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公开(公告)号：CN119900047A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411014193.6
申请日：2024-07-26
Applicant: 华中师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B11/052 , C25B11/051 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于电解水催化技术领域，具体涉及一种卤素修饰的双金属磷化物及其制备方法和应用。卤素修饰的双金属磷化物，包括镍基底和镍基底上生长的卤素修饰的双金属磷化物，掺杂有卤素，所述的卤素为氯或溴，含有金属钴和镍的磷化物，存在金属钴和锰以及磷与氧的成键。制备方法：将镍基底材料预处理后作为基底，使用钴源物质、锰源物质，在NH4X，X为Cl或Br，和(NH2)2CO的存在下进行水热反应于基底上沉积形成卤素修饰的钴锰前驱物；使用NaH2PO2经高温磷化法制备得到卤素修饰的双金属磷化物。本发明提供的卤素修饰的双金属磷化物具有优异的HER和OER催化活性。
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公开(公告)号：CN119800407A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411014587.1
申请日：2024-07-26
Applicant: 华中师范大学
IPC: C25B11/065 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明涉及电解水催化技术领域，公开了一种钴锰锶三元金属催化剂及其制备方法和应用。钴锰锶三元金属催化剂材料表面粗糙，存在孔洞，有Mn、Co、Sr三种金属氧化物MnO2、Co3O4、SrO2物相，为无定形和晶相共存的结构，具有晶面‑非晶面组成的相界面。制备方法：将锰源和钴源溶液和锶源物质配制得到前驱液；所述前驱液滴在预处理后的导电基底上，进行加热反应，反应完成并冷却至室温得到所述钴锰锶三元金属催化剂。本发明提供的钴锰锶三元金属催化剂具有优异的酸性OER催化活性。
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公开(公告)号：CN117488335A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311445613.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 华中师范大学
IPC: C25B11/075 , C02F1/461 , C25B11/031 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B1/02 , C01G53/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明适用于电催化剂技术领域，提供了一种纳米花状镍钴铁三元水滑石材料及其制备方法和应用，该材料是一种负载在镍铁合金薄层上且具有三维纳米花状形貌的镍钴铁三元水滑石。本发明采用常温常压条件下的浸泡腐蚀的制备工艺，由镍钴铁三元水滑石组成的三维纳米花状结构有效地增大了其电化学活性表面积，并增加了反应活性中心的数量，同时也防止反应过程中纳米片的堆叠，提高了材料的稳定性。在碱性溶液中，催化剂能稳定运行较长时间，且在长时间稳定性测试后性能并无明显衰减。
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公开(公告)号：CN117303515A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311433557.X
申请日：2023-11-01
Applicant: 华中师范大学
IPC: C02F1/461
Abstract: 本发明适用于电催化水分解技术领域，提供了一种钡修饰的铁羟基氧化物及其制备方法和应用，制备方法包括：通过水热法在具有多孔结构的金属泡沫基底上生长钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列。具体步骤包括，将具有大比表面积的金属泡沫置于聚四氟乙烯反应釜中，加入含有尿素、氟化铵、铁盐和钡盐的混合溶液中，进行水热反应，得到钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列。本发明利用一步水热法在金属泡沫基底上生长钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列，方法简单高效；并且将钡修饰的铁羟基氧化物纳米片阵列作为中性水氧化电极，具有丰富的活性位点和独特的电子结构，展示出了优异的中性电解水催化活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116590739A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310415666.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 华中师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/054 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列及其制备方法，涉及海水氧化催化剂技术领域，该硫化镍纳米片阵列为生长在泡沫镍基底上且由30~80 nm的纳米颗粒组装而成的粗糙纳米片阵列。该制备方法的具体步骤是：利用水热法制备得到氢氧化镍纳米片阵列作为自模板，将氢氧化镍纳米片阵列置于含有硫脲、Fe3+和MoO42‑的溶液中进行水热反应得到铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列。本发明开发独特的两步水热法，利用氢氧化镍纳米片作为自模板，将其转变为硫化镍的同时引入铁和钼原子，形成铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列，方法简单且高效，并且铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列作为碱性水和海水氧化电极，展示出了优异的催化活性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111617780B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010161524.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 华中师范大学
