一种铁三铝基金属间化合物焊接方法

    公开(公告)号:CN1086972C

    公开(公告)日:2002-07-03

    申请号:CN99107424.6

    申请日:1999-05-20

    Abstract: 本发明提供了一种铁三铝(Fe3Al)基金属间化合物焊接方法,其特征在于采用基本成分为C<0.5%wt,Cr 0.5-2.0%wt,Mo<1%wt的中低碳CrMo钢焊丝作为焊接填充料,通过钨极氩弧焊焊接铁三铝基金属间化合物。其工艺为:氩气流量:10-20l/min(升/分钟),焊接速度:2-10mm/s(毫米/秒),焊接电压:8-15V(伏),焊接电流:50-100A(安)焊接道次:1-4,根据板的厚度确定。焊接后在350-500℃保温1-2小时,然后随炉冷却至室温。

    共沉降法制备不锈钢/氧化锆连续梯度功能材料

    公开(公告)号:CN1173409A

    公开(公告)日:1998-02-18

    申请号:CN97104468.6

    申请日:1997-06-09

    Inventor: 黄继华

    Abstract: 本发明提供了一种不锈钢/氧化锆连续梯度功能材料的制备方法,其特征是将不锈钢和氧化锆粉末与液体介质混合制成悬浊液并共沉降,沉积层经成型、烧结制备梯度材料。其中不锈钢的粒度为0.5~20μm,氧化锆的粒度(一次颗粒或二次制粒)为0.1~60μm;悬浊液中不锈钢的含量为0.01~0.5g/ml,氧化锆的含量为0.02~0.3g/ml;沉降介质可以是乙醇、丙酮和水。本发明的优点在于工艺可操作性强,所制备的梯度材料成分连续分布。

    基因枪用转移外源基因微型生物钨弹的制备方法

    公开(公告)号:CN1108217A

    公开(公告)日:1995-09-13

    申请号:CN95101236.3

    申请日:1995-01-26

    Abstract: 本发明提供了一种基因枪用微型生物钨弹的制备方法,其特征在于采用超薄料层、低温干氢分阶段还原法直接还原黄钨(WO3),制取基因枪所需的微型钨弹,即料层厚度为1mm~10mm,氢气露点为-70℃~-20℃,氢气流量(1/min)/还原黄钨量(cm3)为0.05~1.0,预还原温度为500℃~650℃,时间为5~20min,还原温度为650℃~800℃,时间为5~20min。本发明的优点在于成本低,产品粒度均匀,颗粒形貌为多面体单晶。平均粒度1~2μm,平均粒度±0.75μm范围内颗粒占90%以上。

    一种具有高伪塑性的钨基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117187716A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311308758.7

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本发明提供了一种具有高伪塑性的钨基复合材料及其制备方法。复合材料的基体为添加氮化铝(AlN)颗粒的钨(W)基体,增韧体为表面无镀层的短钨纤维(Wf),其中短纤维Wf添加量为10%~50%(vol.%),AlN颗粒添加量为2.0%~15.0%(wt.%)。将短纤维Wf与原料粉末按一定比例球磨混合,而后采用放电等离子烧结技术进行烧结,烧结温度为1500~2000℃,烧结压力为50~80MPa,保温与保压时间为1~5min。本发明涉及的短纤维Wf增韧W基复合材料,在致密烧结的前提下,采用向W基体中添加AlN颗粒的思路使纤维与基体间“强/弱交替结合界面”的综合性能表现为弱结合,复合材料因此具有优异“伪塑性”特征和较高强韧性。

    一种Cf/SiC复合材料的激光填丝焊接方法

    公开(公告)号:CN116652310A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310592116.8

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本发明公开一种Cf/SiC复合材料的激光填丝焊接方法,属于陶瓷及陶瓷基复合材料连接技术领域。所述方法采用含少量Ti的Nb‑Ti难熔合金丝作为连接材料,在惰性气体保护条件下,激光束快速熔化Nb‑Ti合金焊丝并加热Cf/SiC母材,局部形成的高活性Nb‑Ti合金液相润湿Cf/SiC复合材料并发生界面反应,进而实现连接。由于是通过柔性较高的激光焊接方式进行加热,而且最终形成的Nb基金属接头具有较高的耐热温度,因此所述连接方法可以实现大尺寸Cf/SiC复合材料构件的耐高温连接。

