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公开(公告)号：CN103060692A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310014932.7
申请日：2013-01-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁制冷材料技术领域，提供了一种高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料中含有部分替代铁原子的铬原子、作为间隙原子存在的C原子。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料在温度为25摄氏度的自来水中浸泡12小时,腐蚀速率小于0.2g/m2.h。上述高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料由两种化学分子式组成，一种化学分子式为La1-xRx(Fe1-y-mCryMm)13-zSizCa，另一种化学分子式LaFeSi。本发明的高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热材料腐蚀速率是一般稀土-铁硅磁热材料的一半以下，并且上述高耐蚀性稀土-铁铬硅碳磁热铸锭短时间退火后,具有高的磁熵变化值，可以作为实用材料用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN102225871A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110099863.5
申请日：2011-04-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约25~90nm，长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.％，Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量，在有效改善ZnO形貌的同时，又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能，扩大了ZnO原有领域的应用范围；由于采用的气流量比较小，生长时间相对比较短，其操作简单，成本低，效率高，并且对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101497425B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910079154.3
申请日：2009-03-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成的混合源，放入石英舟中；将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层，能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
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公开(公告)号：CN101538062B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101311365B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810103180.0
申请日：2008-04-01
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
Abstract: 一种室温铁磁性Fe掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域，本发明采用气相沉积的方法在ZnO纳米线制备过程中进行原位掺杂，将ZnO、C和Fe粉作为蒸发源，硅片作为接收衬底，放置在刚玉舟上，且硅片处于蒸发源的正上方，与蒸发源的垂直距离为2～4mm。其后，一起放入管式炉中，在炉中通入300～350ml/min的氩气，5～8min后将氩气流量改为120～160ml/min；将管式炉加热到950～1050℃，炉子内压强维持在0.03～0.05MPa，保温140～160min后自然冷却至室温，得到大面积均匀分布的Fe掺杂ZnO纳米线。本发明解决了在ZnO纳米线中合理掺入磁性元素Fe的问题，获得的Fe掺杂ZnO纳米线具有室温铁磁性。本方法原料廉价，工艺简单，能耗低，产率高，对环境无污染，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748326A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910235566.1
申请日：2009-10-19
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明提供了一种具有NaZn13结构的含碳稀土-铁钴硅化合物的制备方法，属于磁制冷材料技术领域。本发明采用真空感应炉冶炼，抽真空2×10-1Pa以上，普通氩气的压力为-0.05MPa到-0.02MPa，熔炼温度在熔点上50℃到200℃，熔炼时间为3到20分钟，溶化后倒入紫铜材质的铸型中得到母合金，将熔炼好的母合金进行退火处理，制备出C的原子含量α为0.1-0.4的含碳稀土-铁钴硅化合物。本发明可以制备尺寸在3mm以上的大块体含碳稀土-铁钴硅化合物，退火时间大为缩短，同时得到的含碳稀土-铁钴硅化合物属于二级相变，没有热滞和磁滞，性能稳定可靠，居里温度可以调节到室温以上，用于磁致冷空调技术及更广泛的磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN100500571C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710118801.8
申请日：2007-08-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。优点在于，不需要复杂的真空系统，只需在有微弱气流的空气中加热Cu衬底即可获得Cu2O纳米柱阵列。采用的方法简单易行，成本很低，是一种环保的制备方法。
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公开(公告)号：CN101254940A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103464.X
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 常永勤
IPC: C01G9/08
Abstract: 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明采用化学气相沉积的方法，在管式炉中通入流量为108～113ml/min氩气和氢气混合气体，将ZnS粉末和MnCl2粉末在氩气和氢气混和气氛下蒸发。蒸发源放在氩气和氢气混合气流的入口方向，硅片放在氩气和氢气混合气流的出口方向，硅片和蒸发源的水平距离为3～6mm；管式炉升温至900～920℃，保温60～200min，保持炉内压强0.015～0.03MPa，在空白硅片上沉积Mn掺杂ZnS纳米结构。该方法不需要催化剂，就可获得高纯度、高结晶质量的Mn掺杂ZnS纳米材料，而且制备方法简单，成本低、易于操作。
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公开(公告)号：CN101153381A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710121209.3
申请日：2007-08-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法，属于准一维纳米材料和纳米技术领域。工艺为：将Zn和CoCl2相邻放置在瓷舟中作为蒸发源，用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4～6mm的正上方；将瓷舟置于管式炉中，充入100～200ml/min的氩气，5～7min后将氩气的流量保持在55～60ml/min，系统压强为大气压状态；将管式炉加热至800～820℃并保温80～120min，当温度达到设定温度时，通入5～10ml/min的空气10～20min，然后关闭空气的阀门；随炉冷却至室温，将样品取出，硅片表面的绿色沉积物为Co掺杂ZnO纳米柱。优点在于，获得的Zn1－xCoxO纳米柱纯度高、产率大，而且具有室温铁磁性，为自旋电子器件的实用化提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN1872431A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610089520.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种转动式球形粉末筛选装置，属于粉末筛分技术领域。该装置包括：主动辊、从动辊、传送带、下料漏斗、驱动电机、高度调节滑块机构、张紧滑块机构、非球形粉末接料斗、球形粉末接料斗、清洁刷及支座。从动辊(2)高度低于主动辊(1)0.5～18cm；主动辊(1)与从动辊(2)中心距可调，其范围为24～36cm；通过张紧滑块机构(7)使传送带(3)张紧并保持平直状态；驱动电机(5)与主动辊之间为皮带传动，在驱动电机(5)的作用下，主动辊(1)带动传送带(3)及从动辊(2)顺时针转动，通过调节电机转速调整传送带运行速度。优点在于：实现球形粉末筛选的机械化与连续化，显著提高球形粉末的筛分效率及筛分质量。
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