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公开(公告)号：CN1267377C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310111238.3
申请日：2003-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷，包括主成分：p[m(aCaO·bNd2O3)·cMgO·TiO2]·q[1/4Li2O·1/4Sm2O3·TiO2]，以摩尔百分比计算，其中：p+q＝100摩尔%，m+c＝100摩尔%，a+3b＝100摩尔%，30摩尔%≤q≤55摩尔%，30摩尔%≤a≤75摩尔%，80摩尔%≤m≤95摩尔%；副成分为ZnO，副成分的含量u为主成分的0.5至2.0wt%。本发明还提供了其制备方法。所制备的微波介质陶瓷，其介电常数为90～120，同时具有低损耗与可调的谐振频率温度系数，利用本发明提供的微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应更高的频率。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
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公开(公告)号：CN1220651C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03125369.5
申请日：2003-09-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法，其原料的摩尔量百分比为：Ba(OH)211.85-28.25，Ln(NO3)320.47-33.23，TiCl445.51-67.34，其中Ln为La或Sm，其处理步骤为：①将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀；②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中，在200～350℃下进行反应，制得钛酸镧或钛酸钐；③过滤、洗涤、干燥后，再加入氢氧化钡，在密闭的高压反应釜中进行反应，制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末；④过滤、洗涤、干燥后，直接造粒、成型，在1200～1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80～120，品质因数大于5000，谐振频率温度系数τf的绝对值可小于15ppm/℃。
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公开(公告)号：CN1528705A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310111238.3
申请日：2003-10-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种微波介质陶瓷，包括主成分：p[m(aCaO.bNd2O3)·cMgO·TiO2]·q[1/4Li2O·1/4Sm2O3·TiO2]，以摩尔百分比计算，其中：p+q＝100摩尔％，m+c＝1，a+3b＝1，30摩尔％≤q≤55摩尔％，0.3摩尔≤a≤0.75摩尔，0.8摩尔≤m≤0.95摩尔；副成分为ZnO，以主成分的重量为100计，副成份的含量u为主成分的0.5至2.0wt％。本发明还提供了其制备方法。所制备的微波介质陶瓷，其介电常数为90~120，同时具有低损耗与可调的谐振频率温度系数，利用本发明提供的微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应更高的频率。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
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公开(公告)号：CN1519216A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03125369.5
申请日：2003-09-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法，其原料的摩尔量百分比为：Ba(OH)211.85－28.25，Ln(NO3)320.47－33.23，TiCl445.51－67.34，其中Ln为La或Sm，其处理步骤为：①将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀；②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中，在200～350℃下进行反应，制得钛酸镧或钛酸钐；③过滤、洗涤、干燥后，再加入氢氧化钡，在密闭的高压反应釜中进行反应，制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末；④过滤、洗涤、干燥后，直接造粒、成型，在1200～1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80~120，品质因数大于5000，谐振频率温度系数τf的绝对值可小于15ppm/℃。
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