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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101774629B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010028921.0
申请日：2010-01-06
Applicant: 华中师范大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明涉及p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备方法。本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在该溶液中。将高压釜保持在100-200℃反应0.5-20小时，即可得到所需要的氧化亚铜薄膜。其中在弱酸性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n型，在中性或碱性条件下为p型。通过简单的水热制备方法得到的不同导电类型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101620935A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910063245.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 华中师范大学
IPC: H01G9/042 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/42 , C01B3/04 , B01J27/04 , B01J23/72 , B01J21/06
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/364 , Y02P20/134
Abstract: 一种具有太阳光能量存储及释放功能的TiO 2 基复合薄膜材料，包括在任何衬底上沉积的以各种形貌TiO 2 薄膜为底层，各种形貌CdS或Cu 2 O薄膜为表层，或者是在衬底上直接沉积的TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O两种半导体材料复合物，或者是将TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O复合粉末材料通过粘合剂固定在衬底上，所述TiO 2 与CdS摩尔比为100∶1-1∶20；TiO 2 与Cu 2 O摩尔比为50∶1-1∶20。该材料能量存储需要的太阳光、日光灯、荧光灯或发光二极管的可见光光强度大于5mw/cm 2 。其能量释放是光照持续发生，作为电极在光照电化学系统中，在没有外加偏压的情况下导致水分解为氢和氧；或是在有牺牲剂的光解水制氢体系中，光照停止后仍继续有氢气析出。本发明的TiO 2 /CdS或TiO 2 /Cu 2 O纳米复合薄膜材料，在实际应用中将比传统的太阳能电池成本更低。
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公开(公告)号：CN101620935B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910063245.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 华中师范大学
IPC: H01G9/042 , H01G9/20 , H01M14/00 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/42 , C01B3/04 , B01J27/04 , B01J23/72 , B01J21/06
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/364 , Y02P20/134
Abstract: 一种具有太阳光能量存储及释放功能的TiO2基复合薄膜材料，包括在任何衬底上沉积的以各种形貌TiO2薄膜为底层，各种形貌CdS或Cu2O薄膜为表层，或者是在衬底上直接沉积的TiO2/CdS或TiO2/Cu2O两种半导体材料复合物，或者是将TiO2/CdS或TiO2/Cu2O复合粉末材料通过粘合剂固定在衬底上，所述TiO2与CdS摩尔比为100∶1-1∶20；TiO2与Cu2O摩尔比为50∶1-1∶20。该材料能量存储需要的太阳光、日光灯、荧光灯或发光二极管的可见光光强度大于5mw/cm2。其能量释放是光照持续发生，作为电极在光照电化学系统中，在没有外加偏压的情况下导致水分解为氢和氧；或是在有牺牲剂的光解水制氢体系中，光照停止后仍继续有氢气析出。本发明的TiO2/CdS或TiO2/Cu2O纳米复合薄膜材料，在实际应用中将比传统的太阳能电池成本更低。
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公开(公告)号：CN101774629A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010028921.0
申请日：2010-01-06
Applicant: 华中师范大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明涉及p型和n型氧化亚铜薄膜的水热法可控制备方法。本发明是通过控制反应物中水溶液的pH值来得到所需要的不同导电类型(p或n型)的半导体氧化亚铜薄膜。方法是先配制一定浓度的二价铜离子盐溶液，通过稀酸和氨水来调节溶液的pH值，将配置好的二价铜离子盐溶液和清洗干净的纯金属铜片置入高压釜中，铜片全部浸没在该溶液中。将高压釜保持在100-200℃反应0.5-20小时，即可得到所需要的氧化亚铜薄膜。其中在弱酸性条件下制备的氧化亚铜薄膜的导电类型为n型，在中性或碱性条件下为p型。通过简单的水热制备方法得到的不同导电类型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101704510A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910272887.9
申请日：2009-11-24
Applicant: 华中师范大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种具有周期性形貌变化的纳米氧化亚铜薄膜的制备方法。本发明是通过控制化学(池)沉积的次数得到由纳米球，纳米杆或纳米锥组成的具有周期性形貌变化的氧化亚铜薄膜，这些纳米球，纳米杆或纳米锥均由量子点氧化亚铜自组装而成。方法是将水溶性的铜盐和硫代硫酸盐制成混合前驱物溶液，前驱物混合溶液中铜盐与硫代硫酸盐的摩尔比为1∶1～1∶20；将清洗干净的衬底如玻璃片、ITO导电玻璃或FTO导电玻璃，或者沉积有二氧化钛等金属氧化物薄膜先浸渍在前驱物溶液中，取出后再浸渍在热碱性溶液中，取出后用去离子水冲洗，然后重复上述操作，根据重复操作次数的不同，得到不同形貌的氧化亚铜薄膜。
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