    一种高效、高可靠性的(Cu,Ni)@Sn核壳结构粉末连接材料及其封装连接工艺

    公开(公告)号:CN116638220A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310592072.9

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本发明提供了一种高效、高可靠性的铜镍合金包锡(记为(Cu,Ni)@Sn)核壳结构粉末连接材料及其封装连接工艺,属于功率芯片封装技术领域。所述(Cu,Ni)@Sn核壳结构粉末连接材料以CuNi合金粉末为核,Sn为壳。所述封装连接工艺包括:首先,在芯片和基板的待焊面镀敷CuNi合金镀层;然后,将(Cu,Ni)@Sn核壳结构粉末连接材料与乙醇或市售钎剂混合制成焊膏,将焊膏涂覆于基板的待焊面,并将芯片放置于焊膏上,组装成芯片/焊膏/基板连接结构;最后,在真空或惰性气氛或大气环境下,加热并保温实现连接。本发明解决了现有Cu‑SnTLPS连接技术连接效率低、连接压力大和接头热稳定性差的问题。

    用于钢/铝异种金属钎焊/熔钎焊的复合钎剂及钎焊方法

    公开(公告)号:CN116174990A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310223741.5

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明涉及焊接技术领域,提供了一种用于钢/铝异种金属钎焊/熔钎焊的复合钎剂及钎焊方法。所述复合焊剂将一定比例的KBF4和KAlF4、K3AlF6用无水乙醇或丙酮混合,使用时复合焊剂直接涂覆于钢板表面,用焊丝作为填充金属,将热源对焦于靠近钢板一侧填充金属进行焊接。本发明的优势在于:从对界面Fe‑Al金属间化合物本身进行增韧的角度出发,利用KBF4和熔融的液态Al发生原位置换反应(KBF4+Al=KAlF4+[B])向焊缝中过渡游离态B,游离态B进入到金属间化合物的原子间隙中,起到改善Fe‑Al金属间化合物的本征脆性的作用,从而提高接头强韧性。

    一种基于Cu6Sn5取向复合涂层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法

    公开(公告)号:CN114905106B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202210561903.1

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 一种基于Cu6Sn5取向复合涂层制备的Cu/SnAgCu/Cu钎焊方法,属于电子封装软钎焊技术领域。本发明以SnAgCu钎料和Cu基板组成的Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系为对象,在Cu基板表面制备低表面能晶体取向/高表面能晶体取向的Cu6Sn5取向复合涂层,再采用SnAgCu钎料对经过制备Cu6Sn5取向复合涂层的Cu基板进行钎焊连接,获得Cu基板/低表面能Cu6Sn5涂层/高表面能Cu6Sn5涂层/SnAgCu钎料/高表面能Cu6Sn5涂层/低表面能Cu6Sn5涂层/Cu基板结构的钎焊接头。本发明的优点在于,在不引入外来元素(除Sn、Ag、Cu外其它元素)的前提下,改善了Cu/SnAgCu/Cu钎焊体系的润湿性,抑制了钎焊接头界面化合物在时效阶段的过度生长。

    一种单晶高温合金扩散外延生长修复材料及修复方法

    公开(公告)号:CN112962013B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202110134105.6

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明提供了一种单晶高温合金表面缺陷扩散外延生长修复材料及修复方法。该修复材料化学成分为:Cr 9.0~22.0wt.%,Co 4.0~9.0wt.%,Mo 1.0~4.0wt.%,W 4.0~8.0wt.%,Al 5.0~12.0wt.%,Ta 24.0~32.0wt.%,Ti 9.0~16.0wt.%,其余为Ni。采用电极感应熔炼气雾化或等离子旋转电极等制粉工艺制备上述成分的合金粉末用于单晶高温合金的扩散外延生长修复。在修复温度为1240~1310℃,保温时间为0.5~3h时,单晶高温合金表面缺陷修复区已实现了单晶化。本发明提出的扩散外延生长修复材料不采用B、Si、Hf、Zr、Ge等元素作为降熔元素,而是通过对单晶高温合金中元素的多元化设计与调控,来获得低熔点的修复材料。采用该修复材料及工艺可在较短保温时间内实现单晶高温合金表面缺陷修复区的单晶化,大幅提升修复过程动力学。

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