IPC: B01J27/051 , B01J27/24 , B01J35/00 , C25B1/04 , C25B11/04 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及一种用于高效和稳定电解水制氢的氮掺杂镍钼基复合硫化物及其制备方法。该材料为自支撑的微米棒阵列结构，其中微米棒的表面由大量交叠的超薄纳米片组成，且N原子成功地掺杂到了镍钼基复合硫化物的晶格中，改变了材料的电子密度。该催化剂作为电解水制氢的工作电极，表现出了优异的催化活性和稳定性。此外，该催化剂拥有超优异的稳定性能，能够稳定工作1000个小时仍然保持性能不衰减，展现出广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481529B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110765304.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 华中师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , B82Y40/00
Abstract: 本发明适用于电解海水产氧催化剂技术领域，提供了一种铁、钴修饰的磷化镍纳米片阵列及其制备方法，该材料为生长在泡沫镍衬底上的非晶相与晶相共存的铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列，其中铁的原子含量为1.62～3.09%，钴的原子含量为0.65～1.34%，铁、钴的原子比为2:1～4:1；采用两步水热法和气相沉积法制备铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列，步骤包括：首先，采用第一步水热法制备得到氢氧化镍纳米片，然后采用第二步水热法将铁、钴修饰到氢氧化镍纳米片阵列中；其次，采用一步气相沉积法制备得到铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列。本发明提供的铁、钴修饰的磷化镍纳米片阵列作为电解水及电解海水析氧的工作电极，表现出了优异的催化活性。
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公开(公告)号：CN104183823B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410437168.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 华中师范大学
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/62
Abstract: 本发明涉及一种基于三维碳球框架结构的SnO2、MnO或Mn3O4基复合材料及其制备方法，所述复合材料直径100～800nm，是由SnO2、MnO或Mn3O4金属氧化物被交叉分布的晶化碳和无定形碳包裹而形成的微球，其中：所述金属氧化物颗粒直径为2～50nm。本发明制备的复合材料具有优异的电化学性能，主要是其三维碳球框架结构有较大的空间供氧化锡或氧化锰在嵌锂脱锂过程中的体积膨胀，此外包裹在氧化锡或氧化锰颗粒外交叉分布的晶化碳会在体积膨胀时弯曲，周围的无定形碳会进一步压缩，从而具有较强的韧性，保证结构的稳定性，使复合材料循环稳定性好。
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公开(公告)号：CN101774629B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010028921.0
申请日：2010-01-06
Applicant: 华中师范大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明涉及p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备方法。本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在该溶液中。将高压釜保持在100-200℃反应0.5-20小时，即可得到所需要的氧化亚铜薄膜。其中在弱酸性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n型，在中性或碱性条件下为p型。通过简单的水热制备方法得到的不同导电类型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101620935A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910063245.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 华中师范大学
IPC: H01G9/042 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/42 , C01B3/04 , B01J27/04 , B01J23/72 , B01J21/06
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/364 , Y02P20/134
Abstract: 一种具有太阳光能量存储及释放功能的TiO 2 基复合薄膜材料，包括在任何衬底上沉积的以各种形貌TiO 2 薄膜为底层，各种形貌CdS或Cu 2 O薄膜为表层，或者是在衬底上直接沉积的TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O两种半导体材料复合物，或者是将TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O复合粉末材料通过粘合剂固定在衬底上，所述TiO 2 与CdS摩尔比为100∶1-1∶20；TiO 2 与Cu 2 O摩尔比为50∶1-1∶20。该材料能量存储需要的太阳光、日光灯、荧光灯或发光二极管的可见光光强度大于5mw/cm 2 。其能量释放是光照持续发生，作为电极在光照电化学系统中，在没有外加偏压的情况下导致水分解为氢和氧；或是在有牺牲剂的光解水制氢体系中，光照停止后仍继续有氢气析出。本发明的TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O纳米复合薄膜材料，在实际应用中将比传统的太阳能电池成本更低。
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