一种自发成核生长溴化铊单晶方法

    公开(公告)号:CN100516318C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200710168946.9

    申请日:2007-12-19

    Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法,具体步骤如下:1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿,抽真空,密封,并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形;2)将安瓿放入垂直管式炉,安瓿的圆锥端指向炉底部,垂直管式炉加热,使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点,并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高,再保温;3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃;4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿,省去了复杂的机械传动装置,简化了工艺,降低了成本。安瓿及加热器均固定,温场稳定,晶体及熔融体内部热分布较均匀,较易获得凸形的生长界面,生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。

    一种网格模拟方法及其模拟器

    公开(公告)号:CN1805424A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200510137114.1

    申请日:2005-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种网格模拟方法,它包括信息配置、网格实体构造、模拟程序生成、模拟程序执行和模拟结果输出五个步骤。根据该方法实现的模拟器包括信息配置模块、网格实体构造模块、模拟程序生成模块、模拟程序执行模块和模拟结果输出模块。模拟器对用户实体、任务实体、资源实体、信息目录实体、调度器实体、网络实体和统计分析实体进行建模,为准确模拟网格应用环境提供支持。模拟器利用离散事件模拟基础架构的支持,通过独立的线程来模拟网格系统中的各个实体,线程自身不断地循环,模拟实体行为并处理来自外部实体的消息。模拟器具有良好的用户界面和丰富的模型支持,并提供相应的数据统计和分析工具,有效地反映模拟结果。

    一种基于深度梯度的目标跟踪方法与系统

    公开(公告)号:CN105488811A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201510822670.6

    申请日:2015-11-23

    CPC classification number: G06T2207/30241

    Abstract: 本发明公开了一种基于深度梯度的目标跟踪方法,通过对获取的待跟踪RGB-D视频序列的第一帧进行标定,提取RGB图像的方向梯度直方图特征和深度图像的深度梯度信息;基于上述信息,对当前帧进行目标检测和目标跟踪,并根据检测结果和跟踪结果,进一步得到最终目标框;最后,对下一帧重复前述步骤且在每一帧处理后,对分类器模型进行选择性调整。相应地本发明还公开了一种对应的系统。通过执行本发明中的方法,有效解决了当前目标跟踪方法中存在的在背景与目标颜色接近、光照变化明显、遮挡等导致的跟踪错误或丢失的问题,大大提高了目标跟踪的鲁棒性,同时减少了训练模型的漂移问题,尤其适用于小速率目标跟踪的应用场合。

    一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法

    公开(公告)号:CN101805178B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201010100562.5

    申请日:2010-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法,该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料,用直径为1~2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400~2400rpm、球磨时间为1~3小时,最终获得粒径大小为20~50nm的钛酸钡基PTC粉体;然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3~5小时,然后静置5~12小时去除气泡及物理团聚,最后进行过筛处理获得流延浆料;最后对流延浆料进行流延操作,制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC,其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下,室温电阻率≤120Ω.cm,升阻比≥4×103,居里温度在80~120℃。

    一种多层布线用黑色氧化铝基片的制备方法

    公开(公告)号:CN101483417B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200910060548.4

    申请日:2009-01-16

    Abstract: 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法,即采用固相法,向主晶相Al2O3粉末中加入Co,Mn,Cr,Si,Ti,B,V等元素,对氧化铝进行掺杂改性,降低了氧化铝陶瓷的烧成温度,并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法,选择了适合氧化铝的流延成型剂,复合溶剂,复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料,提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延,设备简单可行,自然干燥过程方便,干燥过程不会引起坯体的破裂,起皱,和无法脱膜的现象。制得膜体致密,并用机械打孔法来制备叠层基片,得到多层布线用黑色氧化铝基片。

    一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101830698A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010123229.6

    申请日:2010-03-15

    Abstract: 本发明公开了一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料,其组成为式①,式中:x=0.1~0.5;y=0.1~0.3;z=0.001~0.01;j=0.1~0.2;k=0.01~0.05;w=0.0001~0.001,成分中Ln为Sm、Nd、Y和La任一种或二种元素;Cn为Ca和Sr中的至少一种元素。制备过程为:(1)分别制备含Bi、Na、K、Ba、Ti、Ln、Cn、Si、Mn离子的溶液,按式①中给出的摩尔比例配制混合溶液:(2)按上述混合溶液∶有机单体∶交连剂=100ml∶(6~20)g∶(0.5~8)g的比例混合,溶液中的有机单体和交连剂交联聚合得到凝胶;(3)700-800℃煅烧1~3小时,得到陶瓷粉体;(4)粉体造粒、干压成型后在高温1200~1300℃下烧结1~2小时。该陶瓷材料具有高居里点、低电阻率的特点。[Bi0.5(Na1-xKx)0.5]y[Ba1-y-z-j]TiO3+zLn3++jCn2++kSi2++wMn(NO3)2??①。

    一种三维重建方法和系统
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106920276B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201710098523.8

    申请日:2017-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种三维重建方法和系统,其中方法的实现包括:基于校正后的左、右视角图像提取左、右特征点的特征向量,通过计算左、右特征点特征向量之间的空间距离寻找左、右支撑点,基于左支撑点对左视角图像进行三角剖分得到多个左三角形,在左三角形内取左估测点,右估测点由左估测点在右视角图像对应行遍历得到,基于左估测点的视差先验信息和左、右估测点之间的似然概率分布建立联合概率分布,使用最大后验概率估计左、右估测点之间的视差,得到视差图;基于视差图使用三角测量恢复目标景深信息,得到三维点云。这种方法可以快速、精确的找到视差图,上述方法得到的点云可用于厚度测量和距离测量,实现了自动化测量。

    一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102946236B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201210405161.X

    申请日:2012-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法,该制备方法包括步骤S1:在洁净的Si衬底上制备阻挡层;S2:在阻挡层上制备布拉格反射栅,布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成;S3:在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极;S4:在底电极上制备多层异质结构,并作为体声波谐振器的压电层;多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成;S5:将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜;S6:在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流,具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性;室温下具有较大的优值。

    一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103626489B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201310570899.6

    申请日:2013-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种低温烧结叠层片式钛酸钡热敏陶瓷的制备方法,钛酸钡陶瓷材料的化学组成通式为:(Ba1-xLax)1.005TiO3,其中1‰≤x≤10‰。该方法通过溶胶凝胶法制备的掺镧的纳米钛酸钡粉体,经流延成型、切片、排胶,然后通过还原再氧化烧结制得PTC热敏电阻器。该方法采用溶胶凝胶法制备纳米或亚微米原料粉体,并在制备粉体的过程中同时引入微量掺杂的纳米半导化元素等,并采用还原再氧化的工艺制备陶瓷元件;目的在于实现分子级微量元素的均匀掺杂,在制备出细晶陶瓷的同时降低材料电阻率,制备得到晶粒细小、室温电阻率低并具有较大升阻比的PTC热敏陶瓷;本发明还可以降低陶瓷的烧结温度,改善陶瓷与电极的收缩匹配性能。

Patent Agency Ranking