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公开(公告)号：CN101710642A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910273244.6
申请日：2009-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层辐射单元位于第一层辐射单元上方，并通过金属过孔连接；令低温共烧陶瓷基板的宽度方向为x方向，长度方向为y方向，第一层辐射单元的y方向各个间隙中均增加调谐枝节，第二层辐射单元的电长度小于第一层辐射单元的电长度，第二层辐射单元的y方向曲折线间距大于第一层辐射单元的y方向曲折线间距。该天线可以有效地满足手机等移动终端多频带的需求，并有效地降低天线剖面，提高天线的稳定性。
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公开(公告)号：CN101585709A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910062797.7
申请日：2009-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/468
Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO 3 粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO 3 ) 2 溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。
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公开(公告)号：CN100516319C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN101290817A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810047908.2
申请日：2008-06-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料，该浆料的组成包括重量百分比为50－70％的镍粉，1－5％的抗氧化保护剂，5－15％的无机粘结剂，15－30％的有机载体。将它们混合搅匀后研磨至粒度小于15μm、粘度65－75Pa·s，得到无铅镍导体浆料产品。其中，镍粉选用平均粒径为0.1－2.0μm的球形镍粉，抗氧化保护剂选用B、Cr、Y中的一种或几种，均为平均粒径小于1μm的球形微粉，无机粘结剂为无铅玻璃粉。本发明浆料产品具有良好的耐高温抗氧化性能，适于在大气条件下烧结，抗氧化温度在800－900℃间系列可调。其制备工艺简单，生产成本低廉，节约能源且利于环保。
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公开(公告)号：CN101260563A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101260562A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8－15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15－45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0－1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1－5℃/h的速度缓慢降温到450－460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN100341078C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03128233.4
申请日：2003-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明公开了一种BaTiO3基叠层片式PTC热敏电阻器的制备工艺，依次包括：①采用轧膜成型工艺制备片式PTC膜坯；②溅射内电极；③共烧；④形成端头电极。该工艺具有以下优点：采用轧膜成型方法制备片式PTC膜坯，以水作为溶剂，因而环境污染小，劳动强度低，易于操作且成本低廉。轧膜成型制得的坯片具有一定的均匀度、致密度和光洁度，且膜坯的柔韧性较好，具有良好的工艺性能。采用热压烧结法，在烧结过程中易于形成良好的欧姆接触。采用先将坯体和内电极在还原气氛中共烧，然后在较低的温度下作氧化处理使瓷体晶界氧化的烧结方式，有效解决了金属电极的氧化问题，并形成了良好的PTC效应。可通过改变叠层生片的层数和生片的厚度来调节元件特性，方法灵活而简便。
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公开(公告)号：CN1519216A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03125369.5
申请日：2003-09-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法，其原料的摩尔量百分比为：Ba(OH)211.85－28.25，Ln(NO3)320.47－33.23，TiCl445.51－67.34，其中Ln为La或Sm，其处理步骤为：①将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀；②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中，在200～350℃下进行反应，制得钛酸镧或钛酸钐；③过滤、洗涤、干燥后，再加入氢氧化钡，在密闭的高压反应釜中进行反应，制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末；④过滤、洗涤、干燥后，直接造粒、成型，在1200～1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80~120，品质因数大于5000，谐振频率温度系数τf的绝对值可小于15ppm/℃。
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公开(公告)号：CN1492451A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03128233.4
申请日：2003-06-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明公开了一种BaTiO3基叠层片式PTC热敏电阻器的制备工艺，依次包括：①采用轧膜成型工艺制备片式PTC生坯；②溅射内电极；③共烧；④形成端头电极。该工艺具有以下优点：采用轧膜成型方法制备片式PTC生坯，以水作为溶剂，因而环境污染小，劳动强度低，易于操作且成本低廉。轧膜成型制得的坯片具有一定的均匀度、致密度和光洁度，且膜坯的柔韧性较好，具有良好的工艺性能。采用热压烧结法，在烧结过程中易于形成良好的欧姆接触。采用先将坯体和内电极在还原气氛中共烧，然后在较低的温度下作氧化处理使瓷体晶界氧化的烧结方式，有效解决了金属电极的氧化问题，并形成了良好的PTC效应。可通过改变叠层生片的层数和生片的厚度来调节元件特性，方法灵活而简便。
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公开(公告)号：CN101710642B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910273244.6
申请日：2009-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层辐射单元位于第一层辐射单元上方，并通过金属过孔连接；令低温共烧陶瓷基板的宽度方向为x方向，长度方向为y方向，第一层辐射单元的y方向各个间隙中均增加调谐枝节，第二层辐射单元的电长度小于第一层辐射单元的电长度，第二层辐射单元的y方向曲折线间距大于第一层辐射单元的y方向曲折线间距。该天线可以有效地满足手机等移动终端多频带的需求，并有效地降低天线剖面，提高天线的稳定性。
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