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公开(公告)号：CN114966294B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210894078.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电力设备的可靠性试验系统及控制方法、装置和介质，属于可靠性试验技术领域。高温老化箱，设置于试验室端，用于容纳预期进行可靠性试验的第一电力设备；控制装置，设置于试验室端并与所述高温老化箱连接，用于设置在高温老化箱内对所述第一电力设备进行可靠性试验的试验环境参数，并监测第一电力设备在基于试验环境参数的可靠性试验下的运行情况；采集装置，其设置于位于现场端的第二电力设备的箱体内，用于采集第二电力设备内部的参考环境参数，并将该参考环境参数提供给控制装置以使得控制装置基于参考环境参数设置试验环境参数。本发明对于第一电力设备的试验环境参数设置更贴近实际，试验结果更准确可靠。
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公开(公告)号：CN115186503A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210892389.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明实施例提供一种设备寿命预测方法、装置及恒温加速试验系统，属于设备可靠性预测技术领域。设备寿命预测方法包括：获取设备中的各个电路板卡上的每个元器件对应于初始恒定温度的初始工作温度以及对应于第一恒定温度的第一工作温度；基于每个元器件的激活能、初始工作温度和第一工作温度，分别确定每个元器件的加速比；根据每个元器件的加速比和失效率，确定设备的加速比；以及根据从在第一恒定温度下开始对设备进行恒温加速试验至该设备中的任一电路板卡出现故障的试验时长和所确定的设备的加速比，预测设备的寿命。本发明实施例对设备寿命的预测更为精准可靠，并且无需试验大量样本，成本低，且适用性更强。
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公开(公告)号：CN114896929A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210405357.2
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN119883453A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411717521.9
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种模型训练过程的可视化系统、方法及装置，属于模型训练技术领域。所述模型训练过程的可视化系统包括：数据选择模块、模型训练模块和训练监测模块；所述数据选择模块用于获取模型训练所需参数，并响应于模型训练指令，调用所述模型训练模块；所述模型训练模块用于根据所述模型训练所需参数，对预置的初始模型进行训练，得到实时训练数据，并将所述实时训练数据发送至所述训练监测模块；所述训练监测模块用于基于所述实时训练数据，绘制学习曲线，并将所述学习曲线进行实时显示。通过时时显示模型的学习曲线，实现建模及训练过程的可视化，以便于用户时时获知训练情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119645393A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411637974.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种后处理仿真数据显示框架的搭建方法、装置和电子设备，属于计算机处理技术领域。方法包括：响应于控制台区域的配置指令，创建控制台区域；所述控制台区域用于接收对后处理仿真数据文件的可视化参数编辑命令；响应于数据显示区域的配置指令，创建数据显示区域；所述数据显示区域用于显示所述后处理仿真数据文件的可视化结果；响应于菜单栏区域的配置指令，创建菜单栏区域；所述菜单栏区域用于接收对所述后处理仿真数据文件的菜单操作命令。本发明用以解决如何能快速搭建出具备弹性化的软件原型，可以显著减少用户与设计者之间的理解误差、降低代码推倒重构风险，从而实现软件在正确的轨道上快速迭代开发的问题。
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公开(公告)号：CN114062740B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R1/18
Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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公开(公告)号：CN114268310B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输出端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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公开(公告)号：CN117309035A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311085428.6
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及变电站监测领域，公开了一种变电站场景下的多物理场复杂环境的监测采集装置，包括底座、支撑架、支撑条带、设置在支撑条带上的多个齿板、监测盒和驱动组件，监测盒具有多个监测口，监测盒中设置有位于监测口处的齿套和传动组件，齿套的外周上设置有多物理场传感器，传动组件能够传动连接齿板和齿套，驱动组件能够驱动监测盒升降移动，其中，当监测盒到达齿板时，多物理场传感器暴露，当监测盒脱离齿板时，多物理场传感器隐藏。通过上述技术方案，可以使得多物理场传感器在不同的高度位置监测环形的温湿度与电磁场，并且在不需要测量的位置将多物理场传感器隐藏在监测盒中，以保护多物理场传感，避免其受损坏，特别是避免其受到污物污染，可以提高其检测准确度。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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