膜和位于该弹性薄膜下方与之相连接的感压阵列，感压阵列的阵列单元正好位于梳状电极梳齿间隙的正上方，而弹性薄膜、衬底以及支撑层围成一个封闭的真空腔结构，使得弹性薄膜在压力作用下，带动感压阵列向下移动，而梳状电极的位置固定不变，从而使感压阵列插入到梳齿电极平行板电容的两极板之间，改变电极板间电介质的相对介电常数，进而引起电容的改变，再通过检测电容即可测得压力的大小。该电容式压力传感器可以在增加线性度的同时，提高其灵敏度。
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公开(公告)号：CN114674485A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210156339.5
申请日：2022-02-21
Applicant: 华中科技大学 , 孝感华工高理电子有限公司
Abstract: 本发明涉及压力传感器技术领域，提供了一种小量程MEMS电容式压力传感器的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上淀积下电极层，并将所述下电极层刻蚀形成单个阵列的下电极；S2，在所述下电极上淀积介质层，所述介质层作为所述下电极的保护层；S3，于所述介质层上淀积牺牲层；S4，接着经光刻、刻蚀形成下电极引出孔；S5，继续沉积上电极，并在其表面形成牺牲层释放孔；S6，对所述牺牲层进行释放；S7，将所述牺牲层释放孔进行密封，从而形成密封腔体。还提供一种小量程MEMS电容式压力传感器，由上述的制备方法制得。本发明由于工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其使用淀积Al/Ti侧面释放孔所形成的腔体结构密封性能优异。
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