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公开(公告)号：CN112746262A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN110205603B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111151513A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811319723.2
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
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公开(公告)号：CN110629191A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911061281.0
申请日：2019-11-01
IPC: C23C16/26 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜卷对卷生产装置及方法，装置包括真空腔、真空泵组件以及工艺气体通入组件，还包括至少一监测组件以及参数控制组件，真空腔包括依次连通的放卷腔、生长腔和收卷腔，其中一个监测组件连接于生长腔，用以获得位于生长腔内的石墨烯薄膜的第一表征参数，并将第一表征参数与一第一设定表征参数比较获得一第一比较结果；参数控制组件连接于至少一监测组件，用以响应第一比较结果，并调控各项工艺气体通入量及比例和/或所述生长腔温度和/或生长基底运动速度和/或所述生长腔内压强，以使第一表征参数等于第一设定表征参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110607517A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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公开(公告)号：CN110205603A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN110148663A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910405944.X
申请日：2019-05-16
Abstract: 本发明一实施方式提供了一种LED外延片及其制备方法，该制备方法包括：在基底上设置石墨烯层；在所述石墨烯层上设置AlN层；将所述AlN层自所述基底上剥离；以及，在所述AlN层上设置LED外延层。本发明一实施方式的制备方法，基于多层石墨烯非常好的热导率和应力释放作用，将传统工业中的两步成膜法转变为一步法，大幅降低了生产时间；且通过AlN层的剥离，便于制作柔性LED器件，同时不影响器件的正常发光。
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公开(公告)号：CN109980054A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910247542.1
申请日：2019-03-29
Abstract: 本发明提供了一种GaN纳米柱的制备方法，首先在蓝宝石衬底上形成石墨烯层，然后在所述石墨烯层上外延生长GaN纳米柱。本发明还提供了一种LED器件，依次包括蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的石墨烯层以及生长于石墨烯层上的GaN纳米柱。本发明提供的制备方法可以缓解蓝宝石衬底与GaN之间的晶格与热失配，显著提高了GaN纳米柱的生长质量，石墨烯还可以作为LED器件的底电极，无需另外制备电极，本发明的制备方法简单，普适性高，适合工业生产，具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109534326A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
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